本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT：NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。

該產(chǎn)品采用第七代微溝槽場截止技術(shù)型設(shè)計(jì)，此結(jié)構(gòu)可大幅度提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。通過優(yōu)化載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)，以及增加多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)工藝技術(shù)，更大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)通過引入多梯度背面緩沖層設(shè)計(jì)，優(yōu)化器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。

我們將該產(chǎn)品的基本參數(shù)，與國內(nèi)廠商的一款普通IGBT產(chǎn)品，進(jìn)行實(shí)測對(duì)比。

詳細(xì)數(shù)據(jù)如下：

從測試數(shù)據(jù)來看，NCE15ER135LP樣品BV耐壓高于競品，NCE15ER135LP樣品的飽和壓降VCE(sat)、二極管正向?qū)▔航礦F均低于競品。

NCE15ER135LP除本文測試對(duì)比的TO-3P封裝外，該規(guī)格產(chǎn)品還可以提供TO-247、TO-263、TO-220等多種封裝外形。該產(chǎn)品所在的逆導(dǎo)IGBT（RC-IGBT）系列還有不同電流規(guī)格產(chǎn)品可供選擇。

產(chǎn)品優(yōu)勢

○ Tj(max) =175℃

○ 低VCE(sat)，高開關(guān)速度

○ 100%通過可靠性考核，以及更嚴(yán)苛的HV-○ H3TRB考核

○ 成本更低

○ 開關(guān)動(dòng)態(tài)尖峰電壓Vcepeak更低

應(yīng)用領(lǐng)域

○ 智能家居

○ 微波爐

○ 電磁爐

○ 軟開關(guān)

命名規(guī)則

針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域的特點(diǎn)，新潔能第七代IGBT開發(fā)了多個(gè)產(chǎn)品系列。第七代IGBT產(chǎn)品系列包含400V、650V、750V、1000V、1200V、1350V、1700V等七個(gè)電壓平臺(tái)，在產(chǎn)品選用時(shí)可參考下圖。其中本文介紹的NCE15ER135LP 就是圖中R系列產(chǎn)品之一。