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技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)

科技綠洲 ? 2025-02-21 17:46 ? 次閱讀
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LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率,可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R030包括零電壓檢測(cè) (ZVD) 功能,當(dāng)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí),該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。LMG3427R030 包括零電流檢測(cè) (ZCD) 功能,當(dāng)檢測(cè)到正漏源電流時(shí),該功能從 ZCD 引腳提供脈沖輸出。

*附件:LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè).pdf

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報(bào)告,從而簡(jiǎn)化了器件負(fù)載管理。報(bào)告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

  • 符合 JEDEC JEP180 硬開關(guān)拓?fù)涞囊?/li>
  • 600V 硅基氮化鎵 FET,帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 抑制
    • 2.2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和 EMI 抑制
    • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 逐周期過流和鎖存短路保護(hù),具有 < 100ns 響應(yīng)
    • 在硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
    • 針對(duì)內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
  • 高級(jí)電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R030 包括零電壓檢測(cè) (ZVD) 功能,便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
    • LMG3427R030 包括零電流檢測(cè) (ZCD) 功能,有助于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

應(yīng)用
?開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
?商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
?商業(yè)電信整流器
?太陽能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
?不間斷電源

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  • 電源轉(zhuǎn)換器
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  • 集成驅(qū)動(dòng)器

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    600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表

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    <b class='flag-5'>600V</b> <b class='flag-5'>30m</b>?具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、<b class='flag-5'>保護(hù)</b>和溫度報(bào)告功能的<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b> <b class='flag-5'>LMG342xR030</b>數(shù)據(jù)表

    600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

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    <b class='flag-5'>600V</b> 50<b class='flag-5'>m</b>?具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、<b class='flag-5'>保護(hù)</b>和溫度報(bào)告功能的<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b> <b class='flag-5'>LMG</b>342xR050數(shù)據(jù)表

    650V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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    650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>30m</b>?具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、<b class='flag-5'>保護(hù)</b>和溫度報(bào)告功能的<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b> <b class='flag-5'>LMG3526R030</b>數(shù)據(jù)表

    具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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    具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、<b class='flag-5'>保護(hù)</b>和溫度報(bào)告功能的<b class='flag-5'>LMG3522R030</b>-Q1 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>30m</b>? <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b>數(shù)據(jù)表

    具有集成驅(qū)動(dòng)器保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表

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    具有<b class='flag-5'>集成</b>式<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>和<b class='flag-5'>保護(hù)</b>功能<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b> <b class='flag-5'>LMG3522R030</b>數(shù)據(jù)表

    LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的
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