LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG342xR0x0 半橋板(如 LMG3422EVM-043)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路,該評估模塊 (EVM) 允許快速測量氮化鎵 (GaN) 器件的開關。此 EVM 能夠提供高達 12A 的輸出電流,并具有適當?shù)臒峁芾恚◤娭仆L、低頻運行等),以確保不超過最高工作溫度。此 EVM 是開環(huán)板,因此不適合瞬態(tài)測量。
*附件:LMG342x 評估模塊LMG342X-BB-EVM.pdf
只需要一個脈寬調(diào)制輸入,并在板上生成互補脈寬調(diào)制信號和相應的死區(qū)時間。提供探測點,以便使用具有短接地彈簧的示波器探頭測量關鍵邏輯和功率級波形。
特征
- 輸入電壓工作電壓高達 650V
- 簡單的開環(huán)設計,用于評估 LMG342XR0XX、LMG352XR0XX 的性能
- 板載單或雙 PWM 輸入,用于具有可變死區(qū)時間的 PWM 信號
- 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進行邏輯和功率級測量的便捷探測點

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
降壓轉(zhuǎn)換器
+關注
關注
7文章
2128瀏覽量
88906 -
氮化鎵
+關注
關注
67文章
1893瀏覽量
119793 -
GaN
+關注
關注
21文章
2367瀏覽量
82492 -
輸出電流
+關注
關注
0文章
818瀏覽量
18014
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
使用LMG3411R070EVM半橋和LMG34XXBB-EVM分線板EVM
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3411R070EVM半橋和LMG34XXBB-EVM分線板EVM.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 01-03 16:39
?0次下載
LMG2100評估模塊LMG2100EVM-078概述
LMG2100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易用的功率級,可配置為使用半橋設計的降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他轉(zhuǎn)換器拓撲。此 EVM 具
LMG3422EVM-043評估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述
LMG342XEVM-04X具有兩個LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅(qū)動器和保護功能,并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本的功率級和柵極驅(qū)動
LMG2640子卡評估模塊LMG2640EVM-090介紹
/升壓母板 (LMG342X-BB-EVM) 最容易地評估 LMG2640EVM 的性能。子卡可輕松插入主板,并在開環(huán)配置中連接所有電源和數(shù)字控制,以實現(xiàn)完整的系統(tǒng)控制。此外,還提供了推薦的封裝,用于將子卡與自定義系統(tǒng)連接起來,
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓撲。該
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,這使得低側(cè)參考信號能夠控制兩個場效應晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容,采用
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級評估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路,該 EVM
Texas Instruments LMG342X-BB-EVM 評估模塊(EVM)數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG342X-BB-EVM評估模塊(EVM)是一款易于使用的分線板,可將任意LMG342xR0x0半橋
基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設計與應用
Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護功能和所有必要的輔助外設電路。該評估模塊
突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術解析與應用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
基于LMG342XEVM-04X半橋子卡的GaN功率器件設計與應用
TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板將兩個LMG342xR0x0 GaN FET配置在一個半橋中,具有鎖存過流保護功能和所有必要的輔助外圍電路。Texas Instruments LMG342xEVM-
?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG3410-HB-EVM)配置為同步降
深度解析LMG342xR050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用
深度解析LMG342xR050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用 在當今的電源轉(zhuǎn)換領域,GaN(氮化鎵)技術正憑借其卓越的性能逐漸嶄露頭角。LMG342xR050系列產(chǎn)品,包括
探索LMG342xR030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用指南
探索LMG342xR030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應用指南 在當今的電子設計領域,電源轉(zhuǎn)換技術不斷發(fā)展,更高的功率密度和效率成為了追求的目標。德州儀器(TI
LMG342x 評估模塊LMG342X-BB-EVM概述
評論