Texas Instruments TPSI2072Q1EVM評(píng)估模塊是一款六銅層板，具有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)和跳線，用于全面評(píng)估TPSI2072-Q1的功能。TPSI2072-Q1是一款雙通道隔離式固態(tài)繼電器，設(shè)計(jì)用于高壓汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用，例如電池管理系統(tǒng)、EV/HEV車(chē)載充電器、機(jī)械繼電器替代方案以及直流鏈路預(yù)充電。TPSI2072Q1EVM的初級(jí)側(cè)設(shè)有四個(gè)差分驅(qū)動(dòng)器，可為次級(jí)側(cè)的每個(gè)內(nèi)部MOSFET提供電源和使能邏輯信息。次級(jí)側(cè)的每個(gè)MOSFET均具有可靠的全橋整流器，可形成本地電源。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPSI2072Q1EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

每個(gè)引腳和電壓電源均設(shè)有測(cè)試點(diǎn)，以確保正常運(yùn)行
如果用戶(hù)通過(guò)所提供的跳線~~將VDD~~ 和使能端連接在一起，可與外部波形發(fā)生器共同運(yùn)行，或使用單個(gè)電源進(jìn)行測(cè)試
符合AEC-Q100汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
具有1400V關(guān)斷電壓的集成式額定雪崩MOSFET
低一次側(cè)電源電流：導(dǎo)通狀態(tài)為5mA，關(guān)斷狀態(tài)為1uA

PCB布局

TPSI2072-Q1 EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

TPSI2072-Q1 EVM是德州儀器(TI)推出的高電壓隔離開(kāi)關(guān)評(píng)估模塊，基于TPSI2072-Q1車(chē)規(guī)級(jí)隔離固態(tài)繼電器設(shè)計(jì)，具有以下核心特性：

?高壓隔離?：3750Vrms/1500VDC隔離等級(jí)
?雙通道設(shè)計(jì)?：集成兩個(gè)獨(dú)立控制的隔離開(kāi)關(guān)通道
?車(chē)規(guī)認(rèn)證?：符合AEC-Q100汽車(chē)電子標(biāo)準(zhǔn)
?緊湊封裝?：采用SOIC-11(DWQ)封裝(10.3×7.5mm)

關(guān)鍵硬件特性

1. 器件性能參數(shù)

參數(shù)	規(guī)格	測(cè)試條件
隔離電壓	3.75kVrms	持續(xù)60s
工作電壓	±600V	通道至SM引腳
導(dǎo)通電阻	55mΩ/24.3mΩ	高邊/低邊
輸入電流	9mA(開(kāi)啟)	500V/105°C
待機(jī)電流	1μA(關(guān)閉)	500V/105°C

2. 評(píng)估板接口配置

?高壓接口?：
- J1/J10：HV1/HV2正極輸入(通道1/2)
- J3：HV-公共負(fù)極
- J2：SM電壓檢測(cè)點(diǎn)
?控制接口?：
- J4：VDD初級(jí)側(cè)供電(2.5-5.5V)
- J6/J8：EN1_EXTERNAL/EN2_EXTERNAL使能控制
- J5：初級(jí)側(cè)接地
?測(cè)試點(diǎn)?：
- TP1-TP9：覆蓋所有關(guān)鍵信號(hào)監(jiān)測(cè)
- TP6：SM熱引腳測(cè)量點(diǎn)

典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. 電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)

? 電池管理系統(tǒng)(BMS) ?：高壓采樣回路隔離
? 車(chē)載充電器(OBC) ?：DC鏈路預(yù)充電控制
?電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)?：IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)隔離

2. 工業(yè)自動(dòng)化

PLC數(shù)字量輸出隔離
工業(yè)繼電器替代方案
光伏系統(tǒng)安全隔離

評(píng)估板使用指南

1. 安全注意事項(xiàng)

高壓測(cè)試時(shí)需遵守TI HV EVM安全規(guī)范：
- 工作區(qū)必須設(shè)置有效隔離屏障
- 操作人員需穿戴絕緣防護(hù)裝備
- 禁止在無(wú)人值守時(shí)保持供電
電氣安全限制：
- 最大工作電壓：1414VDC(VIOWM)
- 禁止超過(guò)3750Vrms隔離測(cè)試

2. 測(cè)試配置步驟

?基本連接?：
- 通過(guò)端子塊連接高壓輸入(J1/J3/J10)
- 提供5V初級(jí)側(cè)電源(J4/J5)
- 連接示波器監(jiān)測(cè)TP1-TP9信號(hào)
?使能控制配置?：
- 跳線J7/J9選擇使能模式：
  - ENx_EXT：外部信號(hào)控制
  - VDD-ENx：上電自動(dòng)使能
?波形測(cè)量?：
- 典型測(cè)試點(diǎn)：
  - CH1: EN1使能信號(hào)
  - CH2: EN2使能信號(hào)
  - CH3/4: S1-SM/SM-S2電壓

PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 疊層結(jié)構(gòu)

6層板設(shè)計(jì)(1.6mm總厚度)
層間分布：
- L1/L6：信號(hào)層
- L2/L5：電源層
- L3/L4：內(nèi)部隔離層

2. EMI優(yōu)化措施

?層間縫合電容?：
- 通過(guò)J11跳線啟用20pF Y電容
- 降低初級(jí)/次級(jí)間共模噪聲
?高壓布局?：
- 保持≥8mm爬電距離
- 關(guān)鍵信號(hào)加裝TVS管
?熱管理?：
- 擴(kuò)大DWQ封裝散熱焊盤(pán)
- 添加9×0.3mm散熱過(guò)孔

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