電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 “這是我從事存儲行業(yè)以來見過的最猛一次漲價?！币晃毁Y深存儲產(chǎn)業(yè)高管如此感慨。摩根士丹利最新研報顯示，存儲芯片行業(yè)正迎來一場前所未有的價格風(fēng)暴。報告指出，受成熟制程產(chǎn)能被先進(jìn)制程擠壓、AI服務(wù)器需求爆發(fā)等多重因素驅(qū)動，2025年二季度至2026年將開啟存儲芯片“超級周期”，其中DDR4內(nèi)存2026年一季度價格漲幅或達(dá)50%，NOR Flash漲幅預(yù)計為20%-30%，而高密度DDR3已陷入嚴(yán)重短缺，漲勢預(yù)計貫穿上半年。

本輪存儲芯片漲價的核心矛盾源于供給端的結(jié)構(gòu)性收縮，這一格局的形成可追溯至兩年前的行業(yè)調(diào)整。2023年，全球存儲行業(yè)陷入近15年來最嚴(yán)重的虧損周期，三星、SK海力士、美光等頭部廠商集體啟動減產(chǎn)計劃，形成覆蓋產(chǎn)能、資本開支及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的全方位收縮。摩根士丹利在報告中強(qiáng)調(diào)，傳統(tǒng)存儲芯片市場正經(jīng)歷前所未有的供需逆轉(zhuǎn)——與市場此前普遍關(guān)注的DDR5、HBM（高帶寬內(nèi)存）等高端產(chǎn)品不同，此輪漲價的“急先鋒”竟是技術(shù)相對成熟的DDR4、DDR3，以及NOR Flash、SLC/MLC NAND等產(chǎn)品。

AI浪潮下，先進(jìn)制程的產(chǎn)能“虹吸效應(yīng)”進(jìn)一步加劇了傳統(tǒng)存儲芯片的供給缺口。為追求更高盈利，頭部廠商將有限的晶圓資源大量投向HBM等高附加值產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，HBM單價約為DDR5的5倍，三星12層堆疊HBM3E產(chǎn)品毛利率可達(dá)60%以上，顯著高于傳統(tǒng)DDR5的35%。2025年，HBM在DRAM總產(chǎn)能中的占比已達(dá)12%，但由于單顆HBM需消耗3倍于標(biāo)準(zhǔn)DRAM的晶圓資源，其實(shí)際占用的產(chǎn)能相當(dāng)于傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的36%，進(jìn)一步擠壓了DDR4等成熟產(chǎn)品的產(chǎn)能空間。

更關(guān)鍵的是，此次減產(chǎn)并非短期周期性調(diào)整，而是伴隨老舊產(chǎn)線永久關(guān)停的“剛性收縮”。三星、美光關(guān)閉的DDR4產(chǎn)線不僅重啟成本高昂，且技術(shù)已相對落后，直接導(dǎo)致傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)能喪失彈性。三星內(nèi)部調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，減產(chǎn)造成的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能缺口預(yù)計將持續(xù)至2027年。

作為本輪漲價的領(lǐng)漲品種，DDR4市場需求韌性超出預(yù)期。市場監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示，DDR4 8Gb（3200MHz）產(chǎn)品在2025年第四季度環(huán)比暴漲42.9%，現(xiàn)貨價格漲幅一度接近200%，凸顯市場對缺貨的恐慌情緒。2026年第一季度，該規(guī)格產(chǎn)品合約價預(yù)計再漲約50%，至每顆13.5美元左右，較2025年年中低點(diǎn)漲幅超兩倍。一個戲劇性的市場循環(huán)進(jìn)一步加劇了供需緊張：部分客戶因DDR4缺貨轉(zhuǎn)向DDR5，卻遭遇DDR5同樣短缺的困境，被迫“回流”至DDR4市場，形成“漲價螺旋”。類似邏輯同樣適用于DDR4與高密度DDR3——前者短缺引發(fā)的需求回流，進(jìn)一步加大了本就處于減產(chǎn)狀態(tài)的高密度DDR3的供應(yīng)壓力。

NOR Flash市場同步進(jìn)入漲價通道。作為AI服務(wù)器、汽車電子的關(guān)鍵元器件，NOR Flash供給端呈現(xiàn)高度集中且擴(kuò)產(chǎn)受限的特點(diǎn)。盡管市場漲價趨勢迅猛，但行業(yè)龍頭企業(yè)的調(diào)價動作相對謹(jǐn)慎，整體漲價節(jié)奏較為平穩(wěn)。

對于國內(nèi)存儲廠商而言，此次存儲芯片超級周期帶來了結(jié)構(gòu)性機(jī)遇，但挑戰(zhàn)同樣不容忽視。目前國內(nèi)廠商仍面臨明顯技術(shù)壁壘，在HBM等先進(jìn)領(lǐng)域與國際巨頭差距顯著；同時，代工廠漲價可能制約NOR Flash等品類的擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏。摩根士丹利強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前存儲芯片供需缺口短期內(nèi)難以緩解：從供給端看，存儲芯片產(chǎn)能建設(shè)周期長達(dá)18-24個月，國內(nèi)新建產(chǎn)線需至2027年下半年才能逐步釋放產(chǎn)能；若頭部廠商加速釋放成熟制程產(chǎn)能、AI需求不及預(yù)期或終端廠商庫存調(diào)整超預(yù)期，可能導(dǎo)致價格漲幅收窄。

不過就當(dāng)前市場格局而言，摩根士丹利明確表示“暫無悲觀理由”，存儲芯片行業(yè)正迎來新一輪盈利上行周期。