Texas Instruments TPSM63608同步降壓直流/直流電源模塊是一款高度集成的36V、6A直流/直流解決方案,集成了多個(gè)功率 MOSFET、一個(gè)屏蔽式電感器和多個(gè)無源器件,并采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝。該模塊的VIN和VOUT引腳位于封裝的邊角處,可優(yōu)化輸入和輸出電容器在布局中的放置。模塊下方具有四個(gè)較大的散熱焊盤,可在制造過程中實(shí)現(xiàn)簡單布局和輕松處理。TPSM63608具有1V到20V輸出電壓,旨在快速、輕松實(shí)現(xiàn)小尺寸PCB的低EMI設(shè)計(jì)??傮w解決方案僅需四個(gè)外部元件,并且省去了設(shè)計(jì)流程中的磁性和補(bǔ)償元件選擇過程。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPSM63608同步降壓直流-直流電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
雖然尺寸小,操作簡單,設(shè)計(jì)用于在空間受限的應(yīng)用,但是Texas Instruments TPSM63608模塊具有許多特性來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的性能:具有遲滯功能的精密使能端可實(shí)現(xiàn)輸入電壓UVLO調(diào)節(jié)、電阻可編程開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率和擴(kuò)頻以改善EMI。與集成式V CC 、自舉和輸入電容器一起使用,可提高可靠性和密度。該模塊可配置為在滿負(fù)載電流范圍 (FPWM) 內(nèi)保持恒定開關(guān)頻率,也可配置為可變頻率 (PFM) 以提高輕負(fù)載效率。該模塊包含PGOOD指示器,可實(shí)現(xiàn)時(shí)序控制、故障報(bào)告和輸出電壓監(jiān)測(cè)功能。
特性
- 支持功能安全
- 來輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
- 多功能36 V
IN、6AOUT同步降壓模塊- 集成MOSFET、電感器和控制器
- 可調(diào)節(jié)輸出電壓范圍為1V至20V
- 6.5mm × 7.5mm × 4mm超模壓塑料封裝
- 結(jié)溫范圍:–40°C至125°C
- 可調(diào)頻率范圍:200kHz至2.2MHz
- 負(fù)輸出電壓應(yīng)用功能
- 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有超高效率
- 峰值效率:95%+
- 用于提升效率的外部偏置選項(xiàng)
- 外露焊盤可實(shí)現(xiàn)低熱阻抗 (EVM θ J
A=18.2°C/W) - 關(guān)斷時(shí)的靜態(tài)電流為:0.6μA (典型值)
- 典型壓差:0.5V(4A負(fù)載時(shí))
- 超低傳導(dǎo)和輻射EMI簽名
- 具有雙輸入路徑和集成電容器的低噪聲封裝可降低開關(guān)振鈴
- 電阻器調(diào)節(jié)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
- 符合CISPR 11和32 B類發(fā)射要求
- 適用于可擴(kuò)展電源
- 引腳兼容(36V、8A)
- 固有保護(hù)特性可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健設(shè)計(jì)
- 精密使能輸入和漏極開路PGOOD指示器(用于時(shí)序、控制和V
INUVLO) - 過流和熱關(guān)斷保護(hù)
- 精密使能輸入和漏極開路PGOOD指示器(用于時(shí)序、控制和V
功能框圖

德州儀器TPSM63608高密度同步降壓DC/DC電源模塊技術(shù)解析
一、產(chǎn)品核心特性與創(chuàng)新設(shè)計(jì)
TPSM63608是德州儀器(TI)推出的高集成度同步降壓電源模塊,具有以下突出特性:
?1. 寬范圍輸入輸出能力?
- 輸入電壓范圍:3V至36V(瞬態(tài)耐受42V)
- 輸出電壓范圍:1V至20V可調(diào)(25mV步進(jìn)精度)
- 持續(xù)輸出電流:6A(峰值8A)
?2. 超高集成度設(shè)計(jì)?
