仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級結技術的 N 溝道功率 MOSFET,憑借 700V 級耐壓、超低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等高壓功率轉換場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應用場景等維度展開說明。
一、產(chǎn)品基本信息
MOT70R280D 為N 溝道超級結功率 MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:
- 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V級,適配高壓功率轉換場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值約0.28Ω,高壓場景下顯著降低導通損耗;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):需結合具體規(guī)格書確認,通常適配中大功率負載的持續(xù)電流需求;
- 柵極電荷(\(Q_g\)):優(yōu)化設計以降低驅動功耗,提升高頻開關適配性。
二、核心特性
- 超級結架構:通過垂直結構創(chuàng)新,實現(xiàn)高耐壓與低導通電阻的平衡,700V 耐壓下\(R_{DS(on)}\)僅 0.28Ω 級,大幅降低高壓轉換的導通損耗;
- 高頻開關能力:優(yōu)化開關特性,適合 PFC、SMPS 等高頻拓撲的快速切換需求,提升系統(tǒng)能量轉換效率;
- 高魯棒性設計:具備優(yōu)異的雪崩耐量與 dv/dt 耐受能力,在感性負載開關、異常過壓工況下可靠性強;
- 環(huán)保合規(guī)性:符合 RoHS 標準,適配綠色電子制造要求。
三、典型電氣參數(shù)(參考同系列超級結 MOSFET 特性,具體以官方手冊為準)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):支持數(shù)倍于連續(xù)電流的短時過載(具體值以規(guī)格書為準);
- 功耗(\(P_D\)):需結合封裝與散熱設計,通常適配中大功率場景的熱管理需求;
- 結溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結溫區(qū)間一致;
- 熱特性:結殼熱阻(\(R_{JC}\))與結環(huán)境熱阻(\(R_{JA}\))需參考官方數(shù)據(jù),實際應用需搭配散熱措施優(yōu)化結溫。
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:通常采用TO-252 貼片封裝(后綴 “D” 典型標識),適配高密度電路板的高壓功率設計;也可提供 TO-251 直插封裝(按需選擇);
- 典型應用:
五、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)為基于超級結 MOSFET 系列特性的推導,實際應用需以 MOT70R280D 官方規(guī)格書及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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