91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

突破性能瓶頸!MEMS關(guān)鍵器件材料創(chuàng)新

傳感器專(zhuān)家網(wǎng) ? 來(lái)源:半導(dǎo)體技術(shù)情報(bào)、傳感器 ? 作者:半導(dǎo)體技術(shù)情報(bào)、 ? 2024-07-26 17:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

【研究背景】

在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域,隨著科技進(jìn)步和應(yīng)用需求的增加,對(duì)于傳統(tǒng)MEMS材料(如硅或氮化硅)的力敏感性(FS)和信噪比的限制引起了研究人員的關(guān)注。這些材料在應(yīng)用中通常用于制造懸臂,特別是在原子力顯微鏡(AFM)中,用于在納米尺度下探測(cè)樣品。傳統(tǒng)上,通過(guò)光束偏轉(zhuǎn)(OBD)方法檢測(cè)AFM懸臂的撓度,這種方法依賴(lài)于懸臂末端的角度變化。然而,隨著技術(shù)的發(fā)展,具有自我感知能力的懸臂也相繼發(fā)展起來(lái),這些懸臂集成了可以自主檢測(cè)撓度的傳感元件,例如壓電電阻傳感器

盡管自感知懸臂具有潛在的優(yōu)勢(shì),例如簡(jiǎn)化的檢測(cè)裝置和更小的體積,但它們的應(yīng)用受到了其低FS和信噪比的限制。這主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)的硅基或氮化硅材料在厚度上的限制導(dǎo)致了彈簧常數(shù)較高,從而影響了其撓度靈敏度(DS)。為了提高FS,懸臂必須增加厚度,但這又會(huì)增加其彈簧常數(shù),從而抵消了其在DS上的潛在優(yōu)勢(shì)。

為了克服這些挑戰(zhàn),研究人員開(kāi)始探索使用聚合物材料作為MEMS懸臂的替代選擇。聚合物具有顯著較低的楊氏模量,例如SU-8的楊氏模量約為氮化硅的60倍,這使得聚合物MEMS可以制造更厚的懸臂而不增加彈簧常數(shù)。然而,傳統(tǒng)的聚合物材料與高靈敏度因子的半導(dǎo)體應(yīng)變傳感器不兼容,因其所需的高溫制程可能會(huì)損害聚合物結(jié)構(gòu)。

有鑒于此,洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)生物與納米儀器實(shí)驗(yàn)室Georg E. Fantner教授團(tuán)隊(duì)在“Nature Electronics”期刊上發(fā)表了題為“A polymer–semiconductor–ceramic cantilever for high-sensitivity fluid-compatible microelectromechanical systems”的最新論文。研究人員采用了三層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),將聚合物核心夾在兩層陶瓷氮化硅層之間,并在半導(dǎo)體傳感電子設(shè)備嵌入聚合物與硬陶瓷層之間。關(guān)鍵在于,他們成功地分離了制造電子元件所需的高溫工藝和制造懸臂核心所需的聚合物工藝,從而確保了懸臂的結(jié)構(gòu)完整性和性能穩(wěn)定性。

27956cd8-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

A polymer–semiconductor–ceramic cantilever for high-sensitivity fluid-compatible microelectromechanical systems.

【科學(xué)亮點(diǎn)】

1)實(shí)驗(yàn)首次將低楊氏模量的聚合物材料集成于三層MEMS懸臂中,開(kāi)發(fā)出一種新型的聚合物-半導(dǎo)體-陶瓷MEMS平臺(tái)。這種結(jié)構(gòu)不僅增強(qiáng)了懸臂的厚度和柔軟性,還顯著提高了力敏感性和撓度靈敏度。

2)通過(guò)高溫工藝與聚合物處理的分離,本研究成功地在聚合物基體中嵌入半導(dǎo)體應(yīng)變傳感器,解決了傳統(tǒng)MEMS材料與電子材料相互影響的問(wèn)題。該三層懸臂的力噪聲比硅懸臂降低了六倍,證明了其在傳感精度上的優(yōu)勢(shì)。

3)實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,三層懸臂在自感知原子力顯微鏡(AFM)和膜表面應(yīng)力傳感器應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的流體兼容性。即使在苛刻的化學(xué)環(huán)境中(如氯化鐵),懸臂也能持續(xù)工作5小時(shí)而無(wú)降解現(xiàn)象,展現(xiàn)了其在生物分析中的潛在應(yīng)用價(jià)值。

4)研究還表明,聚合物MEMS在應(yīng)變傳感方面的靈敏度雖較低,但結(jié)合高性能電子元件的使用,仍能有效提升自感知能力,為未來(lái)多功能MEMS設(shè)備的發(fā)展提供了新思路。

【圖文解讀】

286224f8-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖1:不同讀出機(jī)制中的力轉(zhuǎn)電壓。

28a0df0e-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖2:三層懸臂梁的概念及性能。

28d3ef2a-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖3:三層技術(shù)的理論與實(shí)驗(yàn)評(píng)估。

294c87dc-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖4:三層懸臂梁在真空中用于AM-AFM的高跟蹤帶寬。

