傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

產(chǎn)品線與技術優(yōu)勢

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B2M SiC MOSFET：基于6英寸晶圓平臺，具備高可靠性（車規(guī)級AEC-Q101認證）、低導通電阻（比一代降低40%）、低開關損耗（總損耗降低30%），適用于光伏、新能源汽車、充電樁等領域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B3M SiC MOSFET：BASiC基本股份第三代技術，比導通電阻進一步降低20%，芯片面積縮小30%，F(xiàn)OM優(yōu)化5%，支持高頻應用，覆蓋車規(guī)級模塊和工業(yè)場景。

工業(yè)模塊系列：如Pcore?系列、低損耗、支持高溫焊料和Press-Fit工藝，應用于光伏逆變器、APF、儲能PCS、高頻DCDC等高端領域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)低邊驅動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅動或在變壓器隔離驅動中用于驅動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅動芯片副邊電源供電。

對于驅動正負壓供電的需求，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供自研電源IC BTP1521F系列和配套的變壓器以及驅動IC BTL27524或者隔離驅動BTD5350系列。

性能對標國際品牌

在高溫條件下（如175℃），BASiC基本股份B2M的導通電阻（RDS(on)）表現(xiàn)優(yōu)于部分國際品牌，且擊穿電壓（BV）裕量更高。

動態(tài)參數(shù)（如開關損耗、體二極管續(xù)流性能）接近或部分超越國際競品，驅動電壓建議為+18V以優(yōu)化性能。

可靠性驗證

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET通過HTRB、HTGB、HV-H3TRB等嚴苛測試（1000小時以上），柵氧TDDB測試顯示壽命預測超萬年，滿足車規(guī)級和工業(yè)級長期穩(wěn)定性需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET加嚴測試（2500小時）進一步驗證產(chǎn)品在極端條件下的可靠性。

應用領域全覆蓋

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊覆蓋光伏、新能源汽車（OBC、高壓DCDC、主驅動）、充電樁、工業(yè)電焊機、儲能變流器（PCS）、測試電源等核心市場，提供從分立器件到模塊的完整解決方案。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在碳化硅功率半導體國產(chǎn)化中的作用

技術自主化突破

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過自主研發(fā)的平面槽和溝槽柵技術，打破國際廠商在SiC MOSFET領域的技術壟斷，縮小與國際一流產(chǎn)品的性能差距。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)6英寸晶圓平臺和自研第三代芯片技術的應用，推動國產(chǎn)SiC器件從“可用”向“好用”升級。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與國產(chǎn)替代

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供車規(guī)級認證產(chǎn)品（如AB2M系列），助力新能源汽車關鍵部件（如OBC、電驅系統(tǒng)）實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，降低對進口器件的依賴。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在光伏、儲能等新能源領域，高可靠、低損耗的SiC模塊幫助國內企業(yè)提升系統(tǒng)效率，增強全球競爭力。

標準制定與行業(yè)引領

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過公開對標數(shù)據(jù)（如與國際品牌的性能對比），樹立國產(chǎn)SiC器件的技術標桿，推動行業(yè)技術標準升級。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)完善的可靠性測試體系（如AEC-Q101、MIL-STD）為國產(chǎn)功率半導體樹立質量標桿，提升市場信任度。

市場拓展與生態(tài)建設

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對不同應用場景提供定制化解決方案，加速SiC技術在國內工業(yè)市場的普及。

與電力電子終端企業(yè)深度合作（如定制開發(fā)驅動板、熱仿真服務），構建國產(chǎn)SiC生態(tài)鏈，推動全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

結論：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過技術迭代、可靠性驗證和全場景覆蓋，成為國產(chǎn)SiC功率器件領域的領軍企業(yè)，不僅填補了國內高端功率半導體的空白，更在新能源、汽車電子等戰(zhàn)略領域助力中國實現(xiàn)“雙碳”目標與產(chǎn)業(yè)升級。

審核編輯 黃宇