威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向 30V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值2.2mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值4.4mΩ，低壓場景下傳導(dǎo)損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結(jié)溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：155A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為99A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：63A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為36A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：620A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)超大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高能量轉(zhuǎn)換效率，提升系統(tǒng)功率密度；
• 快速開關(guān) + 高可靠性：開關(guān)速度優(yōu)異，同時(shí)通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 36mJ，感性負(fù)載開關(guān)場景下穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 低壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在 30V 級降壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_關(guān)管，低阻特性大幅降低傳導(dǎo)損耗；
  • 同步整流電路：適配低壓大電流電源的同步整流回路，提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 高功率負(fù)載開關(guān)：用于工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的大電流負(fù)載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）