文章來源：芯長(zhǎng)征科技 作者：芯長(zhǎng)征科技

隨著人工智能技術(shù)從虛擬走向現(xiàn)實(shí)，具身智能與人工智能數(shù)據(jù)中心（AIDC）已成為驅(qū)動(dòng)科技產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心賽道。政策層面，具身智能納入國(guó)家“十五五”戰(zhàn)略布局，AIDC建設(shè)被納入《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》，兩大領(lǐng)域均迎來政策與市場(chǎng)的雙重紅利。江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司依托芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝、檢測(cè)設(shè)備自主可控的垂直產(chǎn)業(yè)鏈，以Virtual-IDM模式打造高適配性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，為兩大領(lǐng)域提供可靠器件支撐。

一、具身智能領(lǐng)域：低壓MOS助力智能設(shè)備高效運(yùn)行

具身智能設(shè)備（如工業(yè)協(xié)作機(jī)器人、智能移動(dòng)載體、康復(fù)輔助設(shè)備）的核心訴求集中在高功率密度、低損耗、小體積與寬溫適配，48V電源架構(gòu)已成為行業(yè)主流，對(duì)100V等級(jí)功率器件提出明確需求。芯長(zhǎng)征針對(duì)性推出低壓MOS產(chǎn)品MPGS10R015AMH，精準(zhǔn)匹配場(chǎng)景需求。

產(chǎn)品名稱：MPGS10R015AMH

來源：芯長(zhǎng)征

核心參數(shù)：

①核心電氣參數(shù)：漏源電壓（VDS）=100V，該參數(shù)決定器件可承受的最大電源電壓，適配具身智能設(shè)備、小型電源等低壓供電場(chǎng)景；

②連續(xù)漏極電流（ID）=353A，這一特性可滿足小型智能機(jī)械臂關(guān)節(jié)電機(jī)、便攜式智能設(shè)備驅(qū)動(dòng)模塊等的電流需求，保障負(fù)載動(dòng)作穩(wěn)定；

③導(dǎo)通電阻（RDS(on)）=1.5mΩ_max@VD=10V，低導(dǎo)通電阻能顯著降低電流通過時(shí)的功率損耗，減少器件發(fā)熱，既適配設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，也能提升能量利用效率；

④封裝：TOLL，該封裝具備小體積、散熱效率較高的特點(diǎn)，適合智能設(shè)備中高密度的電路布局，節(jié)省PCB板空間。同時(shí)，工業(yè)級(jí)MOSFET通常工作溫度范圍為-55℃~150℃，此寬溫特性可讓器件適配戶外、工業(yè)車間等溫差較大的場(chǎng)景，避免溫度波動(dòng)影響性能；

⑤開關(guān)特性參數(shù)：作為增強(qiáng)型N溝道MOSFET，其開關(guān)響應(yīng)速度較快，柵極電荷（Qg）通常處于低水平區(qū)間，可快速響應(yīng)柵極電壓信號(hào)變化，縮短開關(guān)延遲。該特性適配具身智能設(shè)備傳感器反饋后的快速動(dòng)作調(diào)整、電源模塊高頻開關(guān)等場(chǎng)景，提升AIDC設(shè)備響應(yīng)靈敏度；

技術(shù)亮點(diǎn)：

①超低導(dǎo)通損耗，能效優(yōu)勢(shì)顯著；

②高電流承載能力，適配重載場(chǎng)景；

③精準(zhǔn)閾值電壓，驅(qū)動(dòng)控制更可靠；

④小體積封裝，適配高密度集成需求；

⑤適配多場(chǎng)景，兼容性與通用性強(qiáng)；

應(yīng)用場(chǎng)景：

集中在各類具身智能載體的AIDC核心動(dòng)力與電源管理模塊，具體如下：

①工業(yè)與協(xié)作機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)；

②具身智能移動(dòng)設(shè)備動(dòng)力控制；

③康復(fù)與輔助類智能穿戴設(shè)備；

④邊緣端具身智能設(shè)備電源模塊；

⑤具身智能交互設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路；

客戶價(jià)值：

①降低AIDC算力研發(fā)與生產(chǎn)成本，減少客戶綜合投入；

a. 簡(jiǎn)化電路與散熱設(shè)計(jì)成本；

b. 適配高密度集成，節(jié)省空間成本；

②提升AIDC算力終端設(shè)備性能，優(yōu)化客戶產(chǎn)品體驗(yàn)；

a. 保障設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行；

b. 延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航，適配多場(chǎng)景使用；

③增強(qiáng)產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，助力客戶拓展場(chǎng)景與收益；

