概述：

MS8816/MS8816P 采用先進(jìn)的制造工藝，功耗低，可靠性高，隔離度好。該

電路包含 8×16 個(gè)模擬開(kāi)關(guān)陣列，7 到 128 個(gè)地址譯碼和鎖存電路。通過(guò)不同的

地址信號(hào)，可以對(duì) 128 個(gè)開(kāi)關(guān)尋址。DATA 端口輸入邏輯電平“1”或“0”，可對(duì)

模擬開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉。模擬信號(hào)范圍從 VDD 到 VEE。還可以通過(guò)芯片 CS，允許對(duì)

芯片開(kāi)關(guān)陣列擴(kuò)展。

芯片特性：

■ 內(nèi)含控制鎖存器，地址譯碼

■ 很短的建立時(shí)間和保持時(shí)間

■ 寬電壓范圍：4.5V～13.2V

■ 12Vpp 模擬信號(hào)

■ Ron 最大 65Ω@VDD=12V,25℃

■ ⊿Ron≤10Ω@VDD=12V,25℃

■ 低失真，全 CMOS 開(kāi)關(guān)

■ 小的饋通和串?dāng)_

■ 獨(dú)立的模擬數(shù)字參考電壓源

芯片應(yīng)用：

■ 按鍵系統(tǒng)

■ PBX 系統(tǒng)

■ 模擬/數(shù)字多路開(kāi)關(guān)

■ 音頻/視頻開(kāi)關(guān)

■ 移動(dòng)設(shè)備

■ 測(cè)試設(shè)備

芯片系統(tǒng)框圖：

封裝信息：

管腳描述：

功能描述：

MS8816/MS8816P是一個(gè)8×16模擬開(kāi)關(guān)矩陣電路。開(kāi)關(guān)矩陣是Y方向8列，X方

向16行。當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)陣列相應(yīng)X行和Y行之間實(shí)現(xiàn)絕對(duì)的隔離；當(dāng)開(kāi)

關(guān)接通時(shí)，X行和Y行之間相連。

控制寄存器由一個(gè)128位可寫(xiě)RAM組成，其位數(shù)可通過(guò)地址輸入線

（AX0-AX3,AY0-AY2）來(lái)選擇。數(shù)據(jù)由DATA端口寫(xiě)入到存儲(chǔ)器。當(dāng)STROBE和CS輸

入為高電平時(shí)，不同的數(shù)據(jù)可以寫(xiě)入DATA端口，在STROBE下降沿，數(shù)據(jù)被鎖存，

為確保有效寫(xiě)入，在下降沿前數(shù)據(jù)端口必須保持穩(wěn)定。當(dāng)邏輯“1”寫(xiě)入存儲(chǔ)單

元時(shí)，就把相應(yīng)的交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；當(dāng)邏輯“0”寫(xiě)入存儲(chǔ)單元時(shí)，就把相應(yīng)的

交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。當(dāng)數(shù)據(jù)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器，被尋址的存儲(chǔ)器位置的交叉點(diǎn)的狀態(tài)改

變。其余的的開(kāi)關(guān)保持原先的狀態(tài)。在控制器寫(xiě)入不同的數(shù)據(jù)，可以得到X和Y

不同組合。當(dāng)RESET輸入邏輯“1”，CS不管任何狀態(tài)，關(guān)閉所有開(kāi)關(guān)，存儲(chǔ)器的

數(shù)據(jù)清零。兩個(gè)電壓參考腳（VSS和VEE）可以提供MS8816/MS8816P負(fù)的模擬信號(hào)。

數(shù)字信號(hào)電壓范圍從VDD到VSS，模擬信號(hào)的電壓范圍從VDD到VEE。如果只有一個(gè)

電源時(shí)，可以把VSS和VEE接到一起。

地址譯碼：

在STROBE和CS使能信號(hào)的控制下，7根地址線輸入到7-128地址譯碼器。DATA經(jīng)過(guò)

緩沖以后作為所有儲(chǔ)存器的輸入。當(dāng)RESET低電平同時(shí)CS高電平下，數(shù)據(jù)和地址

才可以寫(xiě)入鎖存器，數(shù)據(jù)在STROBE下降沿鎖存。只有當(dāng)STROBE高電平的時(shí)候，數(shù)

據(jù)才可以寫(xiě)入，開(kāi)關(guān)可以打開(kāi)和關(guān)閉。為保證數(shù)據(jù)有效寫(xiě)入，STROBE下降沿之前

應(yīng)保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定。

極限參數(shù)

（長(zhǎng)時(shí)間工作在極限狀態(tài)下，會(huì)影響電路使用壽命）

推薦條件

直流參數(shù) (VEE=VSS=0V，VDD＝12V)

直流參數(shù)－導(dǎo)通電阻

交流參數(shù)－交叉點(diǎn)性能

（VEE=-7V，VDD=5V，VSS=0V）

交流參數(shù)－時(shí)序控制

（VEE=-7V，VDD=5V，VSS=0V）

地址譯碼真值表

封裝信息：

PLCC44

LQFP44:

——愛(ài)研究芯片的小王

審核編輯 黃宇