20世紀80年代末至90年代初，在紐約和佛蒙特州這些看似與半導體革命毫無關聯(lián)的地方，一場悄無聲息的半導體變革正悄然興起。即便是最癡迷于半導體的發(fā)燒友，也可能未曾留意到這場變革，畢竟當時摩爾定律以及硅（Si）CMOS晶體管的尺寸縮小占據(jù)了所有新聞頭條。

彼時，一群工程師默默地投身于創(chuàng)新浪潮，將鍺（Ge）引入硅雙極結型晶體管中，極大地改善了器件特性，為射頻（RF）和高速模擬晶體管實現(xiàn)卓越性能帶來了希望。他們采用漸變鍺鍺硅（SiGe）基區(qū)晶體管的開創(chuàng)性工作，為8英寸晶圓上鍺硅BiCMOS技術在各類射頻/無線及毫米波通信應用領域的商業(yè)成功奠定了基礎。這種成功和廣泛應用，只有少數(shù)半導體技術能夠與之媲美，如體硅CMOS、砷化鎵（GaAs）和射頻絕緣體上硅（RF SOI）。

過去15年里，格羅方德在SOI技術創(chuàng)新方面一直處于前沿地位。然而，在鍺硅BiCMOS技術進步的征程中，格羅方德（前身為IBM微電子）的技術開發(fā)人員和工程師們肩負重任，傳承使命，至今已逾四十載。讓我們一同追溯鍺硅的歷史，重溫這段先輩們稱之為“堅持不懈的故事”，并展望其未來發(fā)展。

格羅方德鍺硅技術史：

部分之和大于整體

“并非平凡的開端”

任何系列的第一部分往往都會給人留下深刻印象，格羅方德首款成功商業(yè)化的鍺硅技術便是如此。十多年前，0.35微米鍺硅BiCMOS技術[2]——SiGe5PAe的問世，為鍺硅進入Wi-Fi功率放大器（PA）領域鋪平了道路，當時智能手機時代正開啟其全球統(tǒng)治的征程。這項技術助力功率放大器設計師以最低成本實現(xiàn)了最佳的技術性能指標（FoM）組合，如高輸出功率、高線性度和高效率。

隨著Wi-Fi需求的增長以及新Wi-Fi標準對性能提出了更為嚴苛的要求，格羅方德在基礎平臺上持續(xù)改進，推出了多種版本的SiGe5PAXe和SiGe5PA4，包括高電阻率襯底選項，實現(xiàn)了集成射頻開關和低噪聲放大器（LNA）與功率放大器的全前端集成電路（IC）。每一版本都通過提升功率放大器性能，同時增強其在先進Wi-Fi標準下的可靠性和堅固性，進一步拓展了Wi-Fi功率放大器的性能邊界。下表1展示了格羅方德350納米鍺硅BiCMOS技術助力不同應用和領域的關鍵特性。這項起初看似平凡的努力，最終取得了巨大的商業(yè)成功，格羅方德的0.35微米鍺硅技術為高端智能手機和平板電腦帶來了無縫的Wi-Fi體驗。如今，這些技術依然在智能手機Wi-Fi前端模塊（FEM）的功率放大器領域占據(jù)主導地位，并在無線基礎設施應用（如功率放大器預驅動器）中逐漸嶄露頭角。

“向太空及更廣闊領域的巨大飛躍”

通常，續(xù)作超越原作的案例雖罕見，但格羅方德的130納米鍺硅技術卻是個例外，它們在無線和有線通信領域，推動了眾多產(chǎn)品和應用的誕生[3][4]。這些技術中的鍺硅異質結雙極晶體管（HBT）的高頻和高電壓處理能力支持多種應用，例如毫米波和衛(wèi)星通信功率放大器與低噪聲放大器、汽車雷達、無線回傳以及高速模擬接口驅動器。具體而言，格羅方德的SiGe8WL、SiGe8HP和SiGe8XP技術率先實現(xiàn)了高性能NPN晶體管與高質量毫米波和分布式無源元件（如傳輸線和微帶線）的集成，從而推動了上述應用的發(fā)展。

“不止于征服太空”

2014年，格羅方德的開創(chuàng)性鍺硅創(chuàng)新成果——全球首款90納米鍺硅 BiCMOS技術SiGe9HP[5]問世，隨后又通過SiGe9HP+[6]進一步提升了NPN性能，再次引領行業(yè)。如今，這兩項技術相結合，構成了市場上最全面、最具競爭力的鍺硅技術之一。憑借先進的CMOS集成以及一系列特性（包括低損耗金屬化和高壓LDMOS），該技術助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)了最前沿的應用，如跨阻放大器（TIA）和高速光通信驅動器，以及其他高性能模擬應用，如高帶寬模數(shù)轉換器（ADC）和太赫茲成像與傳感。

“變革永無止境”

隨著生成式人工智能的興起，通信領域對更高帶寬、數(shù)據(jù)速率和更長傳輸距離的需求愈發(fā)迫切。經(jīng)過四十年的持續(xù)創(chuàng)新，格羅方德再次準備好迎接鍺硅技術的下一場革命，以滿足現(xiàn)代通信的需求。格羅方德此前發(fā)布了行業(yè)性能最高的鍺硅HBT，在45納米SOI平臺上實現(xiàn)了415/600 GHz的ft/fmax[7]，并正通過全球快車多項目晶圓（MPW）計劃中的130CBIC項目，積極與早期客戶合作開發(fā)行業(yè)首款高性能互補130納米鍺硅BiCMOS技術。表4展示了130CBIC支持廣泛應用的關鍵特性。

展望未來，一個發(fā)展方向可能是進一步提高HBT的ft/fmax，以滿足數(shù)據(jù)中心光網(wǎng)絡和生成式人工智能應用對先進光收發(fā)器的要求。然而，隨著生成式人工智能滲透到智能手機領域，在現(xiàn)有功耗水平下降低射頻前端模塊或相關組件的功耗，或提升射頻性能（降低噪聲、提高增益）也顯得至關重要。此外，隨著寬帶互聯(lián)網(wǎng)接入不斷向全球偏遠角落延伸，鍺硅HBT的性能和成本可針對消費級衛(wèi)星地面終端應用進行優(yōu)化，助力將下一個40億用戶接入互聯(lián)網(wǎng)。當CMOS在摩爾定律面前遭遇瓶頸時，鍺硅的真正潛力將得到進一步釋放，并在對射頻/高速性能和能力要求嚴苛的應用領域實現(xiàn)更大的規(guī)模經(jīng)濟效應。

當CMOS在摩爾定律面前遭遇瓶頸時，硅鍺的真正潛力將得到進一步釋放，并在對射頻/高速性能和能力要求嚴苛的應用領域實現(xiàn)更大的規(guī)模經(jīng)濟效應。

Arvind Narayanan

格羅方德射頻

產(chǎn)品線總監(jiān)

Arvind Narayanan負責制定格羅方德鍺硅（SiGe）和射頻氮化鎵（RF GaN）技術戰(zhàn)略線圖及產(chǎn)品組合管理。他加入格羅方德已逾六年，深耕客戶導向型角色。