a. 支撐產(chǎn)品差異化功能開發(fā)；

b. 適配多場(chǎng)景拓展，擴(kuò)大客戶市場(chǎng)覆蓋；

④降低AIDC算力運(yùn)維與售后成本，提升客戶服務(wù)口碑；

二、AIDC領(lǐng)域：SiCMOS適配高壓高效供電需求

AIDC算力需求持續(xù)激增，單機(jī)架功耗已從10kW級(jí)邁向150kW級(jí)，800V HVDC與固態(tài)變壓器（SST）架構(gòu)成為解決傳統(tǒng)供電線損大、能效低的核心方案，對(duì)1200V等級(jí)高壓功率器件的低損耗、高可靠性與擴(kuò)容能力提出嚴(yán)苛要求。芯長(zhǎng)征推出兩款SiCMOS模塊，完美適配場(chǎng)景升級(jí)需求。

（1）產(chǎn)品名稱：MPFFB240M12E3

來源：芯長(zhǎng)征

核心參數(shù)：

①電壓參數(shù)

a. 漏源電壓（Vdss）：1200V，作為寬禁帶碳化硅器件，該高壓規(guī)格可適配中大功率場(chǎng)景下的高壓供電系統(tǒng)，滿足新能源、工業(yè)電源等領(lǐng)域的高壓轉(zhuǎn)換需求;

b. 柵源電壓：穩(wěn)態(tài)與瞬態(tài)耐壓能力優(yōu)異，瞬態(tài)最大柵源電壓可達(dá)+23V和-10V；較常規(guī)器件擴(kuò)大的電壓窗口提升了驅(qū)動(dòng)靈活性，也降低了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)難度;

②導(dǎo)通電阻參數(shù)：導(dǎo)通電阻（Rds(on)）為4mΩ，該低導(dǎo)通電阻特性是其核心優(yōu)勢(shì)之一。在同樣芯片面積下，搭配M1H增強(qiáng)型技術(shù)，能有效減少導(dǎo)通損耗，提升模塊效率，同時(shí)降低AIDC算力系統(tǒng)的散熱需求，適配高頻工作場(chǎng)景；

③溫度參數(shù)：

a. 過載工作結(jié)溫（Tvjop）：過載工況下最高可達(dá)175℃，寬溫度適應(yīng)范圍讓AIDC算力模塊能應(yīng)對(duì)工業(yè)設(shè)備、新能源裝置等高強(qiáng)度運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱場(chǎng)景，減少因高溫導(dǎo)致的停機(jī)故障；

b. 模塊集成NTC溫度傳感器，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)工作溫度，便于系統(tǒng)及時(shí)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)，進(jìn)一步保障器件在復(fù)雜溫度環(huán)境下的穩(wěn)定工作；

④封裝與結(jié)構(gòu)參數(shù)：

a. 封裝規(guī)格：采用EasyDUAL?2B封裝，部分型號(hào)采用氮化鋁陶瓷材料，模塊高度僅12.25mm，屬于同類產(chǎn)品中較輕薄的規(guī)格，利于AIDC設(shè)備內(nèi)部緊湊布局。

b. 采用PressFIT壓接技術(shù)，不僅簡(jiǎn)化了裝配流程，還能提升AIDC算力模塊與電路板連接的可靠性；同時(shí)模塊雜散電感極低，可減少開關(guān)過程中的電壓尖峰，保護(hù)器件并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

⑤其他關(guān)鍵特性參數(shù)

a. 依托寬禁帶（WBG）碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻工作能力，能助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高功率密度，減少無源元件體積；且DCB基板材料導(dǎo)熱性出色，可快速導(dǎo)出工作熱量，進(jìn)一步降低散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成本。

b. 支持并聯(lián)使用，通過多模塊并聯(lián)可適配更大功率場(chǎng)景，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)良好的均流表現(xiàn)，增強(qiáng)大功率系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性，適配充電樁、工業(yè)變頻器等大功率設(shè)備的功率擴(kuò)展需求。

