近日，廣立微自主研發(fā)的首臺(tái)專為碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件設(shè)計(jì)的晶圓級(jí)老化測(cè)試系統(tǒng)——WLBI B5260M正式出廠。該設(shè)備的成功推出，將為產(chǎn)業(yè)鏈提供了高效、精準(zhǔn)的晶圓級(jí)可靠性篩選解決方案，助推化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成熟與發(fā)展。

晶圓級(jí)老化測(cè)試至關(guān)重要

與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體相比，基于SiC和GaN的功率器件具有高耐壓、高頻率、高效率等卓越特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等關(guān)鍵領(lǐng)域。

廣立微晶圓級(jí)老化測(cè)試（WLBI）能夠在封裝前，直接在晶圓上對(duì)芯片施加高溫、高壓應(yīng)力，加速其老化過程，從而精準(zhǔn)篩選出有可靠性隱患的缺陷芯片，大幅降低了后續(xù)的封裝和測(cè)試成本，從源頭提升了最終產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

技術(shù)創(chuàng)新 性能卓越

廣立微B5260M 測(cè)試設(shè)備是應(yīng)化合物半導(dǎo)體測(cè)試的苛刻需求設(shè)計(jì)打造的晶圓級(jí)老化測(cè)試系統(tǒng)，其功能定位精準(zhǔn)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著：

01高效并行測(cè)試：

可同時(shí)支持6片晶圓進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的高溫柵極偏壓（HTGB）和高溫反向偏壓（HTRB）測(cè)試，大幅提升了測(cè)試吞吐量，既能滿足小批量驗(yàn)證的研發(fā)需求，也能支持大批量生產(chǎn)的效率要求。

02穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境：

系統(tǒng)具備高精度的溫度控制能力，升溫快速（9℃/min）且無過沖，晶圓面內(nèi)溫度均勻性小于±1℃，為老化測(cè)試提供了穩(wěn)定、一致的環(huán)境，確保了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可比性。

03強(qiáng)大的電壓測(cè)試能力：

HTGB測(cè)試支持高達(dá)±100V的柵壓，HTRB測(cè)試目前支持2000V的反偏電壓，精確測(cè)量Vgs(th)、Igss、Idss等關(guān)鍵參數(shù)，高效篩選出早期失效的缺陷芯片。

04精準(zhǔn)可靠的硬件平臺(tái)：

配備自動(dòng)上下料機(jī)臺(tái)，精準(zhǔn)對(duì)位，確保老化的準(zhǔn)確性。采用先進(jìn)的定位技術(shù)，確保探針重復(fù)扎針精度在20μm以內(nèi)，有效保護(hù)昂貴的晶圓并保證接觸可靠性。結(jié)合基恩士（Keyence）高精度相機(jī)實(shí)現(xiàn)的OCR識(shí)別方案，晶圓定位識(shí)別準(zhǔn)確率極高，杜絕了混片風(fēng)險(xiǎn)。

05智能化軟件系統(tǒng)：

軟件支持可視化操作、在線編輯測(cè)試Map圖、實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試進(jìn)度，并將測(cè)試數(shù)據(jù)圖形化呈現(xiàn)。支持Excel及定制化MAP制作器，使測(cè)試流程編輯更便捷，數(shù)據(jù)分析更直觀。

廣立微B5260M晶圓級(jí)老化測(cè)試設(shè)備出廠，將助力SiC/GaN芯片設(shè)計(jì)及制造企業(yè)提升測(cè)試效率與產(chǎn)品質(zhì)量控制水平，也將為我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供有力的支撐。

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杭州廣立微電子股份有限公司（股票代碼：301095）是領(lǐng)先的集成電路EDA軟件與晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商，公司專注于芯片成品率提升和電性測(cè)試快速監(jiān)控技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外多家大型集成電路制造與設(shè)計(jì)企業(yè)的重要合作伙伴。公司提供EDA軟件、電路IP、WAT電性測(cè)試設(shè)備以及與芯片成品率提升技術(shù)相結(jié)合的整套解決方案，在集成電路設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的整個(gè)產(chǎn)品周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)芯片性能、成品率、穩(wěn)定性的提升，成功案例覆蓋多個(gè)集成電路工藝節(jié)點(diǎn)。