憑借在隔離領域近10年的深耕細作，納芯微今日宣布推出基于電容隔離技術的第三代車規(guī)級數字隔離器NSI83xx系列，相比前代NSI82xx系列，新器件重點優(yōu)化了EMI(抗電磁干擾)、EOS(過電應力)性能，并通過電路設計、封裝測試等方面的全面優(yōu)化，大幅降低了器件成本。

作為納芯微“隔離+”產品的又一力作，NSI83xx系列的首發(fā)型號涵蓋1-4通道的數字隔離器，可為系統工程師在新能源汽車車載充電機(OBC)、電池管理系統(BMS)、主驅逆變器、熱管理PTC等系統中提供高性價比的器件選擇。

納芯微第三代數字隔離器NSI83xx系列的推出，是其近10年來在隔離技術領域持續(xù)研發(fā)和投入的成果體現，該系列基于納芯微領先的電容隔離技術打造，在隔離耐壓方面，NSI83xx系列可實現大于10kVrms的隔離耐壓(1分鐘)，滿足增強絕緣要求，同時能夠承受大于12kV的浪涌電壓。在1ppm失效率、大于1500Vrms的長期工作電壓情況下，NSI83xx系列的電容隔離層壽命大于30年，充分滿足高壓系統對長期可靠性的嚴苛需求，為高壓系統提供安心之選。

EMI大幅優(yōu)化，全頻段通過CISPR 25 Class 5測試

隨著汽車電驅電壓和系統功率密度的提升，越來越多的元器件被集成在車內有限的布板空間內，讓原本就棘手的EMI問題更加復雜，成為影響系統穩(wěn)定性和可靠性的關鍵挑戰(zhàn)。

NSI83xx系列采用了納芯微專有的EMI優(yōu)化電路設計，在嚴苛的CISPR 25 Class 5測試中，該系列RE指標可在全頻段范圍內保持大于10dB的裕度，在全面滿足汽車級應用對于EMI嚴格要求的同時，讓系統工程師在設計過程中顯著減少了電磁干擾帶來的困擾，為系統在復雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運行保駕護航。

業(yè)內領先的EOS和CMTI性能，全面守護系統可靠性

除了優(yōu)化的EMI性能外，納芯微第三代數字隔離器在EOS(過電應力)和CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)方面同樣表現出色。相較于第二代產品，NSI83xx系列的EOS性能提升了約10%，達到大于10V的水平，使得器件在面對電源過應力時具有更高的可靠性，能夠有效避免因電源異常波動而導致的器件損壞，提升系統可靠性，延長系統的使用壽命。

此外，在新能源汽車三電系統中，SiC功率器件正在加速普及。SiC 功率器件相比傳統的硅基功率器件，具有更高的開關頻率、更低的導通電阻和更高的耐壓能力，系統中的電壓和電流變化速度更快，產生的共模瞬態(tài)干擾(CMT)強度和頻率也顯著增加，這就要求數字隔離器具備更高的 CMTI 性能，以保證在這種強干擾環(huán)境下，信號傳輸的準確性和穩(wěn)定性，避免誤導通和信號失真。

NSI83xx系列的CMTI典型值達到200kV/μs，處于業(yè)內領先水平。高CMTI性能使得隔離器在高壓系統中能夠有效抵抗共模瞬態(tài)干擾，確保信號傳輸的準確性和穩(wěn)定性。同時，NSI83xx系列在電源噪聲抗擾性方面也表現優(yōu)異，在1k-30MHz的噪聲擾動下，芯片依然能夠保持正常輸出且不誤碼，進一步提升了系統在復雜工作環(huán)境下的可靠性。無論是在新能源汽車的電池管理系統，還是主驅逆變器中，這些卓越的性能都能確保系統穩(wěn)定運行，降低故障風險。

封裝和選型

滿足AEC-Q100要求的車規(guī)級NSI83xx系列預計將于2025年8月量產，可提供1-4通道版本，支持SOP8，SOW8，SOW16和超寬體SOWW16等封裝，其中超寬體SOWW16封裝爬電距離大于8mm，滿足特定應用的安規(guī)要求。NSI83xx系列的通訊速率為100Mbps。

豐富的隔離及“隔離+”產品，滿足多元需求

憑借在隔離技術方面的積累和領先優(yōu)勢，納芯微提供涵蓋數字隔離器、隔離采樣、隔離接口、隔離電源、隔離驅動等一系列隔離及“隔離+”產品。納芯微全面的隔離及“隔離+”產品布局可滿足各種類型客戶多樣化的系統設計需要，為不同客戶提供一站式的芯片解決方案。

審核編輯 黃宇