29855eb8-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖5:三層懸臂梁作為多種掃描探針技術(shù)的平臺(tái)。

29d87a26-488d-11ef-a4b4-92fbcf53809c.png

圖6:用于流體密封膜表面應(yīng)力傳感的三層MEMS。

【科學(xué)啟迪】

本文的研究展示了聚合物、半導(dǎo)體和陶瓷材料三層結(jié)構(gòu)在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)中的創(chuàng)新應(yīng)用,為力傳感和自感知技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路。首先,通過(guò)將聚合物與高性能半導(dǎo)體電子元件結(jié)合,該方法突破了傳統(tǒng)MEMS材料在厚度和柔軟性上的限制,展示了多層結(jié)構(gòu)在增強(qiáng)撓度靈敏度和力敏感性方面的優(yōu)勢(shì)。這一創(chuàng)新表明,在MEMS設(shè)計(jì)中,靈活運(yùn)用材料的組合,可以實(shí)現(xiàn)更高的性能和適應(yīng)性。

其次,研究中開(kāi)發(fā)的多層制造工藝,成功地將高溫工藝與聚合物加工分開(kāi),不僅保證了材料的兼容性,也使得制造過(guò)程更具可控性和可擴(kuò)展性。這種工藝的靈活性為未來(lái)MEMS設(shè)備的集成化與小型化提供了新的可能,尤其是在要求高靈敏度和高穩(wěn)定性的應(yīng)用場(chǎng)景中,如生物檢測(cè)和環(huán)境監(jiān)測(cè)。

此外,該研究還揭示了在苛刻環(huán)境下操作MEMS的潛力,表明三層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)在保持電子元件穩(wěn)定性和有效性的同時(shí),具備流體兼容性。這一特性為未來(lái)MEMS在生物醫(yī)學(xué)和化學(xué)分析領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ),提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。

總的來(lái)說(shuō),本文不僅推動(dòng)了MEMS技術(shù)的發(fā)展,還為科學(xué)研究者和工程師提供了一個(gè)新的視角,強(qiáng)調(diào)了材料選擇和制造工藝的重要性。通過(guò)結(jié)合不同材料的優(yōu)勢(shì),我們能夠設(shè)計(jì)出更具適應(yīng)性的MEMS設(shè)備,從而更好地滿(mǎn)足未來(lái)高精度傳感需求的挑戰(zhàn)。

原文詳情:

Hosseini, N., Neuenschwander, M., Adams, J.D. et al. A polymer–semiconductor–ceramic cantilever for high-sensitivity fluid-compatible microelectromechanical systems. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01195-z

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4501

    瀏覽量

    199086
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美多系列功率器件產(chǎn)品助力突破AI數(shù)據(jù)中心能效瓶頸

    隨著 AI 算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心正面臨功率密度激增、能耗加劇及行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)日趨嚴(yán)苛的多重考驗(yàn)。作為功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商,安森美(onsemi)如何助力客戶(hù)突破能效瓶頸,以下通過(guò)安森美專(zhuān)家的核心回復(fù),快速聚焦公司的技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 17:04 ?2303次閱讀

    方形SiC襯底?國(guó)產(chǎn)廠商新突破

    在全球算力持續(xù)攀升、芯片功率密度不斷突破的科技浪潮中,高效熱管理已成為制約半導(dǎo)體器件性能釋放的核心瓶頸,而基礎(chǔ)材料
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:39 ?1920次閱讀
    方形SiC襯底?國(guó)產(chǎn)廠商新<b class='flag-5'>突破</b>

    突破供電瓶頸,英特爾代工實(shí)現(xiàn)功率傳輸?shù)目绱H飛躍

    在2025年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM 2025)上,英特爾代工展示了針對(duì)AI時(shí)代系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)突破——下一代嵌入式去耦電容器,這一創(chuàng)新有望解決晶體管持續(xù)微縮過(guò)程中面
    的頭像 發(fā)表于 12-16 11:44 ?703次閱讀

    Yole:年末回顧全球MEMS器件中的創(chuàng)新設(shè)計(jì)

    MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀報(bào)告》,預(yù)計(jì)到2030年,MEMS器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到350億件,營(yíng)收將達(dá)到192億美元,2024年至2030年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為3.7%。 值此年末之際,正是回顧ME
    的頭像 發(fā)表于 12-15 19:17 ?5588次閱讀
    Yole:年末回顧全球<b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>器件</b>中的<b class='flag-5'>創(chuàng)新</b>設(shè)計(jì)

    MEMS真空封裝新突破:NEG薄膜技術(shù)受關(guān)注

    mems
    北京中科同志科技股份有限公司
    發(fā)布于 :2025年12月08日 15:22:56

    陀螺形體材料突破光子芯片瓶頸

    的光子芯片憑借其超高速、低功耗的天然優(yōu)勢(shì),被視為下一代計(jì)算技術(shù)的核心方向。 ? 然而,光子芯片的規(guī)?;瘧?yīng)用面臨關(guān)鍵技術(shù)瓶頸:在微型化芯片上實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的精確操控,需構(gòu)建穩(wěn)定的光路環(huán)境。這要求材料具備“各向同性帶隙
    的頭像 發(fā)表于 11-23 07:14 ?1w次閱讀
    陀螺形體<b class='flag-5'>材料</b>,<b class='flag-5'>突破</b>光子芯片<b class='flag-5'>瓶頸</b>

