BD9C401EFJ是在1個芯片中內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓DC/DC轉換器。輸入電壓覆蓋4.5V-18.0V，輸出電壓可在0.8V-VIN×0.7V 調節(jié)（且需滿足 VIN×0.125≥0.8V），最大輸出電流達4A（絕對最大 4.5A）。器件內置低導通電阻功率 MOSFET（Pch 典型65mΩ、Nch 典型 35mΩ），采用電流模式控制實現(xiàn)高速瞬態(tài)響應，相位補償配置簡單

*附件：BD9C401EFJ.pdf

主要規(guī)格

型號 | BD9C401EFJ-E2

封裝 | HTSOP-J8

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 2500

最小獨立包裝數(shù)量 | 2500

RoHS | Yes

尺寸圖

特點：

• 同步單相直流 / 直流轉換器
• 過流保護
• 熱關斷保護
• 欠壓鎖定保護
• 短路保護
• 固定軟啟動功能（1 毫秒）

典型應用電路

核心功能與工作機制

1. 電流模式控制與軟啟動

• 電流模式控制 ：通過實時監(jiān)測電感電流調節(jié)開關占空比，相比電壓模式具備更快的瞬態(tài)響應（如圖 14，0A→2A 負載跳變時輸出波動 ±100mV 內），且抗干擾能力強，相位補償僅需外接 RC 元件（RCMP、CCMP），配置簡單。
• 固定軟啟動 ：EN 引腳置高后自動啟動 1ms（典型值）軟啟動，通過緩慢提升輸出電壓抑制啟動時的電容充電浪涌電流，避免輸出過沖，無需外接軟啟動電容。

2. 多重保護機制（鎖存型）

3. 電源使能（EN）與 UVLO 配合控制

EN 引腳為高電平（≥2.0V）時器件激活，低電平（≤0.8V）時進入待機模式（待機電流典型 1μA）。需注意：若 VIN slew rate（上升 / 下降速率）過慢（上升＜1.8V/ms、下降＜0.9V/ms），需通過 EN 控制啟動 / 關斷，而非依賴 UVLO，避免 UVLO 輸出異常導致器件誤動作；若 EN 與 VIN 短接，需嚴格滿足 VIN slew rate 要求（上升≥1.8V/ms、下降≥0.9V/ms）。