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臺(tái)階儀在Micro LED巨量轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用 | 測量PDMS微柱尺寸提升良率

Flexfilm ? 2025-07-22 09:51 ? 次閱讀
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微型發(fā)光二極管Micro-LED顯示技術(shù)是一種新興技術(shù)。它在可穿戴設(shè)備、虛擬現(xiàn)實(shí)、手機(jī),微投影顯示器等便攜式應(yīng)用中具有巨大的潛力。本研究聚焦Micro-LED巨量轉(zhuǎn)印技術(shù)中彈性印章(PDMS材質(zhì))的關(guān)鍵制程參數(shù)優(yōu)化。

半導(dǎo)體制造表面粗糙度測量非常重要,Flexfilm費(fèi)曼儀器作為國內(nèi)領(lǐng)先的薄膜材料檢測解決方案提供商,其提供的Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以用于量化微柱結(jié)構(gòu)的尺寸偏差(如寬度、高度),作為核心檢測的表面輪廓儀其數(shù)據(jù)直接支撐印章制造工藝的穩(wěn)定性評估,為高精度轉(zhuǎn)印提供關(guān)鍵尺寸控制依據(jù)。

1

樣品制備

flexfilm

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彈性印章示意圖

通過光刻工藝(清洗烘干、旋涂、軟烤、曝光、后烘、顯影、沖洗烘干、硬烤)制作彈性印章模板,再采用注模成型方法,將PDMS與固化劑按比例混合、除氣泡后澆鑄到模板上,經(jīng)烘烤固化制成彈性印章。

2

臺(tái)階儀測量微柱寬度

flexfilm

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臺(tái)階儀測量微柱尺寸示意圖

臺(tái)階儀探針式表面形貌測量儀器,使用臺(tái)階儀對彈性印章的微柱寬度等進(jìn)行測量:當(dāng)探針在待測物體表面輕輕滑過時(shí),由于待測物體表面不平整,表面微小的峰谷使探針在滑動(dòng)的同時(shí),還沿著峰谷上下運(yùn)動(dòng)。探針的運(yùn)動(dòng)軌跡,就是待測物體表面輪廓的體現(xiàn)。

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臺(tái)階儀測量光刻膠模板實(shí)物圖

從測量結(jié)果可知,微柱尺寸大于模板尺寸,推測與 PDMS 烘烤時(shí)的熱脹冷縮有關(guān)(熱膨脹系數(shù)約 0.0006 / K )。微柱頂面寬度偏差為正,底面為負(fù),這是由于 PDMS 倒入模板時(shí)可能溢出(頂面),而模板較深時(shí)顯影液蝕刻難保證豎直面垂直(底面)。且偏差值相對穩(wěn)定,基本與尺寸無關(guān),因同一硅片光刻膠厚度均勻,曝光角度一致。

3

微柱尺寸精度控制

flexfilm

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微柱寬度與掩模圖案設(shè)計(jì)寬度之間的平均偏差

所制造的彈性印章微柱頂面和底面的寬度誤差能控制在 5% 以內(nèi)高度約40μm且標(biāo)準(zhǔn)偏差小。這表明通過現(xiàn)有制程可較好控制微柱尺寸,而臺(tái)階儀的測量為這種精度控制提供了數(shù)據(jù)依據(jù),有助于后續(xù)根據(jù)需求調(diào)整制程參數(shù)。

臺(tái)階儀精準(zhǔn)量化了PDMS彈性印章微柱的尺寸偏差規(guī)律(頂面+5%、底面-5%),揭示了光刻工藝中液體溢出與顯影深度不足的核心問題。該數(shù)據(jù)支撐了顯影時(shí)間、曝光劑量等關(guān)鍵參數(shù)的優(yōu)化,保障微柱高寬比穩(wěn)定于0.5–5的可靠區(qū)間,最終為半導(dǎo)體領(lǐng)域Micro LED 巨量轉(zhuǎn)印良率提升提供尺寸控制基準(zhǔn)。

Flexfilm探針式臺(tái)階儀

flexfilm


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在半導(dǎo)體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域,表面臺(tái)階高度、膜厚的準(zhǔn)確測量具有十分重要的價(jià)值,尤其是臺(tái)階高度是一個(gè)重要的參數(shù),對各種薄膜臺(tái)階參數(shù)的精確、快速測定和控制,是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。

  • 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)
  • 亞埃級分辨率,臺(tái)階高度重復(fù)性1nm
  • 360°旋轉(zhuǎn)θ平臺(tái)結(jié)合Z軸升降平臺(tái)
  • 超微力恒力傳感器保證無接觸損傷精準(zhǔn)測量

Flexfilm費(fèi)曼儀器作為國內(nèi)領(lǐng)先的薄膜厚度測量技術(shù)解決方案提供商,研發(fā)的Flexfilm探針式臺(tái)階儀覆蓋納米至微米級薄膜的精準(zhǔn)檢測需求,為Micro-LED巨量轉(zhuǎn)印工藝提供了可靠的幾何校準(zhǔn)閉環(huán)。

原文參考:《Micro-LED巨量轉(zhuǎn)印技術(shù)中彈性印章的關(guān)鍵制程參數(shù)研究》

*特別聲明:本公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間核實(shí)并處理。

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