近日,據(jù)韓國媒體報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存(HBM)的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
三星的3D封裝技術(shù)被譽(yù)為將徹底改變未來芯片制造的格局。據(jù)悉,該技術(shù)將為2025年底至2026年的HBM4集成鋪平道路,預(yù)示著三星在內(nèi)存和芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。
三星的3D封裝技術(shù)平臺名為SAINT(三星先進(jìn)互連技術(shù)),它集成了三種不同的3D堆疊技術(shù),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。SAINT-S針對SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)進(jìn)行優(yōu)化,而SAINT-L則專為邏輯電路而設(shè)計(jì)。最令人矚目的是SAINT-D,它允許在CPU或GPU等邏輯芯片之上堆疊DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器),為高性能計(jì)算提供了前所未有的可能。
自2022年三星正式宣布推出SAINT-D以來,該公司一直在進(jìn)行深入研究和技術(shù)開發(fā)。經(jīng)過數(shù)年的努力,SAINT-D技術(shù)預(yù)計(jì)將在今年正式商用。這標(biāo)志著三星作為全球最大內(nèi)存制造商和領(lǐng)先代工廠的一個重要里程碑,也預(yù)示著整個半導(dǎo)體行業(yè)將迎來一場技術(shù)革命。
隨著3D封裝技術(shù)的普及和應(yīng)用,未來的芯片將能夠擁有更高的性能、更低的功耗和更小的體積。三星的這一創(chuàng)新技術(shù)無疑將推動整個行業(yè)的發(fā)展,為未來的智能設(shè)備、云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域帶來更加出色的性能和能效表現(xiàn)。
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