91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-04-30 17:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)?、光?a href="http://www.makelele.cn/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器等)中,米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設(shè)計(jì)要素。通過主動(dòng)抑制米勒效應(yīng),可顯著降低誤開通風(fēng)險(xiǎn),為高頻、高壓應(yīng)用提供關(guān)鍵保障。

wKgZO2gR5xSAelHXAAb-0O7_Vdg112.png

wKgZPGgR5xSAESvOAAR9-ReaFJw855.png

wKgZO2gR5xWAFLe3AAhiC9NqJn8803.png

wKgZPGgR5xWACo-lAA_wmUUlNvs629.png

wKgZO2gR5xWADoegAA9hzF9TqHY719.png

wKgZPGgR5xaAUdf3AA_WCCiTKCA455.png

wKgZO2gR5xaAXxqkAAiz3BVIGIo236.png

wKgZPGgR5xeABvSfAAiABy6GnGI734.png

wKgZO2gR5xeASXLkAAUhMGqthTY184.png

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

wKgZO2gR5xiAKa9DAA8ACRSjwhQ501.png

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

1. 抑制米勒效應(yīng)引起的誤開通

米勒效應(yīng)原理:當(dāng)橋式電路的上管快速開通時(shí),橋臂中點(diǎn)電壓的快速變化(高dv/dt)會(huì)通過下管的柵漏寄生電容(Cgd)產(chǎn)生米勒電流(Igd=Cgd?dtdv)。該電流流經(jīng)下管的柵極電阻(Rgoff),導(dǎo)致下管柵極電壓被抬高,可能超過閾值電壓(VGS(th)),引發(fā)誤開通(直通現(xiàn)象)。

SiC MOSFET的脆弱性:

SiC MOSFET的閾值電壓較低(1.8~2.7V),且隨溫度升高進(jìn)一步下降,更容易因米勒電流誤開通。

SiC器件的開關(guān)速度極快(dv/dt可達(dá)50kV/μs以上),進(jìn)一步加劇米勒效應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。

2. 米勒鉗位功能的作用

主動(dòng)鉗位門極電壓:米勒鉗位通過低阻抗路徑(如驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部的MOSFET)將門極電荷快速泄放至負(fù)電源軌,抑制柵極電壓的抬升(例如將VGS從7.3V降至2V)。

增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性:避免上下管直通短路,降低熱失控和器件損壞風(fēng)險(xiǎn)。

3. 與傳統(tǒng)IGBT的對(duì)比

IGBT:驅(qū)動(dòng)負(fù)壓容忍度更高(-8~-15V),閾值電壓較高(約5.5V),通常無需米勒鉗位。

SiC MOSFET:驅(qū)動(dòng)負(fù)壓受限(-4V~-8V),閾值電壓低且對(duì)溫度敏感,必須依賴米勒鉗位抑制誤開通。

4. 實(shí)測(cè)驗(yàn)證

在雙脈沖測(cè)試中,開啟米勒鉗位功能后,下管柵極電壓波動(dòng)顯著降低(從7.3V降至2V),有效避免誤開通(詳見第55-56頁測(cè)試數(shù)據(jù))。

5. 系統(tǒng)優(yōu)化意義

提升效率:減少開關(guān)損耗和直通損耗,優(yōu)化整機(jī)效率。

支持高頻應(yīng)用:通過抑制米勒效應(yīng),充分發(fā)揮SiC MOSFET的高頻優(yōu)勢(shì)。

碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯片,可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片,絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V,驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A,可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流,反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器,適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F,該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過溫保護(hù)功能,輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定,最高工作頻率可達(dá)1.5MHz,非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求,BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)?、光伏逆變器等)中,米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設(shè)計(jì)要素。通過主動(dòng)抑制米勒效應(yīng),可顯著降低誤開通風(fēng)險(xiǎn),為高頻、高壓應(yīng)用提供關(guān)鍵保障。


審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9708

    瀏覽量

    233909
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3755

    瀏覽量

    69583
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3489

    瀏覽量

    52456
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南

    基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)碳化硅SiCMOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)(包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ),這兩款器件均
    的頭像 發(fā)表于 02-26 09:46 ?288次閱讀
    QDPAK封裝<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>安裝指南

    碳化硅 (All-SiC) 有源中點(diǎn) (ANPC) 拓?fù)浣鉀Q方案研究報(bào)告

    碳化硅 (All-SiC) 有源中點(diǎn) (ANPC) 拓?fù)浣鉀Q方案研究報(bào)告:設(shè)計(jì)、性能分析與系統(tǒng)集成 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Chang
    的頭像 發(fā)表于 01-28 11:29 ?238次閱讀
    全<b class='flag-5'>碳化硅</b> (All-<b class='flag-5'>SiC</b>) 有源中點(diǎn)<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b> (ANPC) 拓?fù)浣鉀Q方案研究報(bào)告

    SiC碳化硅MOSFET體二極管在電路的恢復(fù)特性對(duì)開關(guān)電壓應(yīng)力的影響

    SiC碳化硅MOSFET體二極管在電路的恢復(fù)特
    的頭像 發(fā)表于 01-27 10:50 ?285次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>體二極管在<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>電路</b><b class='flag-5'>中</b>的恢復(fù)特性對(duì)開關(guān)電壓應(yīng)力的影響

    碳化硅 (SiC) MOSFET 電路同步整流控制機(jī)制與互補(bǔ)發(fā)波策略研究報(bào)告

    碳化硅 (SiC) MOSFET 電路同步整流控制機(jī)制與互補(bǔ)發(fā)波策略研究報(bào)告 BASiC S
    的頭像 發(fā)表于 01-26 10:24 ?168次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>電路</b>同步整流控制機(jī)制與互補(bǔ)發(fā)波策略研究報(bào)告

    深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與電路的串?dāng)_抑制

    深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與
    的頭像 發(fā)表于 01-26 06:11 ?332次閱讀
    深度解析<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>米勒</b>效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>電路</b><b class='flag-5'>中</b>的串?dāng)_抑制

    碳化硅MOSFET模塊在出口型高端逆變焊機(jī)的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?1115次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全<b class='flag-5'>橋</b>模塊在出口型高端逆變焊機(jī)<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與市場(chǎng)開
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1224次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?1562次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然<b class='flag-5'>性</b>

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1100次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)<b class='flag-5'>中</b>的革新應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅SiCMOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅SiCMOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?906次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?734次閱讀
    基于國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅SiC)技術(shù)的應(yīng)用,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?996次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>性能評(píng)價(jià)的真相

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒解決方案

    SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?1190次閱讀
    傾佳電子提供<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>解決方案

    低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-14 07:02 ?906次閱讀
    低劣品質(zhì)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的濫用將<b class='flag-5'>SiC</b>逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiCMOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試的應(yīng)用

    碳化硅SiCMOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)
    發(fā)表于 04-08 16:00