派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性，具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現(xiàn)均衡，2000V 設(shè)計尤其適用于大規(guī)模光伏電站及儲能系統(tǒng)，適配需要高電壓、高效率和高可靠性的應(yīng)用場景，減少電壓降和損耗，提高發(fā)電與儲能效率。

產(chǎn)品型號

PAAA20350PM

產(chǎn)品優(yōu)勢

超高耐壓:VDSS>2000V，適用于母線電壓1500V系統(tǒng);

含銅基板散熱:提升散熱面積，降低芯片的溫度沖擊力;

AMB陶瓷基板:使用導(dǎo)熱系數(shù)更高、韌性更強的Si3N4陶瓷基板;

支持集成多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。

應(yīng)用場景

光伏逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，支持光伏陣列的輸出，降低線纜與開關(guān)損耗，提升能量轉(zhuǎn)換效率;

儲能系統(tǒng)：雙向高效充放電，控制能量流動，優(yōu)化充放電過程，延長電池壽命，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性;

工業(yè) UPS / 充電樁：高壓輸入、高效率輸出，滿足大功率需求。

落地案例

1500V DC大型地面電站項目

技術(shù)實施方案

拓?fù)涓镄拢河脙呻娖郊軜?gòu)替代傳統(tǒng)三電平，單臺逆變器器件數(shù)量使用減少，回路復(fù)雜度降低;

散熱優(yōu)化：依托模塊氮化鋁基板與雙面散熱設(shè)計，取消原強制水冷系統(tǒng)，改用自然風(fēng)冷 + 局部散熱片組合方案;

高頻適配：開關(guān)頻率得以顯著提升，濾波電感體積有效縮減，逆變器整體尺寸實現(xiàn)縮小。

應(yīng)用成效

較傳統(tǒng)硅基方案，最高轉(zhuǎn)換率得以有效提升，且每度電成本降低從而實現(xiàn)了降本增效，同時因適配多風(fēng)沙、高溫環(huán)境，有效延長了運維周期。

電側(cè)網(wǎng)200MWh構(gòu)網(wǎng)型儲能電站

技術(shù)實施方案

雙向轉(zhuǎn)換優(yōu)化：模塊充放電切換響應(yīng)時間縮短，配合虛擬同步機控制算法，一次調(diào)頻響應(yīng)速度提升，滿足電網(wǎng) AGC 調(diào)度要求;

電池系統(tǒng)適配：2000V 模塊直接適配 1500V DC 磷酸鐵鋰電池組，電池串聯(lián)數(shù)量減少，單簇故障風(fēng)險降低;

熱管理創(chuàng)新：利用模塊高溫耐受特性，將 PCS 工作環(huán)境溫度上限提升至，散熱風(fēng)扇數(shù)量減少，噪音有效降低。

應(yīng)用成效

能效提升，年節(jié)電增加，同時可靠性升級延長了模塊使用生命周期，更是因調(diào)頻響應(yīng)速度達標(biāo)，獲得電網(wǎng)輔助服務(wù)收益較傳統(tǒng)方案提升，投資回收周期縮短。

150kW工業(yè)UPS與240kW快充樁雙場景應(yīng)用

技術(shù)實施方案

某超大型數(shù)據(jù)中心要求 UPS 系統(tǒng)實現(xiàn) "零中斷供電"，且適配高密度服務(wù)器的瞬時負(fù)載波動。采用Easy 3B 1200V模塊構(gòu)建 ANPC 拓?fù)?UPS 系統(tǒng)。某城市公交集團建設(shè)快充站，要求單樁輸出功率達標(biāo)高要求，且適應(yīng)戶外高溫、高濕環(huán)境。選用Easy 3B 1200V模塊構(gòu)建 LLC 諧振拓?fù)涑潆娔K。

應(yīng)用成效

數(shù)據(jù)優(yōu)化有效避免了服務(wù)器掉電風(fēng)險，同時適配數(shù)據(jù)中心算力動態(tài)調(diào)整需求，使得充電模塊效率在一定程度實現(xiàn)提升且較硅基方案減少了損耗;先進的封裝設(shè)計讓充電模塊體積縮小，減少了安裝空間。

派恩杰 2000V 碳化硅器件通過平衡性能與成本，為中高壓電力電子系統(tǒng)提供了高效、可靠的解決方案，尤其在新能源和能源轉(zhuǎn)型相關(guān)領(lǐng)域具有較強的應(yīng)用潛力。更多產(chǎn)品及具體型號的參數(shù)(如導(dǎo)通電阻、電流等級等)可通過我們的官方網(wǎng)站查看 datasheet，以匹配您的具體應(yīng)用場景的需求。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計和方案商，國際標(biāo)準(zhǔn)委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。