近日，在深圳福田會展中心舉行的維科杯.OFweek 2025 (第十屆)人工智能行業(yè)年度評選活動圓滿落幕。安森美（onsemi）的SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借顛覆性技術突破，斬獲維科杯·OFweek 2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎。這款產(chǎn)品以其創(chuàng)新的Combo架構、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，成功解決了AI應用領域大電流、高功率場景的核心痛點。

AI PSU向高功率密度、高效率方向發(fā)展

PSU（Power Supply Unit, 電源供應單元）是AI數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的關鍵基礎設施，主要用于將電網(wǎng)提供的電能轉(zhuǎn)換為服務器、網(wǎng)絡設備、存儲設備所需的電能，主要有電能轉(zhuǎn)換、穩(wěn)定電流、過載保護三大功能。

AI服務器功率驟增帶動PSU向高功率密度、高效率方向發(fā)展。PSU的功率從早期的3kW，發(fā)展到目前的8kW/12kW，并計劃向18kW-22kW甚至25-30kW演進。

針對這這些挑戰(zhàn)，安森美通過優(yōu)化拓撲結(jié)構和提供高性能功率器件破局。寬禁帶（WBG）半導體能夠在更高的開關頻率下，實現(xiàn)最佳效率，使轉(zhuǎn)換器在不影響轉(zhuǎn)換效率的前提下，實現(xiàn)更高的功率密度，因此，成為AI PSU的理想選擇。

SiC Combo JFET四大核心優(yōu)勢，成就AI PSU好搭子

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S專為滿足高功率密度、高效率的AI PSU而設計，為AI算力擴展提供底層硬件支撐。

該產(chǎn)品具有四大優(yōu)勢：

獨特設計：Combo JFET的設計旨在讓用戶能夠分別獨立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導通電阻RDS(ON)：采用SiC JFET技術，UG4SC075005L8S的導通電阻低至5mOhm，能顯著降低導通損耗，提高能效。

更高的峰值電流(IDM)：峰值電流對于電路保護應用至關重要，而高IDM的UG4SC075005L8S正是實現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護應用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC：該產(chǎn)品采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術，與大多數(shù)焊接材料相比，界面導熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫，并確保更高的可靠性。

此外，SiC Combo JFET UG4SC075005L8S還有更多優(yōu)勢，在速度可控性方面，它是電路保護和多路并聯(lián)應用的理想選擇。通過降低關斷速度來減少電壓過沖，可加強電路保護，尤其是短路保護，且易于并聯(lián)，能出色地平衡開關損耗和動態(tài)電流之間的性能。同時，其結(jié)構簡單，使用壽命長，無參數(shù)漂移。柵極驅(qū)動兼容性優(yōu)秀，支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動器，無需專用驅(qū)動電路，既能簡化系統(tǒng)設計，又能加快開發(fā)速度。

安森美提供從電網(wǎng)到 GPU 的一整套電源解決方案

依托業(yè)界領先的硅和碳化硅技術，安森美為數(shù)據(jù)中心提供從電網(wǎng)到 GPU 的一整套電源解決方案，覆蓋3kW 到 25-30kW HVDC。

在提升AI PSU功率方面，SiC技術發(fā)揮著關鍵作用。安森美的12kW電源單元（PSU）參考設計通過集成先進的 M3S MOSFET + SiC JFET 器件，確保了卓越的性能，具備更高的開關頻率和更強的熱管理能力。其轉(zhuǎn)換效率高達 98%，顯著降低了能源成本和冷卻需求。該產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心市場上極具競爭力，12kW PSU的功率輸出比同類產(chǎn)品高出 50%，能夠有效滿足AI和云計算環(huán)境的嚴苛要求。

安森美聚焦于應對AI驅(qū)動運算帶來的電力需求激增，通過優(yōu)化能源利用效率和提升功率密度，在實現(xiàn)結(jié)構緊湊的同時，既保障了更高的效率和更低的總擁有成本（TCO），又為可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)提供了有力支撐。