91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

臺(tái)電極光a30內(nèi)存評(píng)測 DDR4內(nèi)存入門首選

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-28 10:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、前言:臺(tái)電入場 重新定義普條

近期,臺(tái)電將會(huì)發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。

隨著DDR4的全面普及,市面上可供消費(fèi)者選擇的DDR4內(nèi)存產(chǎn)品也越來越多,魚龍混雜,良莠不齊,給裝機(jī)的朋友們帶來了極大的困擾。

↑↑↑馬甲條(上)與普條(下)外觀對(duì)比

一般來說,普條的價(jià)格更低,性價(jià)比更高,更適合普通大眾消費(fèi)者入手。而馬甲條一般是定位中高端超頻內(nèi)存,擁有更美觀的外形馬甲設(shè)計(jì),更穩(wěn)定的金手指,更多的PCB板層數(shù)。

無疑,相對(duì)普條,同規(guī)格的馬甲條擁有更好的散熱性能和更穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài),當(dāng)然,價(jià)格也相對(duì)更高。

而臺(tái)電這次首次發(fā)售的內(nèi)存極光A30,雖然定位在主流入門的普條級(jí)別,但是不僅自帶馬甲,更是直接將DDR4起步的2133MHz頻率拉升到2400MHz頻率。

對(duì)于消費(fèi)者來說,這無疑是個(gè)好消息,那么,極光A30能不能徹底攪渾普條市場這潭水,就讓今天的評(píng)測來告訴你吧。

二、外觀上手:散熱馬甲加8層PCB 這波不虧

本次臺(tái)電發(fā)售的A30將會(huì)有4GB單條/8GB單條/16GB單條三個(gè)版本,筆者這次拿到了兩條8GB的內(nèi)存,合計(jì)容量為16GB。

臺(tái)電極光A30 雖定位于主流入門產(chǎn)品,外觀造型卻一點(diǎn)也不含糊。

散熱馬甲外觀造型以“御風(fēng)者”為名,表面采用陽極金屬設(shè)計(jì),并輔以凹痕、鏤空等細(xì)節(jié)設(shè)計(jì),普條如今也自帶炫酷馬甲了。

官方稱“御風(fēng)者”能降低內(nèi)存顆粒溫度3-5℃,在長時(shí)間運(yùn)行及高負(fù)載中,擁有更強(qiáng)的穩(wěn)定性。

但是,就散熱馬甲的厚度和工藝精細(xì)的程度,A30和筆者手上的另一條超頻內(nèi)寸相比還是有一定差距,這也非常直觀的展示出臺(tái)電對(duì)于A30的定位。

A30毫不吝嗇地采用了8層PCB,正面馬甲下是導(dǎo)熱膠墊和8顆一字排開的原廠內(nèi)存顆粒。

尺寸大小為136.5*46.5*4*8.5mm,工作電壓為1.2V。

三、性能測試:普條入門新標(biāo)準(zhǔn) 2400Mhz還能超

先來搭建測試平臺(tái),為了充分展示內(nèi)存的性能,這里選用來12核24線程的AMD Threadripper 1920X加X399主板作為測試平臺(tái)。

我們插上內(nèi)存后,在BIOS中將時(shí)序調(diào)整為官方推薦14-14-14-34。

同時(shí),筆者會(huì)在推薦時(shí)序下,分別測試2133MHz和2400MHz兩個(gè)頻率的表現(xiàn),直觀得給大家展示一下入門直接2400MHz究竟有什么好處。

最后,既然A3O都上了馬甲和8層PCB,不超一下頻試試可惜了。筆者會(huì)單獨(dú)做一個(gè)超頻測試,來看看A30的表現(xiàn)到底如何。

↑↑↑2133MHz-CPUZ

然后調(diào)整到默認(rèn)頻率2400MHz。

↑↑↑2400MHz-CPUZ

1、MemTest Pro烤機(jī)測試

我們使用MemTest Pro版進(jìn)行內(nèi)存測試,默認(rèn)剩余所有內(nèi)存,讓它任性得跑上兩個(gè)半小時(shí),覆蓋率650%,結(jié)果0錯(cuò)誤。

↑↑↑MemTest測試結(jié)果

2、AIDA64內(nèi)存讀寫測試

來看2133MHz和2400MHz不同頻率下的表現(xiàn)。

↑↑↑2133MHz-AIDA64測試

↑↑↑2400MHz-AIDA64測試

對(duì)比詳情:

↑↑↑AIDA64內(nèi)存讀寫測試對(duì)比

↑↑↑AIDA64內(nèi)存延遲測試對(duì)比

可以看到,2133MHz頻率下,其讀寫拷貝速度分別是26041MB/s、26956MB/s、27046MB/s,而在2400MHz頻率下,其讀寫拷貝速度分別為28145MB/s、30308MB/s、29622MB/s。速度提升分別為8%、12%、9.5%。內(nèi)存延從88ns降低至80.5ns,速度提升9%。

3、Sandra內(nèi)存測試

同樣來對(duì)比2133MHz和2400MHz不同頻率下的表現(xiàn),先看內(nèi)存寬帶測試。

↑↑↑2133MHz內(nèi)存寬帶測試

↑↑↑2400MHz內(nèi)存寬帶測試

再來看內(nèi)存延遲測試。

↑↑↑2133MHz內(nèi)存延遲測試

↑↑↑2400MHz內(nèi)存延遲測試

對(duì)比詳情:

可以看到,在2400MHz的頻率下,它的內(nèi)存延遲從95.4ns提高到87ns,響應(yīng)時(shí)間提升了8.8%,內(nèi)存寬帶從22.82GB/s提高到25.48GB/s,也向上提升了11%。

4、WinRAR基準(zhǔn)測試

↑↑↑2133MHz基準(zhǔn)測試

↑↑↑2400MHz基準(zhǔn)測試

對(duì)比詳情:

在WinRAR壓縮測試中,在2133頻率狀態(tài)的內(nèi)存解壓速度為8771KB/s,在2400頻率狀態(tài)的內(nèi)存解壓速度為10823KB/s,速度提升23%。

5、超頻測試

為了保證超頻的穩(wěn)定,筆者將平臺(tái)換成Intel,依舊是默認(rèn)時(shí)序下,我們將頻率超到2600MHz,平臺(tái)正常啟動(dòng),先給大家看一下CPUZ給出的基本信息。

↑↑↑2600MHz-CPUZ

我們跑AIDA64看一下具體數(shù)據(jù)。

↑↑↑2600MHz內(nèi)存讀寫測試

我們來對(duì)比一下2400MHz的數(shù)據(jù)。

↑↑↑AIDA64內(nèi)存讀寫測試對(duì)比

↑↑↑AIDA64內(nèi)存延遲測試對(duì)比

可以非常直觀的看到,在2600MHz加持下,即使用了性能更低的I3 Intel平臺(tái),其性能也得到大幅提升。

內(nèi)存讀寫拷貝速度,分別為37434MB/s、38788MB/s、31808MB/s,相比2400MHz提升了33%、27%、7% ,而內(nèi)存延遲更是直接到51ns,速度提升36%。

由此,可以得出結(jié)論,極光A30是具有一定超頻性能的,而且不止2600MHz,說不定極限還能更高。

但是,A30畢竟是定位在入門的普條,而日常使用也并不需要超頻,因此筆者并未做更多的測試。而且考慮到內(nèi)存長期高負(fù)荷運(yùn)行的穩(wěn)定性問題,也不建議有意入手A30的玩家在超頻下使用。

四、總結(jié):DDR4內(nèi)存入門首選

以往,DIY玩家們提到DDR4入門普條,第一反應(yīng)就是2133MHz、沒有散熱馬甲等等固定印象。

而臺(tái)電雖未公布極光A30的售價(jià),但官方指出價(jià)格定位會(huì)與DDR4主流入門級(jí)別的普條相當(dāng),可以看得出,臺(tái)電選擇了拉高內(nèi)存市場下限這樣一個(gè)進(jìn)入市場的方式。

2400Mhz、散熱馬甲、8層 PCB、原廠內(nèi)存顆粒甚至超頻性能等等普通消費(fèi)者期待的東西一個(gè)都沒拉下,足以見臺(tái)電的誠意和殺入內(nèi)存市場的野心。

總得來說,對(duì)比市面上同價(jià)位DDR4入門普條,臺(tái)電A30將是一款非常具有性價(jià)比的產(chǎn)品,在內(nèi)存一路漲價(jià)的2017年,期待臺(tái)電能給我們帶來新的驚喜吧。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺(tái)電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    47

    瀏覽量

    14079
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    3212

    瀏覽量

    76388
  • DDR4
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    347

    瀏覽量

    43113
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    DDR4價(jià)格瘋漲!現(xiàn)貨市場狂飆!

    下,渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來隨著大廠的減產(chǎn),其他內(nèi)存廠商承接市場需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,近期渠道資源從高端到底部低端料號(hào)價(jià)格自上而下全線走高,渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢拉漲DDR4
    的頭像 發(fā)表于 06-19 00:54 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR4</b>價(jià)格瘋漲!現(xiàn)貨市場狂飆!

