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選型手冊:VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-10 14:50 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向 30V 低壓場景的雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,采用 PDFN3333 封裝,適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配雙路低壓供電場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),單通道):\(V_{GS}=10V\)時典型值15mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值24mΩ,低壓場景下?lián)p耗可控;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),單通道,\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時24A,\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為16A
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\),單通道):96A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足雙路負(fù)載瞬時大電流需求。

二、核心特性

  • 雙通道 + 5V 邏輯控制:單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET,適配 5V 邏輯驅(qū)動,簡化雙路電源拓?fù)湓O(shè)計(jì);
  • 低導(dǎo)通電阻 + 高可靠性:15~24mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導(dǎo)損耗,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 15mJ(單通道),感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng);
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),單通道,除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

30V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

24A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 24;\(T=100^\circ\text{C}\): 16

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

96A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

15mJ
最大功耗

\(P_D\)

14W
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
結(jié) - 殼熱阻

\(R_{thJC}\)

9℃/W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:PDFN3333 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷,適配高密度雙路電源電路板設(shè)計(jì);
  • 典型應(yīng)用

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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