威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向 30V 低壓場景的雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,采用 PDFN3333 封裝,適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 雙通道 + 5V 邏輯控制:單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET,適配 5V 邏輯驅(qū)動,簡化雙路電源拓?fù)湓O(shè)計(jì);
- 低導(dǎo)通電阻 + 高可靠性:15~24mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導(dǎo)損耗,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 15mJ(單通道),感性負(fù)載開關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng);
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),單通道,除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 30 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 24 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 24;\(T=100^\circ\text{C}\): 16 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 96 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 15 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 14 | W |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 結(jié) - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 9 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:PDFN3333 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷,適配高密度雙路電源電路板設(shè)計(jì);
- 典型應(yīng)用:
- 30V 級雙路低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 雙路同步整流回路;
- 消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的雙路中功率負(fù)載開關(guān)。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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