引言

在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方向發(fā)展，對(duì)光刻膠剝離方法提出了更高要求。同時(shí)，精確測(cè)量光刻圖形對(duì)于把控工藝精度、保障產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要，白光干涉儀為此提供了可靠的技術(shù)支持。

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法

濕法剝離

濕法剝離是 TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離的常用方法。該方法利用化學(xué)剝離液與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或溶解作用實(shí)現(xiàn)剝離。常用的剝離液包括有機(jī)溶劑型和堿性水溶液型。有機(jī)溶劑型剝離液如 N - 甲基吡咯烷酮（NMP），對(duì)光刻膠具有良好的溶解能力，能快速滲透光刻膠內(nèi)部，破壞其分子結(jié)構(gòu)。堿性水溶液型剝離液則通過(guò)堿性物質(zhì)與光刻膠中的酸性基團(tuán)發(fā)生中和反應(yīng)，使光刻膠從基板上脫落。在實(shí)際操作中，將帶有光刻膠的基板浸入剝離液槽中，通過(guò)超聲輔助或機(jī)械攪拌，加速剝離過(guò)程，提高剝離效率 。但濕法剝離存在環(huán)境污染、剝離液殘留等問(wèn)題，需進(jìn)行后續(xù)清洗處理。

干法剝離

干法剝離主要借助等離子體技術(shù)。在真空環(huán)境下，通過(guò)射頻電源激發(fā)氣體（如氧氣、氟基氣體等）產(chǎn)生等離子體。等離子體中的活性粒子與光刻膠發(fā)生物理轟擊或化學(xué)反應(yīng)，將光刻膠分解為揮發(fā)性氣體排出。物理轟擊依靠離子的動(dòng)能破壞光刻膠分子，化學(xué)反應(yīng)則使光刻膠成分氧化或氟化，轉(zhuǎn)化為易揮發(fā)物質(zhì)。干法剝離具有刻蝕選擇性好、對(duì)基板損傷小、無(wú)污染殘留等優(yōu)勢(shì)，尤其適用于對(duì)精度要求高的 TFT-LCD 制造工藝。然而，干法剝離設(shè)備成本高，且等離子體處理過(guò)程中可能產(chǎn)生的輻射和帶電粒子，對(duì)基板和器件存在潛在損傷風(fēng)險(xiǎn) 。

組合剝離

為克服單一剝離方法的局限性，組合剝離法逐漸得到應(yīng)用。該方法結(jié)合濕法和干法剝離的優(yōu)點(diǎn)，先采用濕法剝離去除大部分光刻膠，降低光刻膠厚度，減少干法剝離的處理時(shí)間和對(duì)基板的損傷；再利用干法剝離進(jìn)行精細(xì)處理，去除殘留光刻膠和聚合物，提高剝離精度。組合剝離法在保證剝離效果的同時(shí)，降低了對(duì)基板和器件的損傷，提升了 TFT-LCD 顯示屏的制造質(zhì)量和生產(chǎn)效率 。

白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用

測(cè)量原理

白光干涉儀基于光的干涉特性，將白光光源發(fā)出的光經(jīng)分光鏡分為測(cè)量光和參考光。測(cè)量光照射到待測(cè)光刻圖形表面反射回來(lái)，與參考光相遇產(chǎn)生干涉條紋。由于光刻圖形不同位置的高度差異，導(dǎo)致反射光的光程差不同，進(jìn)而形成不同的干涉條紋圖案。通過(guò)分析干涉條紋的形狀、間距和強(qiáng)度等信息，結(jié)合光程差與表面高度的對(duì)應(yīng)關(guān)系，可精確計(jì)算出光刻圖形的高度、深度、線寬等參數(shù)。

測(cè)量?jī)?yōu)勢(shì)

白光干涉儀具有高精度、非接觸式測(cè)量特點(diǎn)，測(cè)量精度可達(dá)納米級(jí)別，能夠精準(zhǔn)捕捉光刻圖形細(xì)微的尺寸變化。非接觸測(cè)量避免了對(duì)脆弱光刻圖形的物理?yè)p傷，保證樣品完整性。同時(shí)，測(cè)量速度快，可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)在線檢測(cè)，并通過(guò)專業(yè)軟件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行可視化處理，直觀呈現(xiàn)光刻圖形形貌特征，便于工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制。

實(shí)際應(yīng)用

在 TFT-LCD 顯示屏光刻工藝中，白光干涉儀在光刻膠剝離前后均發(fā)揮重要作用。剝離前，可測(cè)量光刻膠的厚度、光刻圖形的初始形貌，評(píng)估光刻工藝質(zhì)量；剝離過(guò)程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光刻圖形的變化，判斷剝離是否均勻、是否對(duì)圖形造成損傷；剝離完成后，精確測(cè)量殘留光刻膠的厚度、基板表面的粗糙度以及光刻圖形的最終尺寸，為優(yōu)化光刻膠剝離方法和工藝參數(shù)提供準(zhǔn)確數(shù)據(jù)支持，確保 TFT-LCD 顯示屏的制造精度和質(zhì)量符合設(shè)計(jì)要求。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù)，Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

實(shí)際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量，Ra=0.7nm

2，毫米級(jí)視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測(cè)量能力，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測(cè)量。

審核編輯 黃宇