安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和帶Al2O3 DBC陶瓷基板的熱敏電阻,封裝為F1型。該電源模塊的特點(diǎn)是具有柵極源電壓+22V/-10V、77A漏極連續(xù)電流(在TC = 80°C時(shí)(TJ = 175°C)、198W最大功率耗散和12.7mm爬電距離。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供預(yù)涂熱界面材料(TIM)和無預(yù)涂熱界面材料。該SiC模塊無鉛、無鹵化物,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站和工業(yè)電源。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽(SiC)模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET全橋
- 三氧化二鋁 (Al
2O3) DBC陶瓷基板 - 包括熱敏電阻
- 可選擇預(yù)涂導(dǎo)熱接口材料(TIM)和無預(yù)涂TIM選項(xiàng)
- 壓配引腳
- 無鉛
- 不含鹵素
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
典型特性

原理圖

尺寸圖

onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述
NXH015F120M3F1PTG是安森美半導(dǎo)體推出的碳化硅功率模塊,采用15mΩ/1200V的M3S SiC MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),封裝在F1封裝中。該模塊特別適用于?高效率、高功率密度?的應(yīng)用場景,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和電動汽車充電站等工業(yè)電源系統(tǒng)。
二、核心電氣特性
2.1 主要技術(shù)參數(shù)
- ?額定電壓?:1200V
- ?導(dǎo)通電阻?:15mΩ(典型值)
- ?最大結(jié)溫?:175°C
- ?連續(xù)漏極電流?:77A(TC=80°C)
- ?脈沖漏極電流?:232A
2.2 開關(guān)特性
在VDS=800V、ID=60A、VGS=-3V/18V的測試條件下:
- ?開啟延遲時(shí)間?:33.3ns(25°C)
- ?上升時(shí)間?:8.6ns
- ?關(guān)斷延遲時(shí)間?:103ns
- ?下降時(shí)間?:7.5ns
2.3 熱管理特性
- ?芯片到外殼熱阻?:0.48°C/W
- ?芯片到散熱器熱阻?:0.86°C/W
三、模塊結(jié)構(gòu)與引腳功能
3.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
采用?全橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)?,包含四個(gè)獨(dú)立的SiC MOSFET開關(guān)管(M1-M4),可實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
3.2 關(guān)鍵引腳定義
四、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)
4.1 柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)
- ?推薦柵極電壓范圍?:-3V至+18V
- ?內(nèi)部柵極電阻?:1.65Ω
4.2 散熱設(shè)計(jì)建議
由于模塊最大功耗為198W,設(shè)計(jì)時(shí)需要:
- 選用高性能散熱器
- 確保良好熱接觸
- 優(yōu)化PCB布局以增強(qiáng)散熱效果
五、性能優(yōu)勢分析
5.1 高溫性能
在高溫環(huán)境下仍保持優(yōu)良特性:
- 150°C時(shí)的導(dǎo)通電阻僅28.7mΩ
- 具備在-40°C至150°C寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作的能力
5.2 開關(guān)特性
通過測試數(shù)據(jù)可見,該模塊具備?快速開關(guān)能力?,有助于降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)整體效率。
六、典型應(yīng)用場景
- ?太陽能逆變器?
- 利用SiC的高頻特性提升功率密度
- 降低系統(tǒng)體積和重量
- ?電動汽車充電站?
- 支持高效率快速充電
- 適應(yīng)惡劣工作環(huán)境
- ?工業(yè)電源系統(tǒng)?
- 提供可靠的大功率處理能力
- 滿足嚴(yán)格的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求
七、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- ?絕緣性能?
- 絕緣測試電壓4800VRMS
- 爬電距離12.7mm
- ?安全工作區(qū)域?
- 嚴(yán)格遵守最大額定值限制
- 在推薦工作范圍內(nèi)使用
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