近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。

這款模塊產(chǎn)品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標準的Easy1B封裝相同，其殼體緊湊，高度僅12mm。該模塊內(nèi)部芯片布置于陶瓷覆銅基板（DCB）上，具有內(nèi)絕緣功能，可直接緊貼散熱器，無需外加陶瓷絕緣墊片，安全可靠，散熱更好；同時，模塊采用彈簧安裝座，組裝方便，集成的安裝夾使安裝牢固。

圖1，模塊外觀

模塊電路拓撲

該模塊產(chǎn)品內(nèi)置1200V 9mΩ SiC MOSFET組成半橋電路，具有較低的雜散電感，簡化了應用電路的設計，相對于分立器件方案，提升了功率密度。同時集成熱敏電阻(NTC)以監(jiān)測溫度。

該產(chǎn)品具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關(guān)時，抑制驅(qū)動電壓尖峰，保障高頻開關(guān)應用安全和可靠。

圖2，模塊拓撲

SiC MOSFET芯片

這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現(xiàn)，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓，額定電流100A。

應用場景

該產(chǎn)品適用于高頻、高效率功率變換系統(tǒng)，具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點，典型應用場景如下：

高頻開關(guān)應用

高壓直流變換器（DC-DC）

直流充電樁

不間斷電源（UPS）

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關(guān)于瞻芯電子

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