解析 onsemi NVVR26A120M1WSS：碳化硅模塊的卓越之選

在當今電子技術飛速發(fā)展的時代，碳化硅（SiC）技術以其獨特的優(yōu)勢在功率電子領域嶄露頭角。onsemi 的 NVVR26A120M1WSS 作為一款應用于牽引逆變器的 EliteSiC 功率模塊，憑借其高性能、高可靠性等特點，成為眾多工程師關注的焦點。今天，我們就來深入剖析這款模塊的各項特性。

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產品概述

NVVR26A120M1WSS 屬于 EliteSiC 功率模塊系列，該系列是高移動性化合物半導體產品家族的一部分。它在性能、效率和功率密度方面表現出色，并且采用了高度兼容的封裝解決方案。模塊集成了 1200V SiC MOSFET，采用半橋配置，為了提高可靠性和熱性能，還應用了燒結技術進行芯片連接，同時該模塊滿足 AQG324 標準。

產品特性

超低電阻與低雜散電感

• 超低 $R_{DS(on)}$：這一特性使得模塊在導通狀態(tài)下的電阻極低，能夠有效降低功率損耗，提高能源轉換效率。
• 超低雜散電感：雜散電感僅約 7.1 nH，這有助于減少開關過程中的電壓尖峰和電磁干擾，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

高可靠性設計

• 氮化鋁隔離器：采用氮化鋁隔離基板，具有良好的絕緣性能和熱導率，能夠有效隔離高壓電路，提高模塊的安全性。
• 燒結芯片技術：通過燒結技術進行芯片連接，能夠提高芯片與基板之間的連接強度和熱傳導性能，增強模塊的可靠性和穩(wěn)定性。

寬工作溫度范圍

模塊的工作結溫范圍為 -40 至 175°C，存儲溫度范圍為 -40 至 125°C，能夠適應各種惡劣的工作環(huán)境。

汽車級標準

該模塊采用汽車級 SiC MOSFET 芯片技術，并且符合 AQG324 標準，具備 PPAP 能力，適用于汽車電子領域的嚴格要求。

引腳配置與功能

電氣與熱特性

電氣特性

• 導通電阻：在 $V_{GS}=20V$，$ID = 400A$，$T{vj}= 25°C$ 時，$R{DS(ON)}$ 典型值為 2.6 mΩ；在 $T{vj}= 175°C$ 時，典型值為 4.6 mΩ。
• 柵極閾值電壓：$V_{GS(TH)}$ 典型值為 2.1 V，最大值為 3.2 V。
• 跨導：$g_{fs}$ 典型值為 170 S。
• 開關損耗：在不同工作條件下，模塊的開關損耗表現良好，如在 $I{DS} = 400 A$，$V{DS}=800V$ 等條件下，$E{ON}$ 典型值為 26 mJ（$T{vj}=25°C$）和 28 mJ（$T{vj}= 175°C$），$E{OFF}$ 典型值為 14 mJ（$T{vj}=25°C$）和 17 mJ（$T{vj}= 175°C$）。

熱特性

• 結到外殼熱阻：$R_{th,J - C}$ 典型值為 0.028 °C/W。
• 結到流體熱阻：在 10 L/min，65°C，50/50 EGW，參考散熱器條件下，$R_{th,J - F}$ 典型值為 0.11 °C/W。

應用領域

該模塊主要應用于汽車電動/混合動力汽車（EV/HEV）的牽引逆變器中，能夠為汽車的動力系統(tǒng)提供高效、可靠的功率轉換解決方案。

總結

onsemi 的 NVVR26A120M1WSS 碳化硅功率模塊以其超低電阻、低雜散電感、高可靠性和寬工作溫度范圍等特性，為汽車電子領域的牽引逆變器應用提供了優(yōu)秀的解決方案。在實際設計中，工程師們可以根據模塊的電氣和熱特性，合理選擇驅動電路和散熱方案，以充分發(fā)揮模塊的性能優(yōu)勢。大家在使用這款模塊時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的設計思路呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。