91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗(yàn)證

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:瞻芯電子 ? 作者:瞻芯電子 ? 2024-09-27 10:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:瞻芯電子

近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包含近400萬顆車規(guī)級產(chǎn)品應(yīng)用在新能源汽車市場,標(biāo)志著產(chǎn)品的長期可靠性得到了市場驗(yàn)證。

SiC MOSFET作為功率變換系統(tǒng)的核心元器件,其性能表現(xiàn)影響應(yīng)用系統(tǒng)的效率表現(xiàn)。而產(chǎn)品的長期可靠性則更為關(guān)鍵,它決定了應(yīng)用系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。

瞻芯電子CTO葉忠博士說:“對SiC MOSFET來說,產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證過程是一場馬拉松長跑。產(chǎn)品通過可靠性測試認(rèn)證只是拿到參賽入場券,而長期實(shí)際運(yùn)行表現(xiàn)才能驗(yàn)證真正的產(chǎn)品可靠性?!?/p>

葉忠博士進(jìn)一步介紹:“為了確保產(chǎn)品的高可靠性,我們針對SiC MOSFET的失效機(jī)理做了長期的研究積累,并自主開發(fā)了一套錘擊老化測試系統(tǒng) (Hammer burn-in System),針對不同的產(chǎn)品失效機(jī)理,開展多種輔助測試篩查、加嚴(yán)測試和壽命測試。”

wKgaomb2G8qAPP5dAADZ27Hvafo111.jpg

瞻芯電子致力于為客戶提供高可靠的碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)品,其SiC MOSFET超千萬顆的交付量不僅是一項(xiàng)里程碑,更將成為公司對產(chǎn)品可靠性研究和持續(xù)提升的重要基石。

【近期會議】

10月30-31日,由寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心主辦的“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會”將首次與大家在江蘇·常州相見,邀您齊聚常州新城希爾頓酒店,解耦產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌霾季?!https://w.lwc.cn/s/uueAru

11月28-29日,“第二屆半導(dǎo)體先進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新大會”將再次與各位相見于廈門,秉承“延續(xù)去年,創(chuàng)新今年”的思想,仍將由云天半導(dǎo)體與廈門大學(xué)聯(lián)合主辦,雅時國際商訊承辦,邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展!誠邀您報名參會:https://w.lwc.cn/s/n6FFne


聲明:本網(wǎng)站部分文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播。 轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有,如有異議,請聯(lián)系我們修改或刪除。聯(lián)系郵箱:viviz@actintl.com.hk, 電話:0755-25988573

審核編輯 黃宇


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9683

    瀏覽量

    233718
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3731

    瀏覽量

    69460
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3471

    瀏覽量

    52389
  • 瞻芯電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    70

    瀏覽量

    983
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒驗(yàn)證試驗(yàn)

    電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型,對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒
    的頭像 發(fā)表于 12-18 16:35 ?6534次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>G2 650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的魯棒<b class='flag-5'>性</b><b class='flag-5'>驗(yàn)證</b>試驗(yàn)

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報告

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?2406次閱讀
    傾佳<b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報告

    傾佳電子碳化硅SiCMOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義

    傾佳電子碳化硅SiCMOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義 傾佳電子(Changer
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:05 ?897次閱讀
    傾佳<b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>可靠性</b>綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:09 ?853次閱讀
    B2M030120N <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、<b class='flag-5'>可靠性</b>和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——電子開發(fā)的首批第3代1200V Si
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1272次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>第3代1200V 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量產(chǎn)<b class='flag-5'>交付</b>應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在電力電子
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?1030次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力<b class='flag-5'>電子</b>領(lǐng)域的應(yīng)用

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?1279次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊的高效、高<b class='flag-5'>可靠</b>PCS解決方案

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1076次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅SiCMOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅SiCMOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?889次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?717次閱讀
    基于國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    的真相(誤區(qū)一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp,電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?968次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>性能評價的真相

    低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    蔓延,國產(chǎn)碳化硅逆變焊機(jī)或重蹈光伏逆變器早期“價格戰(zhàn)自毀”覆轍,最終淪為技術(shù)史上的失敗案例。唯有通過強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)(如嚴(yán)格的TDDB和HTGB)、建立全生命周期質(zhì)量追溯體系,并引導(dǎo)資本投向已驗(yàn)證技術(shù),才能挽救這一戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)。 1.
    的頭像 發(fā)表于 04-14 07:02 ?879次閱讀
    低劣品質(zhì)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的濫用將<b class='flag-5'>SiC</b>逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiCMOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

    行業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施演進(jìn),為電力電子從“硅時代”邁向“碳化硅時代”提供底層支撐。 相關(guān)研究: L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
    發(fā)表于 04-08 16:00

    如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

    MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命,因此,如何有效驗(yàn)證
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:43 ?2806次閱讀
    如何測試<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>

    電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

    近日,電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:22 ?1405次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>半橋功率模塊IV1B12009HA2L