威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向 30V 低壓小電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 DFN2x2 封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值14mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值20mΩ，低壓小電流場(chǎng)景下?lián)p耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)10A，\(T=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：40A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時(shí)小電流沖擊需求。

二、核心特性

• 超小型封裝：采用 DFN2x2 封裝，適配超高密度、微型化電路板設(shè)計(jì)；
• 快速開(kāi)關(guān) + 高效率：開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，兼顧低壓小電流場(chǎng)景的能量轉(zhuǎn)換效率；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：DFN2x2x0.75-L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配微型化、高密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓微型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 便攜設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端的負(fù)載開(kāi)關(guān)；
  • 小型電子設(shè)備的低功耗電源管理。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）