AMC1306M05-Q1 是一款精密的 δ-Σ 調(diào)制器，其輸出通過具有很強(qiáng)抗磁干擾能力的隔離柵與輸入電路隔開。該屏障經(jīng)認(rèn)證可提供高達(dá) 7070 V 的增強(qiáng)隔離峰符合 DIN VDE V 0884-11 和 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)，并支持高達(dá) 1.5 kV 的工作電壓 有效值 .隔離柵將系統(tǒng)中在不同共模電壓電平下運(yùn)行的部分分開，并保護(hù)低壓側(cè)免受可能導(dǎo)致電氣損壞或?qū)Σ僮鲉T有害的電壓的影響。
*附件：amc1306m05-q1.pdf

AMC1306M05-Q1 的輸入經(jīng)過優(yōu)化，可直接連接到分流電阻器或其他低電壓電平信號源。出色的直流精度和低溫度漂移支持車載充電器 （OBC）、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、牽引逆變器或其他高壓應(yīng)用中的精確電流控制。通過使用集成數(shù)字濾波器（例如 TMS320F2807x 或 TMS320F2837x 微控制器系列中的濾波器）對比特流進(jìn)行抽取，該器件可以在 78 kSPS 的數(shù)據(jù)速率下實(shí)現(xiàn) 16 位分辨率，動態(tài)范圍為 85 dB。

AMC1306M05-Q1 采用 8 引腳寬體 SOIC 封裝，符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用，并支持 –40°C 至 +125°C 的溫度范圍。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，T一個
• 功能安全功能
  • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 線性輸入電壓范圍：±50 mV
• 低直流誤差：
  • 失調(diào)誤差：±50 μV （最大值）
  • 失調(diào)漂移：1 μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.2%（最大值）
  • 增益漂移：±40 ppm/°C（最大值）
• 高 CMTI：100 kV/μs（最小值）
• 低 EMI：符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 7070-V峰根據(jù) DIN VDE V 0884-11： 2017-01 的強(qiáng)化隔離
  • 5000伏有效值根據(jù) UL1577 隔離 1 分鐘

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品核心定位

AMC1306M05-Q1 是德州儀器（TI）推出的 汽車級高精度隔離型 ΔΣ 調(diào)制器 ，專為混合動力汽車（HEV）、純電動汽車（EV）的高電壓場景設(shè)計(jì)，如牽引逆變器、車載充電器（OBC）、DC/DC 轉(zhuǎn)換器及直流充電樁的分流電阻式電流檢測與隔離電壓測量。其核心優(yōu)勢在于 強(qiáng)化隔離性能 （耐受 7070 VPEAK 瞬態(tài)電壓）、 超低直流誤差 （偏移誤差最大 ±50 μV）與 高抗干擾能力 （共模瞬態(tài) immunity 100 kV/μs），采用 5.85mm×7.50mm 8 引腳寬體 SOIC 封裝，滿足 AEC-Q100 Grade 1 級要求（-40°C 至 125°C 寬溫），適配汽車極端環(huán)境與安全規(guī)范。

二、關(guān)鍵特性

1. 高隔離與可靠性

• 隔離性能 ：
  • 強(qiáng)化隔離認(rèn)證：符合 DIN VDE V 0884-11（7070 VPEAK 瞬態(tài)隔離電壓）、UL1577（5000 VRMS 1 分鐘耐受電壓），工作電壓達(dá) 1.5 kVRMS，隔離屏障采用 SiO?電容結(jié)構(gòu)，抗磁場干擾能力優(yōu)異。
  • 長期穩(wěn)定性：隔離電容壽命投影達(dá) 135 年（1500 VRMS 工作電壓下），爬電距離與電氣間隙均≥8.5 mm，滿足污染等級 2、氣候類別 40/125/21 要求，適配汽車高電壓安全標(biāo)準(zhǔn)。
• 汽車級可靠性 ：
  • AEC-Q100 認(rèn)證：Grade 1 級溫度范圍（-40°C 至 125°C），通過 ESD 測試（HBM±2000 V、CDM±1000 V），采用 NiPdAu 引腳鍍層，提升抗腐蝕與焊接穩(wěn)定性。
  • 功能安全支持：提供功能安全相關(guān)文檔，助力系統(tǒng)滿足 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車安全關(guān)鍵部件。

2. 高精度與低噪聲

• 直流精度 ：
  • 線性輸入范圍：±50 mV（滿量程），適配分流電阻小信號檢測；偏移誤差最大 ±50 μV（25°C），偏移溫度漂移最大 ±1 μV/°C，增益誤差最大 ±0.2%，增益溫度漂移最大 ±40 ppm/°C，確保全溫域測量精度。
  • 線性度：16 位分辨率下微分非線性（DNL）±0.99 LSB，積分非線性（INL）最大 ±5 LSB（3.0V≤AVDD≤3.6V），減少量化誤差。
• 動態(tài)性能 ：
  • 信噪比（SNR）：1 kHz 輸入時(shí)典型值 82.5 dB，信號噪聲失真比（SINAD）82.3 dB，有效抑制噪聲干擾。
  • 總諧波失真（THD）：-98 dB（5V 供電），無雜散動態(tài)范圍（SFDR）100 dB，減少信號失真，適配高精度電流控制場景。
  • 共模抑制比（CMRR）：直流時(shí) - 99 dB，0.1 Hz-50 kHz 時(shí) - 98 dB，共模瞬態(tài) immunity（CMTI）100 kV/μs，抵御高電壓環(huán)境下的共模噪聲。

