仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET,憑借 650V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景;
- 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值0.38Ω,高壓場(chǎng)景下平衡導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)性能;
- 柵極電荷(\(Q_g\)):典型值4.8nC,降低驅(qū)動(dòng)電路功耗,提升開(kāi)關(guān)頻率適配性;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):11A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá)30A,滿足負(fù)載瞬時(shí)功率需求。
二、核心特性
- 低導(dǎo)通電阻與柵極電荷:0.38Ω 導(dǎo)通電阻與 4.8nC 柵極電荷的組合,大幅降低導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗,適配高頻功率轉(zhuǎn)換(如 PFC 拓?fù)?、SMPS 拓?fù)洌?/li>
- 100% UIS 測(cè)試驗(yàn)證:通過(guò)單向雪崩耐量(UIS)測(cè)試,單脈沖雪崩能量達(dá)245mJ,在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng);
- RoHS 合規(guī):采用無(wú)鉛工藝,符合環(huán)保制造要求,適配綠色電子產(chǎn)業(yè)需求。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 功耗:
- TO-220 封裝下90W;
- TO-220F 封裝下31.8W;實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施(如 PCB 敷銅、散熱焊盤(pán))保障長(zhǎng)期可靠工作;
- 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。
四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景
- 封裝形式:
- TO-220F 直插封裝,包裝規(guī)格 50 片 / 管;
- TO-220 直插封裝,包裝規(guī)格 50 片 / 管;
- 典型應(yīng)用:
五、信息來(lái)源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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