AMC1304-Q1 是一款精密的 δ-σ （ΔΣ） 調(diào)制器，其輸出通過(guò)具有很強(qiáng)抗磁干擾能力的電容式雙隔離柵與輸入電路隔開(kāi)。該屏障經(jīng)認(rèn)證可提供高達(dá) 7000 V 的增強(qiáng)隔離峰符合 DIN V VDE V 0884-10、UL1577 和 CSA 標(biāo)準(zhǔn)。該器件與隔離式電源結(jié)合使用，可防止高共模電壓線上的噪聲電流進(jìn)入本地系統(tǒng)接地并干擾或損壞低壓電路。
*附件：amc1304l05-q1.pdf

AMC1304-Q1 的輸入經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可直接連接到分流電阻器或其他低電壓電平信號(hào)源。±50mV 器件獨(dú)特的低輸入電壓范圍可顯著降低分流器的功耗，同時(shí)支持出色的交流和直流性能。通過(guò)使用適當(dāng)?shù)臄?shù)字濾波器（即集成在 TMS320F2807x 或 TMS320F2837x 系列上）對(duì)比特流進(jìn)行抽取，該器件可以在 78 kSPS 的數(shù)據(jù)速率下實(shí)現(xiàn) 16 位分辨率，動(dòng)態(tài)范圍為 81 dB （13.2 ENOB）。

在高側(cè)，調(diào)制器由集成的低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器供電，該穩(wěn)壓器允許 4 V 至 18 V （LDOIN） 之間的非穩(wěn)壓輸入電壓。隔離式數(shù)字接口采用3.3 V或5 V電源（DVDD）供電。

AMC1304-Q1 采用寬體 SOIC-16 （DW） 封裝。

特性

• 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
• AEC-Q100 符合以下標(biāo)準(zhǔn)：
  • 溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C
  • HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • CDM ESD 分類 C6 級(jí)
• 引腳兼容系列，具有：
  • ±50mV或±250mV輸入電壓范圍
  • CMOS 或 LVDS 數(shù)字接口選項(xiàng)
• 優(yōu)異的直流性能：
  • 失調(diào)誤差：±50 μV 或 ±100 μV（最大值）
  • 失調(diào)漂移：1.3 μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值）
  • 增益漂移：±40 ppm/°C（最大值）
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 7000伏PK根據(jù) DIN V VDE V 0884-10 （VDE V 0884-10）： 2006-12 的增強(qiáng)隔離
  • 5000伏有效值隔離 1 分鐘，符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • CAN/CSA 第 5A 號(hào)組件驗(yàn)收服務(wù)通知
• 瞬態(tài)抗擾度：15 kV/μs（最小值）
• 高電磁場(chǎng)抗擾度
  （參見(jiàn)應(yīng)用筆記 SLLA181A）
• 外部5 MHz至20 MHz時(shí)鐘輸入
• 片內(nèi)18V LDO穩(wěn)壓器

參數(shù)

方框圖

AMC1304L05-Q1 是 AEC-Q100 認(rèn)證的高精度增強(qiáng)型隔離 ΔΣ 調(diào)制器，內(nèi)置 LDO 調(diào)節(jié)器，專為汽車高壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)，具備 ±50 mV 輸入范圍、LVDS 數(shù)字接口與高隔離等級(jí)，適用于牽引逆變器、車載充電器等場(chǎng)景的高精度電流 / 電壓檢測(cè)。