3. 靈活供電與低功耗

• 寬供電范圍 ：
  • 高側(cè)電源（AVDD）：3.0V-5.5V，低側(cè)電源（DVDD）：2.7V-5.5V，無需嚴(yán)格供電時(shí)序，適配汽車不同電壓域（如 3.3V MCU、5V 傳感器電源）。
• 功耗優(yōu)化 ：
  • 正常模式：AVDD=5V 時(shí)典型電流 9.8 mA，DVDD=3.3V 時(shí)典型電流 4.8 mA；無額外待機(jī)模式，但可通過關(guān)閉時(shí)鐘降低功耗，適配汽車低功耗要求。

三、典型應(yīng)用場景

1. 牽引逆變器電流檢測 ：監(jiān)測電機(jī)驅(qū)動電流，100 kV/μs CMTI 確保高電壓切換時(shí)信號穩(wěn)定，±50 μV 偏移誤差支持精準(zhǔn)扭矩控制。
2. 車載充電器（OBC） ：檢測充電電流與電壓，強(qiáng)化隔離保護(hù)低壓側(cè) MCU，82.5 dB SNR 確保充電效率優(yōu)化與過流保護(hù)精度。
3. DC/DC 轉(zhuǎn)換器 ：隔離測量高低壓側(cè)電流，±1 μV/°C 偏移漂移適配汽車寬溫環(huán)境，避免溫度變化導(dǎo)致的檢測誤差。
4. 直流充電樁 ：分流電阻式電流采樣，7070 VPEAK 隔離電壓滿足充電樁高電壓安全要求，5000 VRMS 耐受電壓符合電網(wǎng)安全規(guī)范。

四、器件信息與訂購參數(shù)

1. 基礎(chǔ)器件信息

2. 訂購選項(xiàng)詳情

五、電氣與熱特性

1. 絕對最大額定值（核心參數(shù)）

2. 推薦工作條件

3. 熱特性（8 引腳 SOIC 封裝）

六、功能模式與關(guān)鍵模塊

1. 核心功能模塊

• ΔΣ 調(diào)制器核心 ：
  • 二階前饋架構(gòu)：模擬輸入經(jīng)全差分放大器（斬波穩(wěn)定，降低 1/f 噪聲）送入開關(guān)電容 ΔΣ 調(diào)制器，將 ±50 mV 模擬信號轉(zhuǎn)換為 1 位數(shù)字比特流，通過 SiO?隔離屏障傳輸至低側(cè)，比特流占空比與輸入電壓成正比（0V 輸入對應(yīng) 50% 占空比，+50 mV 對應(yīng) 89.06% 占空比）。
  • 噪聲整形：將量化噪聲轉(zhuǎn)移至高頻，配合外部 sinc3 濾波器（過采樣率 OSR=256），可實(shí)現(xiàn) 16 位分辨率，動態(tài)范圍 85 dB（78 kSPS 數(shù)據(jù)率）。
• 隔離傳輸 ：
  • 基于開關(guān)鍵控（OOK）調(diào)制：高側(cè)發(fā)射端生成 480 MHz 載波，“1” 對應(yīng)載波傳輸，“0” 對應(yīng)無載波，低側(cè)接收端解調(diào)恢復(fù)比特流，隔離屏障電容僅～1.5 pF，減少寄生耦合與 EMI。
  • 故障診斷：輸入超量程（±64 mV）時(shí)，每 128 個時(shí)鐘周期輸出 1 個 “1” 或 “0” 標(biāo)識有效超量程；高側(cè)電源缺失時(shí)輸出恒定 “0”；共模電壓超限時(shí)輸出恒定 “1”，便于系統(tǒng)故障檢測。
• 串行接口 ：
  • 4 線控制：CLKIN（外部時(shí)鐘，5-21 MHz）、DOUT（低側(cè)比特流輸出，MSB 優(yōu)先）、INP/INN（差分模擬輸入），支持多器件同步（共享 CLKIN），適配多通道電流檢測。

2. 輸入與輸出特性

• 模擬輸入 ：
  • 差分輸入設(shè)計(jì)：輸入電阻 4.9 kΩ（差分）、4.75 kΩ（單端），輸入電容 2 pF（差分）、4 pF（單端），適配分流電阻（如 0.001 Ω 電阻，50 A 電流對應(yīng) 50 mV 壓降），需外部 RC 濾波（如 10 Ω 電阻 + 10 nF 電容）抑制高頻噪聲。
  • 共模電壓范圍：由 AVDD 決定（典型值 - 0.032×AVDD-2.1 V），AGND 需獨(dú)立連接至分流電阻 INN 側(cè)，避免接地環(huán)路影響精度。
• 數(shù)字輸出 ：
  • CMOS 電平：高電平≥DVDD-0.4 V（灌電流 4 mA），低電平≤0.4 V（拉電流 4 mA），負(fù)載電容≤30 pF，CLKIN 上升沿后 15 ns 內(nèi) DOUT 有效，確保時(shí)序同步。