日前，經(jīng)過提名和票選，瑞能半導體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導體產(chǎn)品大獎”。

關于EE Awards Asia

EE Awards Asia 亞洲金選獎深受工程師的信賴，獲獎者由ASPENCORE全球資深編輯組成的評審委員會以及來自亞洲的網(wǎng)站用戶群共同評選產(chǎn)生。在專業(yè)技術媒體及科技人士的共同見證下，其評選的年度推薦榜單已經(jīng)成為最佳設計解決方案的指南。

瑞能半導體頂部散熱產(chǎn)品系列

瑞能半導體推出一系列頂部散熱型表面貼裝碳化硅器件，封裝包括TSPAK和TOLT，產(chǎn)品覆蓋SiC肖特基二極管與MOSFET，構成完整的產(chǎn)品陣容。

主要優(yōu)勢：

相較于傳統(tǒng)底部散熱型表貼功率器件，頂部散熱封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潛力。基于頂部散熱的封裝設計，可以使功率器件熱量直接向散熱器傳遞，不必經(jīng)過PCB的熱過孔，顯著降低結到散熱器熱阻約17%~19%，幫助提升電路性能或減小功率器件選型降低成本。

同時，PCB設計可以采用更靈活的電流路徑規(guī)劃，取消熱過孔或PCB散熱覆銅面積后，可以獲得最小的電流環(huán)路面積和極低的線路寄生感抗，使開關損耗和EMI輻射水平也降到最低，縮短產(chǎn)品EMC調(diào)試時間和成本。

采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247等傳統(tǒng)直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

瑞能提供豐富的頂部散熱產(chǎn)品選擇和組合模式，工規(guī)與車規(guī)產(chǎn)品均有規(guī)劃?？梢詰糜贠BC，充電樁模塊，服務器電源，光伏逆變器等各種功率變換設備，幫助產(chǎn)品設計提高功率密度，并減少系統(tǒng)尺寸、重量和成本。

產(chǎn)品規(guī)格：

TOLT封裝提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。

TSPAK產(chǎn)品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。