91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2025-02-18 10:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展標志著ROHM在高性能功率半導體領域取得了又一重大突破。

TOLL封裝以其緊湊的體積、卓越的散熱性能以及出色的電流容量和開關特性而備受矚目。這些優(yōu)勢使得TOLL封裝在工業(yè)設備、車載設備以及大功率應用領域具有廣泛的應用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT,為市場提供了更為高效、可靠的功率解決方案。

值得一提的是,ROHM此次將封裝工序外包給了在半導體后道工序領域擁有豐富經(jīng)驗的日月新半導體(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下簡稱“ATX”)。ATX作為OSAT領域的佼佼者,為ROHM提供了高質(zhì)量的封裝服務,確保了“GNP2070TD-Z”的順利量產(chǎn)。

此次量產(chǎn)不僅進一步鞏固了ROHM在高性能功率半導體領域的領先地位,也為全球客戶提供了更為先進、可靠的功率解決方案。ROHM將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新,推動半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30725

    瀏覽量

    264030
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    9248

    瀏覽量

    148610
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82213
  • Rohm
    +關注

    關注

    8

    文章

    415

    瀏覽量

    67875
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用 在當今的電子領域,氮化鎵(GaN)技術憑借其卓越的性能正逐漸成為功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。TI推出
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?530次閱讀

    探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應用潛力

    探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應用潛力 在當今的電子世界中,高效、緊湊的電源解決方案需求日益增長。氮化鎵(GaN)技術的出現(xiàn),為電源設計帶來了新的突破。今天,我們將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?517次閱讀

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能 在開關模式電源應用的領域中,LMG3614這款650V 170mΩ GaN功率FET憑借其集成化設計和豐富功
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?478次閱讀

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應用

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應用 在當今的電子世界中,電源轉(zhuǎn)換技術不斷發(fā)展,對高性能、高效率的功率器件的需求也日益增長。德州儀器(TI)的LMG352xR030系列
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:10 ?491次閱讀

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用 在電源轉(zhuǎn)換領域,氮化鎵(GaN)技術憑借其卓越的性能正逐漸嶄露頭角。本文將詳細介紹德州儀器(TI)的LMG2656,一款集成
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?491次閱讀

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力

    : lmg3650r070.pdf 一、產(chǎn)品特性亮點 1. 強大的性能參數(shù) 集成驅(qū)動與高耐壓 :LMG365xR070集成了柵極驅(qū)動器,搭配650V 70mΩ的GaN功率FE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?491次閱讀

    650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評估板

    云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(MonolithicBi-DirectionalSwitch
    的頭像 發(fā)表于 02-05 17:38 ?239次閱讀
    <b class='flag-5'>650V</b> 雙向E-mode <b class='flag-5'>GaN</b>(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評估板

    TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選

    TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設計水平的關鍵。今天,我們就來深入
    的頭像 發(fā)表于 12-29 14:45 ?361次閱讀

    探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設計要點

    650 V SuperGaN? FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的氮化鎵(GaN)FET,采用了Transphorm的Gen IV平臺,
    的頭像 發(fā)表于 12-29 10:05 ?241次閱讀

    快充國產(chǎn)替代新突破!爭妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN650D02

    在消費電子快充領域,300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求,成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件,長期被英諾賽科INN650
    的頭像 發(fā)表于 12-23 14:50 ?2204次閱讀
    快充國產(chǎn)替代新突破!爭妍微<b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN<b class='flag-5'>650</b>D02

    Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊

    Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化
    的頭像 發(fā)表于 07-04 15:50 ?792次閱讀
    Texas Instruments LMG3614 <b class='flag-5'>650V</b> 170m? <b class='flag-5'>GaN</b>功率FET數(shù)據(jù)手冊

    BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝,
    的頭像 發(fā)表于 03-09 17:37 ?838次閱讀
    BM3G015MUV-LB <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    該產(chǎn)品是工業(yè)設備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器集成
    的頭像 發(fā)表于 03-09 16:38 ?885次閱讀
    BM3G115MUV-LB <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:45 ?827次閱讀
    GNP1150TCA-Z <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?1021次閱讀
    GNP1070TC-Z <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