- 集成功率MOSFET、屏蔽電感和控制器
- 6.5mm×7.5mm×4mm HotRod? QFN封裝
- 僅需4個(gè)外部元件即可工作
?3. 卓越的能效表現(xiàn)?
- 峰值效率>95%(VOUT=5V時(shí))
- 0.6μA超低關(guān)斷靜態(tài)電流
- 0.5V典型壓降電壓(4A負(fù)載時(shí))
?4. 增強(qiáng)型EMI性能?
- 雙輸入路徑設(shè)計(jì)降低開關(guān)振鈴
- 可調(diào)開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率(通過RBOOT配置)
- 滿足CISPR 11/32 Class B EMI標(biāo)準(zhǔn)
二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)
1. 外圍元件選型指南
| 元件類型 | 推薦參數(shù) | 典型型號(hào) |
|---|---|---|
| 輸入電容 | 2×10μF陶瓷(X7R) | Murata GRM32ER71H106KA12L |
| 輸出電容 | 3×47μF陶瓷(X7R) | TDK CGA6P3X7S1H106M |
| 反饋電阻 | RFBT=100kΩ | Vishay CRCW系列 |
| 頻率設(shè)置電阻 | 15.8kΩ(1MHz) |
2. 工作模式配置
? 自動(dòng)模式(PFM/PWM) ?
- 輕載時(shí)自動(dòng)切換至PFM模式提升效率
- 重載時(shí)保持PWM模式確保穩(wěn)壓精度
? 強(qiáng)制PWM模式(FPWM) ?
- SYNC/MODE引腳接高電平
- 全負(fù)載范圍內(nèi)保持固定頻率
?同步模式?
- 支持200kHz-2.2MHz外部時(shí)鐘同步
- 需設(shè)置RT電阻接近同步頻率
3. 保護(hù)功能機(jī)制
- ?過流保護(hù)?:8.4-14.2A峰值限流,40ms打嗝模式
- ?熱關(guān)斷?:168°C觸發(fā)(159°C恢復(fù))
- ?輸出監(jiān)測(cè)?:PG信號(hào)指示94%-112%穩(wěn)壓范圍
- ?輸入U(xiǎn)VLO?:可編程輸入欠壓鎖定(1V遲滯)
三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)例
1. 工業(yè)24V轉(zhuǎn)5V/6A電源方案
?關(guān)鍵參數(shù)配置?
- 反饋電阻:RFBT=100kΩ, RFBB=24.9kΩ
- 開關(guān)頻率:1MHz(RRT=15.8kΩ)
- 輸入電容:2×10μF/50V陶瓷
- 輸出電容:3×47μF/10V陶瓷
?實(shí)測(cè)性能?
- 效率:94.3%@4A負(fù)載(VIN=12V)
- 負(fù)載調(diào)整率:±1%(0.1A-4A)
- 傳導(dǎo)EMI:低于CISPR 11 Class B限值6dB
2. 負(fù)壓輸出應(yīng)用(-12V/3.8A)
?拓?fù)渑渲靡c(diǎn)?
- VIN+接輸入正極,VIN-接輸出負(fù)極
- FB分壓電阻:RFBT=110kΩ, RFBB=10kΩ
- 輸出電流公式:IOUT(max)=6A×(1-D)
?布局注意事項(xiàng)?
- 輸入/輸出電容需對(duì)稱布置
- VLDOIN必須連接至功率地(VOUT引腳)
- 功率回路面積最小化
四、PCB布局指南
- ?熱設(shè)計(jì)優(yōu)化?
- 使用2oz銅厚四層板設(shè)計(jì)
- 布置12個(gè)φ0.3mm散熱過孔
- 頂層銅箔面積≥15mm2
- ?EMI抑制措施?
- 輸入電容對(duì)稱靠近VIN1/VIN2引腳
- 開關(guān)節(jié)點(diǎn)走線長度<5mm
- 反饋電阻緊貼FB引腳布局
- ?接地策略?
- AGND與PGND在模塊下方單點(diǎn)連接
- 避免功率地環(huán)路
- 底層完整地平面作噪聲屏蔽
-
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