91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

重慶三安意法8英寸碳化硅襯底廠已投產(chǎn)

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-04 18:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,重慶三安意法8英寸碳化硅(SiC)襯底廠正式投產(chǎn),標(biāo)志著這一高科技項(xiàng)目比預(yù)期提前兩個(gè)月進(jìn)入生產(chǎn)階段,為中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。該項(xiàng)目由全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造意法半導(dǎo)體(STM)與中國(guó)三安集團(tuán)攜手共建,總投資額高達(dá)300億元人民幣,預(yù)計(jì)年?duì)I收可達(dá)170億元人民幣,彰顯了雙方對(duì)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)未來(lái)的堅(jiān)定信心和巨大投入。

該工廠不僅集成了汽車(chē)級(jí)SiC襯底、外延和芯片的研發(fā)與制造能力,還將成為中國(guó)蓬勃發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)SiC襯底的主要供應(yīng)商。其年產(chǎn)能可達(dá)48萬(wàn)片8英寸SiC襯底及車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片,為電動(dòng)汽車(chē)的關(guān)鍵部件如主驅(qū)動(dòng)逆變器和車(chē)載充電器提供高質(zhì)量、高性能的SiC芯片解決方案。

重慶三安意法碳化硅襯底廠的投產(chǎn),是中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈向高端化、智能化邁進(jìn)的重要里程碑。SiC材料以其優(yōu)異的導(dǎo)電性、耐高溫性和高功率密度,正逐步成為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的核心材料,對(duì)于提升車(chē)輛性能、延長(zhǎng)續(xù)航里程、降低能耗等方面具有不可估量的價(jià)值。隨著該工廠的順利運(yùn)行,中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間和市場(chǎng)機(jī)遇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12621

    瀏覽量

    236911
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3735

    瀏覽量

    69468
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3472

    瀏覽量

    52393
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 , 短短兩天內(nèi),中國(guó)第代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日,廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:55 ?1968次閱讀

    加速!12英寸碳化硅襯底中試線來(lái)了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來(lái)跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞Su
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?5190次閱讀

    AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:13 ?6690次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國(guó)外壟斷!

    了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白,更為第代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力,同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開(kāi)辟了創(chuàng)新路徑。 此前,該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1721次閱讀

    數(shù)據(jù)中心電源客戶(hù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!光電碳化硅最新進(jìn)展

    16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前
    發(fā)表于 09-09 07:31 ?2023次閱讀

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    理論依據(jù)。 引言 在第代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅襯底的質(zhì)量對(duì)芯片性能和良率起著決定性作用,晶圓總厚度變化(TTV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?716次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    激光干涉碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    摘要 本文針對(duì)激光干涉碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題,深入分析影響測(cè)量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?1140次閱讀
    激光干涉<b class='flag-5'>法</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    江蘇集芯首枚8英寸液相高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?

    ,標(biāo)志著江蘇集芯在第代半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域再下一城,也為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控寫(xiě)下關(guān)鍵一筆。 碳化硅晶體是第代半導(dǎo)體的重要基礎(chǔ)材料,在6/8
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:17 ?739次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來(lái),各家廠商都開(kāi)始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸N型
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1.2w次閱讀

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1199次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    超薄碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:49 ?623次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    12英寸SiC,再添新玩家

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒(méi)有停下腳步,開(kāi)始投入到12英寸襯底的開(kāi)發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?7725次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?3137次閱讀

    半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

    日前,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體(ST)與重慶郵電大學(xué)在重慶
    的頭像 發(fā)表于 03-21 09:39 ?1495次閱讀

    國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在2月27日,半導(dǎo)體(ST)和光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8
    的頭像 發(fā)表于 03-18 00:11 ?5021次閱讀
    國(guó)內(nèi)首條<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>車(chē)規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步