    奧迪威MEMS能量表方案:氫氣檢測(cè)技術(shù)的革新突破

    MEMS傳感器技術(shù)仍在不斷發(fā)展演進(jìn)。未來(lái),隨著人工智能技術(shù)的融合,MEMS傳感器將具備更強(qiáng)大的信號(hào)處理和識(shí)別能力。奧迪威正在致力于研發(fā)創(chuàng)新,突破技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 10:19 ?1350次閱讀
    奧迪威<b class='flag-5'>MEMS</b>能量表方案:氫氣檢測(cè)技術(shù)的革新<b class='flag-5'>突破</b>

    材料到集成:光子芯片技術(shù)創(chuàng)新突破算力瓶頸

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)在全球科技競(jìng)爭(zhēng)的浪潮中,光子芯片作為突破電子芯片性能瓶頸的核心技術(shù),正逐漸成為各方矚目的焦點(diǎn)。它以光波作為信息載體,通過(guò)集成激光器、調(diào)制器、探測(cè)器等光電器件
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:15 ?9242次閱讀

    菲沃泰納米鍍膜技術(shù)突破相變材料散熱困局

    5G通信、人工智能及高性能計(jì)算設(shè)備迅猛發(fā)展的時(shí)代背景下,電子設(shè)備高性能化帶來(lái)的散熱難題愈發(fā)嚴(yán)峻。相變材料(PCM)作為高效熱管理的關(guān)鍵角色,其可靠性成為行業(yè)焦點(diǎn)。近日,菲沃泰納米技術(shù)憑
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:02 ?919次閱讀

    助力材料技術(shù)新發(fā)展!Aigtek安泰電子電子元器件關(guān)鍵材料會(huì)議高光回顧

    會(huì)議回顧2025年8月1-4日,第三屆電子元器件關(guān)鍵材料與技術(shù)青年學(xué)者論壇在湖南韶山圓滿(mǎn)落幕。本次會(huì)議學(xué)術(shù)交流氛圍濃厚,圍繞我國(guó)電子元器件關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 08-07 18:37 ?963次閱讀
    助力<b class='flag-5'>材料</b>技術(shù)新發(fā)展!Aigtek安泰電子電子元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>關(guān)鍵</b><b class='flag-5'>材料</b>會(huì)議高光回顧

    陶瓷基板:突破大功率LED散熱瓶頸關(guān)鍵材料

    隨著LED技術(shù)向大功率、高密度、小型化方向快速發(fā)展,散熱問(wèn)題已成為制約行業(yè)進(jìn)步的主要瓶頸。研究表明,LED結(jié)溫每升高10℃,其使用壽命將縮短50%以上。在這一背景下,兼具優(yōu)異導(dǎo)熱性能和可靠機(jī)械特性
    的頭像 發(fā)表于 07-24 18:16 ?831次閱讀
    陶瓷基板:<b class='flag-5'>突破</b>大功率LED散熱<b class='flag-5'>瓶頸</b>的<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b><b class='flag-5'>材料</b>

    M12航空插頭性能突圍:新材料如何改寫(xiě)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?

    選擇德索可享三大優(yōu)勢(shì):100+工程師提供材料選型指導(dǎo);20000㎡智能工廠實(shí)現(xiàn)±0.01mm精密加工;產(chǎn)品通過(guò)12項(xiàng)國(guó)際認(rèn)證,不良率0.002%,支持48小時(shí)快速打樣。 從導(dǎo)體到密封件,德索以材料創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 07-18 11:54 ?569次閱讀
    M12航空插頭<b class='flag-5'>性能</b>突圍:新<b class='flag-5'>材料</b>如何改寫(xiě)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?

    突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

    取代傳統(tǒng)硅基器件?;景雽?dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET,通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝,實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破,為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹(shù)立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn):重新定義功率
    的頭像 發(fā)表于 06-16 15:20 ?951次閱讀
    <b class='flag-5'>突破性能</b>邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

    Low-κ介電材料突破半導(dǎo)體封裝瓶頸的“隱形核心”

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 Low-κ 介電材料作為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心材料,其技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用正深刻影響著集成電路的性能突破與成本優(yōu)化。這類(lèi)介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(κ≈4.0)的絕
    發(fā)表于 05-25 01:56 ?2141次閱讀

    從焊錫膏到3D堆疊:材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則?

    在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、晶圓級(jí)封裝(WLP)、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案,正重新定義芯片
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:36 ?1497次閱讀
    從焊錫膏到3D堆疊:<b class='flag-5'>材料</b><b class='flag-5'>創(chuàng)新</b>如何重塑芯片<b class='flag-5'>性能</b>規(guī)則?