技術(shù)亮點(diǎn)：

①基于M1H增強(qiáng)型技術(shù)的卓越電氣性能；

a. 低損耗且穩(wěn)定的導(dǎo)通特性；

b. 柵極驅(qū)動(dòng)安全且靈活；

c. 寬溫域穩(wěn)定運(yùn)行；

②優(yōu)化的封裝與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；

a. 低雜散電感與高可靠性裝配；

b. 高效散熱與溫度可控；

③適配大功率場(chǎng)景的拓展能力；

a. 支持并聯(lián)擴(kuò)容且均流性好；

b. 高頻適配性提升系統(tǒng)集成效率；

應(yīng)用場(chǎng)景：

作為1200V、4mΩ的碳化硅半橋模塊，憑借高壓適配、低損耗、支持并聯(lián)擴(kuò)容等特性，契合AIDC（人工智能數(shù)據(jù)中心）高功率密度、高效率的供電需求，主要應(yīng)用于其核心供配電環(huán)節(jié)，具體領(lǐng)域如下：

①高壓直流（HVDC）供電系統(tǒng)；

②固態(tài)變壓器（SST）核心部件；

③服務(wù)器側(cè)54V/48V配電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換器；

④大功率冗余電源模塊；

客戶價(jià)值：

AIDC設(shè)備作為適配高壓場(chǎng)景的碳化硅半橋模塊，契合AIDC對(duì)高功率、高效率、高穩(wěn)定性的核心訴求，其客戶價(jià)值集中在降低綜合成本、提升AIDC算力部署能力、保障供電可靠等多個(gè)關(guān)鍵維度，具體如下：

①大幅壓縮AIDC設(shè)備運(yùn)營(yíng)與能耗成本；

②助力提升AIDC機(jī)房算力密度與空間利用率；

③強(qiáng)化AIDC設(shè)備供電穩(wěn)定性，降低業(yè)務(wù)中斷風(fēng)險(xiǎn)；

④提升AIDC方案適配性，降低AIDC設(shè)備研發(fā)與升級(jí)成本；

（2）產(chǎn)品名稱：MPFFB530MK3

來源：芯長(zhǎng)征

核心參數(shù)：

①電氣核心參數(shù)：

電壓規(guī)格漏源極電壓（VDSS，Tvj=25°C）=1200V

柵源峰值電壓（VGSS）=-10V/20V

柵極閾值電壓（VGS(th)）=3.45-5.15V

電流規(guī)格直流漏極電流（IDnom，Tvj=175°C，VGS=15V）=500A

脈沖漏極電流（IDpulse）=1000A

直流體二極管正向電流（ISD，Tvj=175°C，VGS=?5V）=160A

電阻與損耗漏源通態(tài)電阻（RDS(on)，Tj=25°C）=2mΩ；

內(nèi)部柵極電阻（RGint，Tvj=25°C）=0.8Ω

結(jié)-散熱器熱阻（RthJH）=0.104K/W

開關(guān)與電容特性開通延遲時(shí)間（tdon，電感負(fù)載，Tvj=25°C）=83.4ns

關(guān)斷延遲時(shí)間（tdoff，電感負(fù)載，Tvj=25°C）=22.0ns

輸入電容（Ciss，f=1MHz，Tvj=25°C）=39.7nF

輸出電容（Coss，f=1MHz，Tvj=25°C）=2.20nF

反向傳輸電容（Crss，f=1MHz，Tvj=25°C）=0.302nF

②機(jī)械與封裝參數(shù)

a. 封裝規(guī)格：采用AG-62MMHB封裝，屬于62mm系列半橋模塊，外形長(zhǎng)度106.4mm，寬度61.4mm；

b. 其他機(jī)械特性：支持預(yù)先涂抹熱界面材料，適配標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造技術(shù)，便于集成到各類電力電子設(shè)備的散熱和裝配體系中。