    深度解析:DDR4、DDR5 與 LPDDR6 內(nèi)存的驗(yàn)證要點(diǎn)與挑戰(zhàn)

    DDR4 仍被廣泛采用,因其在成本、成熟度與可靠性之間取得良好平衡。典型工作電壓為 1.2 V,數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 3200 MT/s。1 DDR5 已成為新設(shè)計(jì)的主流標(biāo)準(zhǔn),數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 6400
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:47 ?97次閱讀
    深度解析:<b class='flag-5'>DDR4</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>5 與 LPDDR6 <b class='flag-5'>內(nèi)存</b>的驗(yàn)證要點(diǎn)與挑戰(zhàn)

    德州儀器PTH系列DDR/QDR內(nèi)存總線端接模塊解析

    德州儀器PTH系列DDR/QDR內(nèi)存總線端接模塊解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,內(nèi)存總線端接模塊對(duì)于確保DDR和QDR內(nèi)存應(yīng)用的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。德州
    的頭像 發(fā)表于 03-05 10:20 ?210次閱讀

    大摩:DDR4內(nèi)存一季度漲幅或達(dá)50%

    制程擠壓、AI服務(wù)器需求爆發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng),2025年二季度至2026年將開啟存儲(chǔ)芯片“超級(jí)周期”,其中DDR4內(nèi)存2026年一季度價(jià)格漲幅或達(dá)50%,NOR Flash漲幅預(yù)計(jì)為20%-30%,而高密度
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:23 ?1898次閱讀

    三星正式啟動(dòng)DDR4模組停產(chǎn)倒計(jì)時(shí),PC廠商加速轉(zhuǎn)向DDR5,供應(yīng)鏈掀搶貨潮

    涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組,標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時(shí)代進(jìn)入收尾階段。
    的頭像 發(fā)表于 10-14 17:11 ?1408次閱讀

    芯盛智能攜手中國移動(dòng)發(fā)布全國產(chǎn)DDR4內(nèi)存產(chǎn)品

    10月10日,以“碳硅共生 合創(chuàng)AI+時(shí)代”為主題的2025中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)上,芯盛智能科技(湖南)有限公司攜手中國移動(dòng)通信集團(tuán)終端有限公司聯(lián)合發(fā)布基于1Xnm工藝制程的全國產(chǎn)DDR4內(nèi)存產(chǎn)品,這一成果彰顯了數(shù)字基建自主可控又邁出了關(guān)鍵一步,為數(shù)字中國建設(shè)提供了
    的頭像 發(fā)表于 10-13 14:28 ?1655次閱讀

    回收DDR內(nèi)存芯片 收購DDR全新拆機(jī)帶板

    回收DDR2,回收DDR3,收購DDR2,收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收
    發(fā)表于 10-09 14:15

    ?TPS65295 DDR4內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

    TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:16 ?1935次閱讀
    ?TPS65295 <b class='flag-5'>DDR4</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

    DRAM代際交替中的技術(shù)賦能:德明利新一代高性能內(nèi)存方案

    DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中,DDR4的滲透率約為20%-30%,而DDR5的滲透率約為70%-80%(TrendForce集邦咨詢)。在AI算力爆
    的頭像 發(fā)表于 07-09 11:11 ?1927次閱讀
    DRAM代際交替中的技術(shù)賦能:德明利新一代高性能<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>方案

    漲價(jià)!部分DDR4DDR5價(jià)差已達(dá)一倍!

    (2GX8)內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元,當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而,最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元,不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%,且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的4
    的頭像 發(fā)表于 06-27 00:27 ?5075次閱讀

    DDR內(nèi)存市場現(xiàn)狀和未來發(fā)展

    DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR
    的頭像 發(fā)表于 06-25 11:21 ?2382次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>市場現(xiàn)狀和未來發(fā)展

    AI PC內(nèi)存升級(jí),這顆DDR5 PMIC一馬當(dāng)先

    PC處理器對(duì)DDR5的支持,DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4,所有電壓由主板供給,DDR5中
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:11 ?8430次閱讀
    AI PC<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>升級(jí),這顆<b class='flag-5'>DDR</b>5 PMIC一馬當(dāng)先

    看點(diǎn):三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

    給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱,三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:20 ?1418次閱讀

    DDR4漲價(jià)20%,DDR5上調(diào)5%!

    最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%,DDR5 上調(diào)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 01:09 ?7422次閱讀

    TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:58 ?851次閱讀
    TPS51916 <b class='flag-5'>DDR</b>2/3/3L/<b class='flag-5'>4</b> <b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)