威兆半導體推出的VST002N06MS-K是一款面向 60V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封裝，適配低壓大電流 DC/DC 轉換器、電源管理等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.2mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值3.3mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：180A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為141A；
    • 封裝約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：160A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：800A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 極致低導通電阻：2.2~3.3mΩ 的阻性表現(xiàn)，大幅降低低壓大電流場景的傳導損耗；
• VeriMOS? II 技術：結合 Osg、Ogd 參數(shù)優(yōu)化，兼顧快速開關與低開關損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 200mJ，抗沖擊能力極強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設計；
• 典型應用：
  • 60V 級低壓超大電流 DC/DC 轉換器主開關管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的功率開關；
  • 工業(yè)設備、儲能系統(tǒng)的超大電流負載通斷控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）