Texas Instruments TPSI2140Q1EVM評估模塊是一款雙銅層板,具有多個測試點(diǎn)和跳線,用于全面評估TPSI2140-Q1的功能。TPSI2140-Q1是一款隔離式固態(tài)繼電器 (SSR),設(shè)計(jì)用于高壓汽車和工業(yè)應(yīng)用。TPSI2140Q1EVM的初級側(cè)設(shè)有四個差分驅(qū)動器,可為次級側(cè)的每個內(nèi)部MOSFET提供電源和使能邏輯信息。次級側(cè)的每個MOSFET均具有可靠的全橋整流器,可形成本地電源。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPSI2140Q1EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 每個引腳和電壓電源均設(shè)有測試點(diǎn),以確保功能正確
- 如果用戶將V
DD綁定并與提供的跳線一起啟用,則可以使用外部波形發(fā)生器運(yùn)行或使用單電源進(jìn)行測試 - 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
- 具有1200V關(guān)斷電壓的集成式額定雪崩MOSFET
- 低初級側(cè)電源電流,5mA導(dǎo)通狀態(tài),1uA關(guān)斷狀態(tài)
PCB布局

TPSI2140-Q1評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
產(chǎn)品概述
TPSI2140-Q1 EVM是德州儀器(TI)推出的高電壓隔離固態(tài)繼電器評估模塊,基于車規(guī)級TPSI2140-Q1器件設(shè)計(jì),具有以下核心特性:
- ?3750Vrms高壓隔離?:滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用的高壓隔離需求
- ?集成化設(shè)計(jì)?:內(nèi)置背對背MOSFET(1200V耐壓)和完整驅(qū)動電路
- ?車規(guī)認(rèn)證?:通過AEC-Q100汽車電子標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
- ?低功耗特性?:僅需9mA驅(qū)動電流(開啟狀態(tài))/1.5μA(關(guān)閉狀態(tài))
- ?緊湊封裝?:采用10.3×7.5mm SOIC-11(DWQ)封裝
安全警示
?高壓操作警告?:
- 禁止用于超過1414VDC(VIOWM)的隔離測試
- 工作時表面可能高溫,禁止直接觸碰
- 必須由專業(yè)人員在受控實(shí)驗(yàn)環(huán)境下操作
- 遵循TI高壓評估模塊安全規(guī)范:
- 工作區(qū)需設(shè)置有效隔離屏障
- 操作人員需穿戴絕緣防護(hù)裝備
- 所有測試設(shè)備必須位于緊急斷電(EPO)保護(hù)電源帶
關(guān)鍵硬件配置
1. 接口定義
| 接口 | 類型 | 功能描述 |
|---|---|---|
| J1 | 端子塊 | 次級側(cè)正極輸入(HV+) |
| J2 | 端子塊 | 電壓檢測輸出(S2) |
| J3 | 端子塊 | 次級側(cè)負(fù)極輸入(HV-) |
| J4 | 香蕉頭 | 初級側(cè)供電(2.5-5.5V) |
| J6 | 插針 | 外部使能信號輸入 |
2. 測試點(diǎn)布局
- ?初級側(cè)監(jiān)測點(diǎn)?:
- TP1:VDD電源監(jiān)測
- TP2:EN使能信號監(jiān)測
- TP5:初級側(cè)地參考
- ?次級側(cè)監(jiān)測點(diǎn)?:
- TP6:熱引腳(SM)測量
- TP7:S2電壓分壓輸出
- TP8:HV-次級側(cè)測試
典型應(yīng)用場景
1. 新能源汽車系統(tǒng)
2. 工業(yè)自動化
評估板使用指南
1. 標(biāo)準(zhǔn)測試配置
- ?電源連接?:
- J4接入2.5-5.5V初級側(cè)電源
- J1/J3接入待測高壓信號
- ?使能控制?:
- J7跳線選擇使能模式:
- EN_EXT-EN:外部信號控制
- VDD-EN:上電自動使能
- J7跳線選擇使能模式:
- ?波形監(jiān)測?:
- 推薦示波器通道配置:
- CH1:HV+電壓
- CH2:EN使能信號
- CH3:VDD電源
- CH4:S2分壓輸出
- 推薦示波器通道配置:
PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)
1. 疊層結(jié)構(gòu)
- 4層板設(shè)計(jì)(1.6mm總厚度)
- 層間分布:
- L1/L4:信號層
- L2/L3:電源/地層
2. 安全間距
- 初級/次級間:≥8mm爬電距離
- 高壓走線:加裝TVS管保護(hù)
- 熱設(shè)計(jì):優(yōu)化DWQ封裝散熱焊盤
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