DRV8231器件是一個(gè)集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過(guò)支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動(dòng)來(lái)提高效率。

該DRV8231通過(guò)比較模擬輸入VREF和ISEN引腳上的電流檢測(cè)分流電阻兩端的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)電流調(diào)節(jié)功能。限制電流的能力可以顯著降低電機(jī)啟動(dòng)和失速條件下的大電流。
*附件：drv8231.pdf

低功耗睡眠模式通過(guò)關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來(lái)實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護(hù)功能包括電源欠壓鎖定、輸出過(guò)流和器件過(guò)熱。

該DRV8231是引腳對(duì)引腳、可擴(kuò)展 R 的器件系列的一部分 DS（開(kāi)） 以及電源電壓選項(xiàng)，以最小的設(shè)計(jì)更改支持各種負(fù)載和電源軌。有關(guān)該系列中設(shè)備的信息，請(qǐng)參見(jiàn)第 5 節(jié)。在 ti.com 上查看有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的完整產(chǎn)品組合。

特性

• N 溝道 H 橋有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍
• 引腳到引腳，R DS（開(kāi)） 、電壓和電流檢測(cè)/調(diào)節(jié)變體（外部分流電阻器和集成電流鏡）
  • DRV8870：6.5V 至 45V，565mΩ，分流器
  • DRV8251：4.5V 至 48V，450mΩ，分流
  • DRV8251A：4.5V 至 48V，450mΩ，鏡像
  • DRV8231：4.5V 至 33V，600mΩ，分流器
  • DRV8231A：4.5V 至 33V，600mΩ，鏡像
• 高輸出電流能力：3.7A 峰值
• PWM控制接口
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 集成電流調(diào)節(jié)
• 低功耗睡眠模式
  • <1μA（V時(shí)） 虛擬機(jī) = 24伏，T J = 25°C
• 小封裝和占地面積
  • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 WSON，2.0 × 2.0 mm
  • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 HSOP，4.9 × 6.0 mm
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 自動(dòng)重試過(guò)流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （TSD）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

DRV8231是德州儀器（TI）推出的集成電流調(diào)節(jié)功能的3.7A有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，核心特性包括：

• ?寬電壓范圍?：4.5V至33V工作電壓，兼容12V/24V系統(tǒng)。
• ?高集成度?：內(nèi)置N溝道H橋驅(qū)動(dòng)，支持3.7A峰值電流，集成電荷泵（支持100%占空比）。
• ?電流調(diào)節(jié)?：通過(guò)外部檢流電阻（DRV8231）或內(nèi)部電流鏡像（DRV8231A）實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)限流。
• ?低功耗?：睡眠模式電流<1μA（典型值）。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?驅(qū)動(dòng)能力?：3.7A峰值輸出電流，600mΩ RDS(on)（高/低側(cè)MOSFET）。
• ?控制接口?：支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入，PWM頻率最高200kHz。
• ?保護(hù)功能?：
  • 電源欠壓鎖定（UVLO）
  • 自動(dòng)重試過(guò)流保護(hù)（OCP）
  • 熱關(guān)斷（TSD，170°C典型值）
• ?封裝選項(xiàng)?：8引腳HSOP（4.9×6.0mm）或WSON（2.0×2.0mm）帶散熱焊盤(pán)。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• ?家電?：洗衣機(jī)、咖啡機(jī)、吸塵器
• ?醫(yī)療設(shè)備?：呼吸機(jī)、手術(shù)器械
• ?工業(yè)?：ATM機(jī)、電動(dòng)病床、健身器材
• ?繼電器驅(qū)動(dòng)?：?jiǎn)?雙線(xiàn)圈鎖存繼電器

?4. 功能模塊?

• ?H橋控制?：支持正向、反向、制動(dòng)（低側(cè)慢衰減）和滑行（高阻）模式。
• ?電流調(diào)節(jié)?：通過(guò)VREF引腳設(shè)置限流閾值（ITRIP = 10×VREF/RSENSE）。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • OCP響應(yīng)時(shí)間1.5μs，自動(dòng)重試周期3ms。
  • TSD滯后40°C，防止頻繁觸發(fā)。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?自舉電容?：推薦0.1μF陶瓷電容（VM額定電壓）。
• ?布局建議?：
  • 功率回路最小化，散熱焊盤(pán)連接多層地平面。
  • 檢流電阻（RSENSE）需選用低電感、高功率規(guī)格。
• ?熱管理?：
  • HSOP封裝RθJA低至42.8°C/W（4層板設(shè)計(jì)）。
  • 瞬態(tài)熱阻抗ZθJA隨脈沖時(shí)間縮短顯著降低。

?6. 典型應(yīng)用電路?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：VM接12V-24V，ISEN引腳接0.1-0.5Ω檢流電阻。
• ?繼電器驅(qū)動(dòng)?：OUTx直接驅(qū)動(dòng)線(xiàn)圈，利用體二極管續(xù)流。
• ?堵轉(zhuǎn)檢測(cè)?：通過(guò)電流檢測(cè)放大器監(jiān)控ISEN電壓。