英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應(yīng)對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構(gòu)提供支撐。

高速接口與卓越性能
①該系列MRAM存儲芯片支持多路I/O及全SPI兼容性，時鐘頻率最高達200 MHz。
②MRAM存儲芯片通過8個I/O信號實現(xiàn)高達400MB/s的讀寫速度，具備真正的字節(jié)尋址能力與極低延遲。
③采用1.8V單電源供電，在保持低引腳數(shù)的基礎(chǔ)上實現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸。

工業(yè)級耐用性與系統(tǒng)可靠性
①MRAM存儲芯片在不依賴超級電容或電池的情況下，提供瞬時斷電數(shù)據(jù)保護，大幅提升系統(tǒng)在數(shù)據(jù)持久性要求極高場景中的可靠性。
②MRAM存儲芯片具備極高耐用性，可應(yīng)對頻繁寫入與高負(fù)載存儲任務(wù)，簡化系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜度，延長設(shè)備使用壽命。

廣泛適用性與替代優(yōu)勢
①工業(yè)自動化與過程控制
②汽車與交通電子系統(tǒng)
③模擬仿真與交互游戲
④各類工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備及嵌入式系統(tǒng)

Everspin xSPI MRAM存儲芯片不僅延續(xù)了MRAM技術(shù)的非易失、低延遲和高耐用特性，更借助標(biāo)準(zhǔn)化串行接口，打開了向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用。如需了解更多，請搜索英尚微。

審核編輯 黃宇