該TPIC6596是一款單片、高壓、大電流功率的8位移位寄存器,設(shè)計(jì)用于需要相對高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保護(hù)。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。
該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時(shí)鐘 (SRCK) 和寄存器時(shí)鐘 (RCK) 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時(shí),存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí),器件中的所有寄存器都被清除。當(dāng)輸出使能(G)保持為高電平時(shí),輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平,并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí),來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿從器件中時(shí)鐘輸出,為級聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時(shí)間。這為時(shí)鐘信號可能偏斜、設(shè)備彼此不靠近或系統(tǒng)必須承受電磁干擾的應(yīng)用提供了更高的性能。
*附件:tpic6596.pdf
輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管,輸出額定值為45V,連續(xù)灌電流能力為250mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí),DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí),DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。
提供單獨(dú)的電源和邏輯電平接地引腳,以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內(nèi)部連接的,每個(gè)引腳必須外部連接到電源系統(tǒng)接地,以盡量減少寄生電感。引腳 19 邏輯接地 (LGND) 和引腳 1、10、11 和 20 電源接地 (PGND) 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式進(jìn)行外部連接。該TPIC6596的表征是在?40°C至125°C的工作溫度范圍內(nèi)工作。
特性
- 低rDS(on):1.3Ω(典型值)
- 雪崩能量:75mJ
- 八個(gè)功率 DMOS 晶體管輸出,連續(xù)電流為 250mA
- 每個(gè)輸出 1.5A 脈沖電流
- 45V 時(shí)的輸出鉗位電壓
- 增強(qiáng)的多級級聯(lián),所有寄存器均通過單個(gè)輸入清除
- 低功耗
參數(shù)
方框圖

?1. 核心特性?
- ?低導(dǎo)通電阻?:典型值1.3Ω,支持高效功率傳輸。
- ?高電流輸出?:每路輸出250mA連續(xù)電流,1.5A脈沖電流,45V輸出鉗位電壓。
- ?級聯(lián)功能?:通過串行輸出(SER OUT)支持多級聯(lián),單次輸入即可清除所有寄存器。
- ?低功耗設(shè)計(jì)?:優(yōu)化邏輯與功率地分離(LGND/PGND),減少串?dāng)_。
?2. 關(guān)鍵應(yīng)用場景?
?3. 功能描述?
- ?數(shù)據(jù)流控制?:
- 8位串入并出移位寄存器,數(shù)據(jù)在SRCK上升沿移位,RCK上升沿存儲。
- SRCLR低電平時(shí)清除所有寄存器,G引腳控制輸出使能(低電平有效)。
- ?保護(hù)機(jī)制?:
- 內(nèi)置45V輸出鉗位,75mJ雪崩能量保護(hù),防止感性負(fù)載瞬態(tài)損壞。
?4. 電氣參數(shù)?
- ?工作電壓?:4.5V–5.5V(邏輯電源VCC)。
- ?溫度范圍?:-40°C至125°C。
- ?開關(guān)特性?:
- 傳播延遲(tPLH/tPHL)≤650ns,串行時(shí)鐘頻率最高5MHz。
?5. 封裝與型號?
- ?封裝選項(xiàng)?:20引腳SOIC(DW)或PDIP(N),尺寸分別為12.8mm×7.5mm和25.4mm×6.35mm。
- ?型號示例?:TPIC6596DWRG4(SOIC帶卷裝)、TPIC6596N(PDIP管裝)。
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繼電器
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移位寄存器的原理
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