2025中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會（CPEEC&CPSSC）精彩回顧

在2025年11月7日至10日，第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會與中國電源學會第二十八屆學術(shù)年會（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國際會展中心成功召開。本屆盛會匯聚了來自全球電力電子與電源領(lǐng)域的專家學者、企業(yè)代表、科研機構(gòu)及高校師生等5000余人，共探行業(yè)前沿技術(shù)，共繪能源轉(zhuǎn)換新藍圖，現(xiàn)場氣氛熱烈，交流成果豐碩。

干貨分享·共話趨勢

在大會專題論壇中，揚杰科技IGBT事業(yè)部研發(fā)總監(jiān)龍博為現(xiàn)場觀眾帶來題為《面向下一代IGBT微溝槽的發(fā)展趨勢和極窄結(jié)構(gòu)的優(yōu)化研究》的精彩報告。

精彩提煉

隨著功率半導體器件對導通損耗、開關(guān)速度和芯片面積提出更高要求，窄 Mesa結(jié)構(gòu) IGBT 逐漸成為提升單位面積性能的重要方向之一。

本報告圍繞窄 Mesa 溝槽型 IGBT 的縮放極限開展系統(tǒng)研究，分析了 Mesa 寬度縮小過程中對導通壓降、集電極勢壘效應(yīng)（CIBL）、電流均勻性及短路能力的影響機制。研究發(fā)現(xiàn)，當 Mesa 寬度縮小至亞微米級別時，器件 Vce(sat) 顯著降低，但同時出現(xiàn)輸出特性飽和性退化、電流細絲形成等現(xiàn)象，嚴重限制了其短路耐受性能。

為兼顧導通性能與可靠性，本報告提出了一種局部納米窄 Mesa 的新型結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明，在不顯著犧牲擊穿電壓和關(guān)斷損耗的前提下，該結(jié)構(gòu)可實現(xiàn) Vce(sat) 降低的同時短路承受時間提升至10 μs。本研究為超高密度、低損耗 IGBT 的結(jié)構(gòu)設(shè)計提供了理論支撐與仿真依據(jù)，并為未來先進 IGBT 芯片的小型化、模塊化與高可靠性發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

盛會雖已圓滿落幕，但揚杰科技的創(chuàng)新腳步從未停歇。我們始終堅持以技術(shù)為驅(qū)動、以市場為導向，在持續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品性能的同時，密切關(guān)注行業(yè)發(fā)展趨勢，不斷探索功率半導體技術(shù)的更多可能性。秉承“成為世界信賴的功率半導體伙伴”這一使命，我們將持續(xù)深化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，緊密貼合客戶需求，致力于為全球市場提供更高效、更節(jié)能、更可靠的半導體產(chǎn)品和解決方案。展望未來，揚杰科技愿與各界伙伴攜手并進，在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級的道路上并肩前行，共同推動綠色能源變革，書寫電力電子行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的新篇章——期待在下一段旅程中，與您再次相遇，共創(chuàng)價值！

關(guān)于揚杰

揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費類電子等諸多領(lǐng)域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關(guān)懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導體伙伴。