據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產(chǎn)線，并預計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。

平澤P4工廠作為一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，其建設規(guī)劃分為四期。早期規(guī)劃中，一期專注于NAND閃存的生產(chǎn)，二期原計劃為邏輯代工，但后續(xù)策略有所調整，將重點轉向DRAM內存的生產(chǎn)。目前，三星已在P4工廠的一期成功導入了DRAM生產(chǎn)設備，并正緊鑼密鼓地籌備更高技術含量的1c nm DRAM產(chǎn)線的建設。

值得注意的是，1c nm DRAM代表了第六代20~10nm級別的內存工藝，是當前半導體技術的前沿。盡管目前市場上各家的1c nm（或對應的1γ nm）產(chǎn)品尚未正式發(fā)布，但三星電子已率先邁出步伐，計劃在今年底啟動1c nm內存的生產(chǎn)。這一決策不僅展現(xiàn)了三星在技術創(chuàng)新方面的領先地位，也為其在全球內存市場的競爭中占據(jù)有利地位奠定了堅實基礎。

此外，有報道稱，三星還考慮在2025年下半年推出的HBM4內存上采用1c nm DRAM裸片，以更先進的DRAM制程提升HBM4產(chǎn)品的能效競爭力，追趕并超越行業(yè)內的領先者。這一舉措無疑將進一步鞏固三星在高端內存市場的領先地位，并為其未來的發(fā)展注入新的動力。