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方正微電子SiC MOS功率模塊FA120T003BA簡(jiǎn)介

162252985 ? 來源:方正微電子 ? 2025-09-24 15:09 ? 次閱讀
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FMIC TPAK模塊產(chǎn)品

方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊,專為新能源汽車主驅(qū)電機(jī)控制器、EVTOL電機(jī)控制器、電動(dòng)船、超級(jí)充電站等高端應(yīng)用需求而設(shè)計(jì),旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。

采用FMIC自研自產(chǎn)車規(guī)級(jí)SICMOS芯片;

芯片關(guān)鍵可靠性項(xiàng)目可輕松通過3000h認(rèn)證;

模塊滿足AQG-324可靠性標(biāo)準(zhǔn);

封裝通過凹槽設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)高爬電距離,提高高電壓平臺(tái)應(yīng)用的可靠性;

可提供1200V多款低Rdson<10mΩ產(chǎn)品。

TPAK模塊滿足極致的應(yīng)用需求

1.新能源汽車

TPAK模塊在主驅(qū)控制器、輔驅(qū)控制器、發(fā)電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景,配置靈活,單一封裝可實(shí)現(xiàn)50KW~350KW功率需求;

輕松實(shí)現(xiàn)高功率密度;

實(shí)現(xiàn)高效率;

實(shí)現(xiàn)多合一電控設(shè)計(jì);

實(shí)現(xiàn)平臺(tái)化設(shè)計(jì)。

2.EVTOL電機(jī)控制器

TPAK可滿足EVTOL極致的安全性和可靠性;

滿足極高的功率密度,直接影響續(xù)航和有效載荷;

符合輕量化與小型化:最小的體積,最小的重量下輸出最大的功率;

滿足極高的效率需求:損耗降低,意味著散熱系統(tǒng)小,行動(dòng)耗電量低;

滿足卓越的性能需求:高開關(guān)頻率、低死區(qū)設(shè)計(jì),可滿足高動(dòng)態(tài)響應(yīng)、高控制精度和平穩(wěn)飛行。

3.新能源汽車超級(jí)快充樁

大功率應(yīng)用場(chǎng)景,提升功率密度,減小占地面積;

800V高壓大功率平臺(tái),穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)大功率輸出;

配備全液冷技術(shù),確保設(shè)備、線纜溫度控制在合理范圍內(nèi);

根據(jù)電池狀態(tài)實(shí)時(shí)調(diào)整充電策略,保證電池安全。

TPAK模塊特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

1.高靈活性與可擴(kuò)展性

TPAK模塊封裝尺寸小,可根據(jù)功率需求靈活并聯(lián)配置;在新能源汽車上,如P1、P3電機(jī)、四驅(qū)系統(tǒng)等多電機(jī)控制器需求、不同功率電機(jī)控制器需求時(shí),可以采用同一封裝功率器件的解決方案。易于實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制器平臺(tái)化設(shè)計(jì)、減少物料種類,降低整體成本。

2.高耐溫封裝材料與先進(jìn)封裝工藝

TPAK模塊采用銀燒結(jié)、銅燒結(jié)、Clip等先進(jìn)工藝和氮化硅AMB陶瓷基板。銀燒結(jié)層可耐400℃以上的高溫,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)錫焊的5倍,熱疲勞壽命是錫焊接的10倍,不僅提升可靠性,還可實(shí)現(xiàn)極低熱阻≤0.1K/W。采用高耐溫樹脂塑封工藝,支持高結(jié)溫175℃運(yùn)行。

3.高效的系統(tǒng)散熱

功率芯片每10℃的結(jié)溫,影響的電流出流能力約20A-40A,系統(tǒng)的散熱性能越好,芯片溫度越低,模塊的出流能力就越強(qiáng),輸出功率越大。TPAK模塊不僅本身熱阻低,而且在系統(tǒng)層面與散熱器連接可采用銀燒結(jié)、軟釬焊等工藝,可大幅度降低系統(tǒng)熱阻提高散熱效率,從而提高功率輸出,提高功率密度。

4.極高的功率容量

TPAK模塊FMIC采用了最新一代的自研SICMOS芯片,實(shí)現(xiàn)了單模塊內(nèi)阻Rdson<3mΩ,該型號(hào)模塊的電流密度增加了>50%,其功率容量、性能得到了顯著提升;單模組峰值輸出功率>100kW,極大提高系統(tǒng)功率密度。

5.適配自動(dòng)化生產(chǎn)流程

系統(tǒng)連接采用激光焊接技術(shù),相對(duì)于螺絲的安裝方式,不僅有效降低了接觸阻抗,還節(jié)省安裝時(shí)間,非常有利于自動(dòng)化的生產(chǎn)流程。

6.TPAK助力SIC優(yōu)勢(shì)在應(yīng)用中極致體現(xiàn)

極低模塊熱阻和系統(tǒng)低熱阻提升芯片散熱效率、高耐溫塑封材料實(shí)現(xiàn)高工作結(jié)溫、氮化硅AMB陶瓷基板材料和銀燒結(jié)等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)熱疲勞壽命、系統(tǒng)激光焊接技術(shù)和疊層母排設(shè)計(jì)有效降低了雜散電感和接觸電阻,降低損耗、提高效率、改善EMC

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原文標(biāo)題:方正微SiC MOS TPAK模塊完美契合高效率、高功率密度、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景!

文章出處:【微信號(hào):FMIC_Founder,微信公眾號(hào):深圳方正微電子有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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