三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線
近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)還將進一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。
報道指出，為了實現(xiàn)這一目標，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅實的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級順利進行。
據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標是在年底前建成一條晶圓吞吐量達到每月2000至5000片的第九代V-NAND產(chǎn)線。這一產(chǎn)能的提升，不僅將滿足市場對高性能NAND閃存芯片日益增長的需求，也將進一步鞏固三星在全球NAND閃存市場的領(lǐng)先地位。
此次產(chǎn)線建設(shè)是三星在NAND閃存領(lǐng)域持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張的重要體現(xiàn)。隨著第九代V-NAND產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，三星將能夠為客戶提供更加先進、可靠的存儲解決方案，推動全球存儲市場的持續(xù)發(fā)展。
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