FRAM的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
FRAM是由美國(guó) Ramtron公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。 其核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM） 和非易失性存儲(chǔ)器的特性。
原理：鐵電晶體材料的工作原理是： 當(dāng)我們把電場(chǎng)加載到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心原子會(huì)沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)。晶陣中的每個(gè)自由浮動(dòng)的中心原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，一個(gè)我們記作邏輯 0，另一個(gè)記作邏輯 1。中心原子能在常溫﹑沒(méi)有電場(chǎng)的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)一百年以上。 由于在整個(gè)物理過(guò)程中沒(méi)有任何原子碰撞，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）擁有高速讀寫(xiě)，超低功耗和無(wú)限次寫(xiě)入等特性。
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