核心參數(shù)與特性

• 性能規(guī)格 ：16 位分辨率，微分非線性（DNL）±0.99 LSB，積分非線性（INL）±5 LSB；偏移誤差最大 ±50 μV，偏移漂移最大 1.3 μV/°C，增益誤差最大 ±0.3%。
• 輸入與接口 ：差分輸入范圍 ±50 mV（最大鉗位電壓 ±62.5 mV），輸入阻抗 5 kΩ；采用 LVDS 數(shù)字接口，外部時(shí)鐘輸入范圍 5 MHz-20.1 MHz，數(shù)據(jù)同步于 CLKIN 下降沿輸出。
• 隔離與抗干擾 ：增強(qiáng)型隔離等級(jí)，峰值隔離電壓 7000 VPK，1 分鐘耐壓 5000 VRMS；共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）最小 15 kV/μs，共模抑制比（CMRR）直流時(shí)達(dá) -98 dB，電磁干擾免疫力強(qiáng)。
• 供電與功耗 ：集成 LDO 支持 4V-18V 寬輸入（LDOIN），輸出 3.45 V（VCAP）；控制器側(cè)供電（DVDD）3.0V-5.5V；LDO 輸入電流典型值 5.3 mA，LVDS 接口供電電流典型值 6.1 mA。
• 封裝與環(huán)境 ：16 引腳 SOIC（DW）封裝（10.3mm×7.5mm），工作溫度范圍 -40°C 至 +125°C，ESD 防護(hù)等級(jí) HBM ±2500V、CDM ±1000V。

關(guān)鍵功能說(shuō)明

• 調(diào)制與濾波 ：二階 ΔΣ 調(diào)制器輸出 1 位比特流，需搭配外部數(shù)字濾波器（如 sinc3 濾波器） decimation 處理，78 kSPS 數(shù)據(jù)率下動(dòng)態(tài)范圍達(dá) 81 dB（13.2 ENOB）。
• 集成 LDO 與供電 ：內(nèi)置 LDO 簡(jiǎn)化高壓供電設(shè)計(jì)，無(wú)需額外穩(wěn)壓電路；LDO 輸入需配置 0.1 μF 去耦電容，輸出（VCAP）需搭配 0.1 μF 電容穩(wěn)定電壓。
• 故障安全與過(guò)范圍輸出 ：LDO 輸入缺失時(shí)輸出保持穩(wěn)定，避免系統(tǒng)誤動(dòng)作；輸入超量程時(shí)，每 128 個(gè)時(shí)鐘周期輸出一個(gè)特定比特，區(qū)分供電故障與滿量程輸入。
• 抗干擾性能 ：電源抑制比（PSRR）達(dá) -110 dB，輸入帶寬 800 kHz，能有效抑制高壓環(huán)境中的電源噪聲與瞬態(tài)干擾。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

適用于汽車牽引逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)（BMS）等高壓場(chǎng)景，可直接對(duì)接分流電阻實(shí)現(xiàn)高精度電流檢測(cè)，或通過(guò)電阻分壓器實(shí)現(xiàn)隔離電壓檢測(cè)，適配 TMS320F2807x/F2837x 等 MCU 的 sigma-delta 濾波器模塊（SDFM）。

應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

• 電源與去耦 ：LDOIN 引腳需外接 0.1 μF 低 ESR 陶瓷去耦電容（可追加 10 μF 電容增強(qiáng)濾波），VCAP 引腳配置 0.1 μF 去耦電容，均靠近引腳放置。
• 布局建議 ：嚴(yán)格保持引腳間爬電距離與電氣間隙≥8 mm；模擬輸入走線遠(yuǎn)離數(shù)字電路，LVDS 接口需在靠近器件處放置 100 Ω 終端電阻，分流電阻貼近模擬輸入引腳且走線對(duì)稱。
• 輸入配置 ：電流檢測(cè)時(shí)直接連接低阻抗分流電阻，電壓檢測(cè)需通過(guò)高精度電阻分壓器衰減高壓；為抵消偏置電流影響，建議在 AINN 引腳串聯(lián)與檢測(cè)電阻等值的匹配電阻。
• 時(shí)鐘與同步 ：多通道應(yīng)用時(shí)需同步外部時(shí)鐘（CLKIN），占空比保持在 40%-60%；接口啟動(dòng)時(shí)間為 32 個(gè) CLKIN 周期，模擬啟動(dòng)時(shí)間 1 ms，需預(yù)留足夠啟動(dòng)時(shí)間。