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中低壓MOS管在雙向型逆變器上的應(yīng)用

深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體有限公司 ? 來(lái)源:深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體有限公 ? 作者:深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體 ? 2024-10-24 10:38 ? 次閱讀
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一、前言:

逆變器就是一種將低壓(12或24伏或48伏)直流電(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變?yōu)?20伏交流電的電子設(shè)備。由于我們通常是將220伏交流電整流變成直流電來(lái)運(yùn)用,而逆變器的作用與此相反,因此而得名。

電力電子領(lǐng)域,逆變器作為將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電、電動(dòng)汽車、不間斷電源(UPS)、儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域。逆變器的前級(jí)推挽輸出結(jié)構(gòu),因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高而備受青睞。其中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為重要的功率開(kāi)關(guān)元件。

二、中低壓MOS管在逆變器上的工作原理

由于MOS管具有開(kāi)關(guān)控制特性,在逆變器前級(jí)所使用的中低壓MOS管是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)電流的通斷,從而實(shí)現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換。

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中低壓MOS管,作為一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其工作原理基于電場(chǎng)控制電流的概念。當(dāng)柵極電壓(VGS)為正時(shí),會(huì)在柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中產(chǎn)生電場(chǎng),吸引電子在漏極和源極之間形成導(dǎo)電溝道,從而允許電流通過(guò)。通過(guò)調(diào)整柵極電壓的大小,可以控制導(dǎo)電溝道的寬度,進(jìn)而控制流過(guò)的電流大小。這種控制方式使得MOS管非常適合用于需要精細(xì)電流控制的場(chǎng)合,如逆變器中。

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在雙向型逆變器中,MOS管通過(guò)控制電路的控制,實(shí)現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換。

這一過(guò)程包括幾個(gè)關(guān)鍵步驟:首先,通過(guò)全橋電路將低壓直流電升壓整流為高壓直流電,接著,通過(guò)SPWM將高壓直流電調(diào)制成正弦交流電。這個(gè)過(guò)程依賴于逆變電路、濾波電路以及控制電路的協(xié)同工作。

具體到中低壓MOS管在雙向型逆變器中的應(yīng)用,它們主要位于逆變前級(jí),通過(guò)控制MOS管的通斷,實(shí)現(xiàn)從直流到交流的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換對(duì)于家庭和工業(yè)用電設(shè)備來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,因?yàn)樗试S使用直流電源來(lái)驅(qū)動(dòng)需要交流電源的設(shè)備。

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在儲(chǔ)能逆變中,中低壓MOS管用在逆變前級(jí),MOS選型一般為電池電壓的三倍以上,目前輸出功率1-3KW的已普遍采用100V,TOLL封裝的MOS。

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三、雙向型逆變器上MOS管該如何選型?

在雙向型逆變器上選擇MOS管時(shí),需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,以確保逆變器的性能、效率和可靠性。以下是一些關(guān)鍵的選型步驟和考慮因素:

1?、確定N溝道或P溝道?:根據(jù)電路設(shè)計(jì)的需求,選擇N溝道或P溝道MOS管。在雙向型逆變器中,這取決于具體的電路設(shè)計(jì)的需求。

?2、額定電壓?:確定MOS管的最大工作電壓(VDS),這個(gè)值應(yīng)大于電路中的實(shí)際最高電壓,并留有足夠的電壓余量以確保安全。額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,一般會(huì)留出1.2~1.5倍的電壓余量,以提供足夠的保護(hù),防止MOS管失效。

3?、電流能力?:根據(jù)電路中的最大預(yù)期電流選擇MOS管。額定電流應(yīng)是負(fù)載在滿載情況下都能承受的最大電流。同時(shí),還需要考慮脈沖尖峰電流,確保MOS管能夠承受這些條件下短時(shí)的尖峰電流。

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4、導(dǎo)通電阻(RDS(on))?:選擇低RDS(on)的MOS管可以降低功率損耗并提高效率。

5. ?開(kāi)關(guān)性能?:考慮MOS管的開(kāi)關(guān)速度和相關(guān)的電容值,這對(duì)于高頻應(yīng)用尤為重要。需要選擇具有快速開(kāi)關(guān)特性的MOS管,以及考慮柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容,這些電容會(huì)影響MOS管的開(kāi)關(guān)速度和效率。所以低Ciss參數(shù)的MOS更適合在逆變器上使用。

6. ?封裝與散熱?:根據(jù)電路板空間、散熱需求和生產(chǎn)工藝選擇合適的封裝類型。封裝尺寸和熱性能會(huì)影響MOS管的安裝和散熱效果。同時(shí),需要分析系統(tǒng)的散熱需求,選擇能夠在這些條件下正常工作的MOS管。TOLL封裝具有更好的散熱性能、便利的貼裝效果以及能適應(yīng)更薄的結(jié)構(gòu)性能要求而開(kāi)始被各大廠家所使用。

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7、溫度范圍?:確保所選MOS管的工作溫度范圍符合系統(tǒng)的工作環(huán)境要求。

8、?特殊應(yīng)用考慮?:對(duì)于低壓應(yīng)用(如使用5V或3V電源的場(chǎng)合),需要特別注意MOS管的開(kāi)啟電壓是否符合要求。寬電壓應(yīng)用可能需要內(nèi)置穩(wěn)壓管的MOS管來(lái)限制gate電壓的幅值。

9、?可靠性與質(zhì)量?:考慮制造商的聲譽(yù)、器件的質(zhì)量保證和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。對(duì)于高可靠性應(yīng)用,可能需要選擇車規(guī)級(jí)或其他特定標(biāo)準(zhǔn)的MOS管。

10、成本與供貨?:在滿足性能要求的前提下,考慮MOS管的成本以及供應(yīng)商的交貨期和供應(yīng)穩(wěn)定性。

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通過(guò)上述步驟的綜合考慮,可以選擇適合雙向型逆變器應(yīng)用的MOS管,確保逆變器的性能、效率和可靠性滿足設(shè)計(jì)要求。

四?、思開(kāi)半導(dǎo)體MOS在雙向型逆變器應(yīng)用上的選型推薦:

思開(kāi)半導(dǎo)體針對(duì)逆變器上的這些應(yīng)用要求,開(kāi)發(fā)出了具有低Rds-on且同時(shí)低Ciss參數(shù)的TOLL封裝SGT MOS產(chǎn)品(SS019N10LS,100V,305A,1.4?mΩ),已被多家客戶采用。性能穩(wěn)定,深受客戶一致好評(píng)。

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相信思開(kāi)半導(dǎo)體在往后能開(kāi)發(fā)出更多具有極低導(dǎo)通電阻,低損耗,高雪崩耐量,高效率的、穩(wěn)定高、性能可靠的、能覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景的產(chǎn)品系列。

wKgaomcZsx-ALwBJAAOmFyhRuM8495.jpg 審核編輯 黃宇


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