近期市場消息指出,中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展,推動(dòng)了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本顯著下降,特別是SiC襯底、外延以及SiC模塊的價(jià)格降幅明顯。
今年以來,6英寸SiC襯底的價(jià)格持續(xù)下滑,跌幅已近30%。據(jù)行業(yè)人士透露,到2024年中期,6英寸SiC襯底的價(jià)格已跌破500美元大關(guān),逐漸逼近中國制造商的生產(chǎn)成本線。預(yù)計(jì)在今年第四季度,價(jià)格將進(jìn)一步下滑至450美元甚至400美元,這對(duì)多數(shù)制造商構(gòu)成了財(cái)務(wù)上的壓力。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件和應(yīng)用等環(huán)節(jié),其中襯底和外延工藝占據(jù)了整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的70%,襯底的成本比重更是高達(dá)50%。面對(duì)價(jià)格的大幅下滑,行業(yè)內(nèi)主要存在以下三點(diǎn)擔(dān)憂:一是全球SiC晶體生長及襯底材料新增產(chǎn)能的大幅提升可能引發(fā)短期內(nèi)的供過于求;二是電動(dòng)汽車市場的增長放緩可能對(duì)未來SiC材料的應(yīng)用可持續(xù)性產(chǎn)生質(zhì)疑;三是價(jià)格戰(zhàn)對(duì)SiC市場定價(jià)的沖擊以及企業(yè)的過渡和成長問題。
然而,對(duì)于上述擔(dān)憂,行業(yè)內(nèi)也進(jìn)行了深入的探討。在產(chǎn)能釋放方面,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2024年全球市場共新建了14座8英寸碳化硅廠房,短期內(nèi)僅有Wolfspeed的莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓,但從明年開始,將有更多廠家能夠供應(yīng)8英寸碳化硅晶圓。在中國,2023年啟動(dòng)了超過50個(gè)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目,總投資超過900億元;2024年,更有超過100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局,超過50個(gè)碳化硅項(xiàng)目取得了新進(jìn)展。
部分行業(yè)人士認(rèn)為,盡管碳化硅行業(yè)投資巨大,但在當(dāng)前低價(jià)環(huán)境下,能否繼續(xù)維持運(yùn)轉(zhuǎn)成為關(guān)鍵問題。他們預(yù)測,SiC襯底行業(yè)將迎來一波整合兼并潮,屆時(shí)碳化硅產(chǎn)業(yè)版圖將進(jìn)一步刷新。
在市場增量方面,雖然新能源汽車市場近期有疲軟趨勢,但多家碳化硅大廠和車企表示,碳化硅新能源車型持續(xù)增加,8英寸碳化硅或迎來新機(jī)遇。同時(shí),AI人工智能的浪潮也為第三代半導(dǎo)體帶來了新的市場增量。數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。多家公司表示,碳化硅的高功率密度和效率在數(shù)據(jù)中心電源中具有重要作用,能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
在價(jià)格競爭方面,盡管價(jià)格戰(zhàn)可能對(duì)廠商的利潤率造成壓力,但長期來看,這將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更高效、更具成本效益的方向發(fā)展,并有助于SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透和應(yīng)用。隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低,這可能成為SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
在國內(nèi)市場方面,一些中國一線供應(yīng)商已經(jīng)進(jìn)入了國際IDM廠商的功率器件供應(yīng)鏈,并在激烈的市場競爭中保持了穩(wěn)定的出貨量、價(jià)格和利潤。隨著技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模效應(yīng),SiC基板價(jià)格將繼續(xù)下降,從而降低成本并擴(kuò)大下游應(yīng)用。中國廠商在全球SiC產(chǎn)業(yè)的競爭格局中有望占據(jù)較強(qiáng)優(yōu)勢,并逐步將市場重心轉(zhuǎn)向中國。
-
新能源汽車
+關(guān)注
關(guān)注
141文章
11395瀏覽量
105285 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3726瀏覽量
69443 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3469瀏覽量
52373
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)的演進(jìn)與變革:從起源到碳化硅(SiC)賦能
高壓靜電除塵電源拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與碳化硅SiC模塊應(yīng)用的技術(shù)變革
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告
傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破
傾佳先進(jìn)等離子體電源系統(tǒng):市場動(dòng)態(tài)、拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅器件的變革性影響
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場迎來新變革
評(píng)論