據(jù)Bridge Economy報(bào)導(dǎo)，三星電子與AMD公司達(dá)成價(jià)值高達(dá)4萬(wàn)億韓元（約合人民幣210.8億元）的HBM3E供貨協(xié)議。據(jù)悉，此份協(xié)議中AMD向三星采購(gòu)HBM，同時(shí)三星則向AMD采購(gòu)AI加速卡，具體交易數(shù)量尚未公布。

三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。相較于三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上都有超過(guò)50%的顯著提升。

此外，HBM3E 12H還采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，確保了12層和8層堆疊產(chǎn)品的高度一致性，從而滿足了當(dāng)前HBM封裝的需求。該技術(shù)在更高的堆疊中將發(fā)揮更大作用，有助于解決因薄片導(dǎo)致的芯片彎曲問(wèn)題。

三星一直致力于降低非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并將芯片間的間隙縮小到7微米（μm），同時(shí)消除層與層之間的空隙。這些努力使得HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度比HBM3 8H產(chǎn)品提高了20%以上。