Texas Instruments TPSM843B22 SWIFT?降壓電源模塊是一款高效18V、25A同步降壓模塊，采用內(nèi)部補(bǔ)償?shù)亩l高級(jí)電流模式 (ACM) 控制架構(gòu)。盡管器件始終處于FCCM模式運(yùn)行，但它可產(chǎn)生0.5V至7V輸出電壓。該器件可提供高效率，且運(yùn)行時(shí)的開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)2.2MHz。Texas Instruments TPSM843B22采用6.5mm x 7.5mm x 4mm包覆成型封裝，因此非常適合用于需要小解決方案尺寸的設(shè)計(jì)。其他特性包括高精度電壓基準(zhǔn)、可選軟啟動(dòng)時(shí)間、單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出、可選電流限制、通過(guò)EN引腳可調(diào)UVLO以及一整套故障保護(hù)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPSM843B22 SWIFT?降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 固定頻率、內(nèi)部補(bǔ)償、高級(jí)電流模式 (ACM) 控制
• 集成6.5mΩ和2mΩ MOSFET、電感器和基本無(wú)源元件
• 輸入電壓范圍：4V至18V
• 輸出電壓范圍：0.5V至7V
• 真差分遙感放大器 (RSA)
• 三個(gè)可選PWM斜坡選項(xiàng)，優(yōu)化控制環(huán)路性能
• 五個(gè)可選開(kāi)關(guān)頻率（500kHz、750kHz、1MHz、1.5MHz和2.2MHz）
• 可與外部時(shí)鐘同步
• 電壓基準(zhǔn)精度：0.5V、±0.5%（整個(gè)溫度范圍內(nèi)）
• 1ms、2ms、4ms和8ms可選軟啟動(dòng)時(shí)間
• 單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出
• 使能，帶可調(diào)輸入欠壓閉鎖
• 電源正常輸出監(jiān)視器
• 輸出過(guò)壓、輸出欠壓、輸入欠壓、過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)
• 工作結(jié)溫范圍：–40°C至125°C
• 6.5mm × 7.5mm × 4.0mm、25引腳包覆成型QFN封裝
• 無(wú)鉛（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
• 與16A - TPSM843A26和12A - TPSM843A22引腳兼容

應(yīng)用

• 無(wú)線和有線通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備
• 光學(xué)和光纖網(wǎng)絡(luò)
• 測(cè)試與測(cè)量
• 醫(yī)療和保健

功能框圖

德州儀器TPSM843B22 SWIFT?降壓電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

德州儀器(TI)的TPSM843B22是一款高集成度的同步降壓電源模塊，采用先進(jìn)的電流模式(ACM)控制架構(gòu)，集成了功率MOSFET、電感和基本無(wú)源元件。該模塊具有以下核心特性：

• ?寬輸入電壓范圍?：4V至18V
• ?高輸出電流能力?：連續(xù)20A/峰值30A
• ?可調(diào)輸出電壓?：0.5V至7V
• ?高效率設(shè)計(jì)?：最高效率達(dá)95%
• ?緊湊封裝?：6.5mm×7.5mm×4.0mm 25引腳QFN封裝

二、核心技術(shù)特性

2.1 先進(jìn)電流模式控制

TPSM843B22采用固定頻率的內(nèi)部補(bǔ)償ACM控制架構(gòu)，具有以下優(yōu)勢(shì)：

• 無(wú)需復(fù)雜的外部補(bǔ)償設(shè)計(jì)
• 支持使用低ESR陶瓷輸出電容
• 內(nèi)置斜坡生成網(wǎng)絡(luò)提高噪聲抗擾度
• 三種可選斜坡優(yōu)化控制環(huán)路性能

2.2 集成功率級(jí)

模塊集成了：

• 6.5mΩ高邊MOSFET和2mΩ低邊MOSFET
• 330nH功率電感
• 基本無(wú)源元件
• 內(nèi)部0.1μF BOOT電容和2.2μF BP5電容

2.3 可編程特性

• ?開(kāi)關(guān)頻率?：500kHz/750kHz/1MHz/1.5MHz/2.2MHz五檔可選
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：1ms/2ms/4ms/8ms四檔可選
• ?電流限制?：高/低兩檔設(shè)置(29A/23A高邊限值)

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

3.1 1.0V/20A應(yīng)用示例

• ?輸入電壓?：12V(4.1-18V范圍)
• ?開(kāi)關(guān)頻率?：1MHz(RFSEL=11.8kΩ)
• ?輸出電容?：4×100μF陶瓷電容(有效容值380μF)
• ?環(huán)路補(bǔ)償?：2pF斜坡(RMSEL=4.87kΩ)+100pF前饋電容
• ?效率表現(xiàn)?：12V輸入時(shí)峰值效率>90%

3.2 熱設(shè)計(jì)考慮

在25°C環(huán)境溫度，12V輸入，1V/20A輸出條件下：

• 模塊表面溫度約85°C
• 熱阻參數(shù)：
  • θJA=13.2°C/W
  • ψJT=0.3°C/W
  • ψJB=5.5°C/W

四、保護(hù)功能

4.1 電流保護(hù)

• 高邊峰值電流限制(29A/23A可選)
• 低邊谷值電流限制(22A/17.6A可選)
• 負(fù)電流限制(-7A)

4.2 其他保護(hù)

• 輸入欠壓鎖定(UVLO)
• 輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù)
• 過(guò)熱關(guān)斷(165°C)
• 電源良好(PG)監(jiān)控

五、應(yīng)用領(lǐng)域

1. ?通信基礎(chǔ)設(shè)施?：
   • 無(wú)線基站電源
   • 光網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
2. ?工業(yè)自動(dòng)化?：
   • PLC控制系統(tǒng)
   • 伺服驅(qū)動(dòng)器
3. ?測(cè)試測(cè)量設(shè)備?：
   • 儀器儀表電源
   • 自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
4. ?醫(yī)療設(shè)備?：
   • 便攜式醫(yī)療儀器
   • 成像系統(tǒng)電源