③其他關(guān)鍵參數(shù)

a. 工作結(jié)溫范圍為-40-150°C，能適配工業(yè)場(chǎng)景的復(fù)雜溫度環(huán)境；

b. 具備高宇宙射線抗性、卓越的柵極氧化層可靠性和高抗?jié)裥?，同時(shí)集成堅(jiān)固的體二極管，適配UPS、儲(chǔ)能、太陽能、充電樁等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的嚴(yán)苛工況。

技術(shù)亮點(diǎn)

1200V規(guī)格的CoolSiC?MOSFET半橋模塊，融合了M1H芯片技術(shù)與62mm封裝優(yōu)勢(shì)，技術(shù)亮點(diǎn)集中在電能轉(zhuǎn)換效率、運(yùn)行可靠性、適配靈活性等多個(gè)關(guān)鍵維度，具體如下：

①高效電能轉(zhuǎn)換，降低AIDC設(shè)備系統(tǒng)能耗與散熱壓力：

a. 低損耗與高電流密度設(shè)計(jì)；

b. 高速開關(guān)性能；

②高可靠性設(shè)計(jì)，適配復(fù)雜嚴(yán)苛工況；

a. 多重環(huán)境與工況抗性;

b. 堅(jiān)固的集成體二極管;

③結(jié)構(gòu)與工藝優(yōu)化，提升AIDC算力適配性與量產(chǎn)穩(wěn)定性；

a. 對(duì)稱封裝與標(biāo)準(zhǔn)工藝；

b. 靈活的裝配選項(xiàng)；

應(yīng)用場(chǎng)景：

AIDC算力正朝著超高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率的方向升級(jí)，800V高壓直流架構(gòu)已成為其核心供配電趨勢(shì)。作為1200VCoolSiC?MOSFET半橋模塊，憑借低損耗、高可靠性等特性，主要應(yīng)用于AIDC設(shè)備的供配電核心設(shè)備中，具體場(chǎng)景如下：

①固態(tài)變壓器（SST）核心部件；

②高壓直流（HVDC）電源系統(tǒng)；

③不間斷電源（UPS）升級(jí)適配；

④配套儲(chǔ)能系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換；

客戶價(jià)值：

AIDC設(shè)備憑借CoolSiC?M1H芯片技術(shù)與62mm封裝的核心優(yōu)勢(shì)，適配AIDC在高壓供電、高效算力保障等場(chǎng)景的核心需求，能從成本控制、運(yùn)營(yíng)穩(wěn)定性、系統(tǒng)升級(jí)適配等多方面為客戶創(chuàng)造顯著價(jià)值，具體如下：

①降低AIDC設(shè)備全生命周期成本，優(yōu)化客戶投入回報(bào)：

a. 削減硬件與散熱成本；

b. 減少長(zhǎng)期能耗與維護(hù)開支；

②保障AIDC算力持續(xù)穩(wěn)定輸出，降低客戶業(yè)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)；

③適配技術(shù)升級(jí)趨勢(shì)，提升客戶系統(tǒng)靈活擴(kuò)展性；

④降低技術(shù)落地門檻，助力客戶快速部署應(yīng)用；

三、結(jié)語：以技術(shù)實(shí)力賦能賽道升級(jí)

從具身智能設(shè)備的精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)到AIDC的高效供電，芯長(zhǎng)征始終以垂直產(chǎn)業(yè)鏈為根基，聚焦AIDC設(shè)備場(chǎng)景核心需求打造功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。依托Virtual-IDM模式的整合優(yōu)勢(shì)與自主研發(fā)實(shí)力，芯長(zhǎng)征在低壓MOS與高壓SiCMOS領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力，為兩大新興賽道提供兼具可靠性與性價(jià)比的器件解決方案。

未來，芯長(zhǎng)征將持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體技術(shù)，緊跟具身智能與AIDC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，迭代優(yōu)化產(chǎn)品性能，拓展更多AIDC設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景。無論是智能機(jī)器人的靈活運(yùn)動(dòng)，還是AIDC算力中心的穩(wěn)定供電，芯長(zhǎng)征都將以專業(yè)的產(chǎn)品與服務(wù)，成為產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴的堅(jiān)實(shí)支撐。歡迎關(guān)注芯長(zhǎng)征，了解更多產(chǎn)品動(dòng)態(tài)與技術(shù)進(jìn)展，共探科技產(chǎn)業(yè)升級(jí)新機(jī)遇