隨著芯片制程邁入3nm時(shí)代，晶圓傳輸過(guò)程微振動(dòng)控制成為新挑戰(zhàn)。創(chuàng)新方案將EFEM機(jī)械臂與壓電抑振平臺(tái)結(jié)合：
傳統(tǒng)流程：
晶圓拾取 → 機(jī)械臂傳輸 → 振動(dòng)誤差累積 → 放置精度±30μm
壓電平臺(tái)預(yù)校準(zhǔn) → 氣浮導(dǎo)軌傳輸 → 實(shí)時(shí)振動(dòng)補(bǔ)償 → 放置精度±1.5μm
研發(fā)實(shí)力
13年專(zhuān)注半導(dǎo)體設(shè)備核心部件；
3000㎡研發(fā)中心配備激光干涉儀等檢測(cè)設(shè)備；
與哈工大合作開(kāi)發(fā)自適應(yīng)控制算法。
量產(chǎn)驗(yàn)證案例
12英寸EFEM系統(tǒng)：用于華為晶圓廠(chǎng)，良率提升0.8%；
真空傳輸平臺(tái)：蘋(píng)果MicroLED產(chǎn)線(xiàn)通過(guò)10萬(wàn)次測(cè)試；
壓電補(bǔ)償模塊：小米檢測(cè)設(shè)備定位穩(wěn)定性提升3倍。
整機(jī)質(zhì)保1年，開(kāi)放半導(dǎo)體設(shè)備同行業(yè)案例免費(fèi)參觀體驗(yàn)。